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Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

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CHAPITRE III - METHODOLOGIE DE CONCEPTION OPTMALE EN TERME DE LINEARITE ET DE CONSOMMATION<br />

III.5. - METHODOLOGIE DE CONCEPTION D’AMPLIFICATEUR<br />

La méthodologie <strong>de</strong> <strong>conception</strong> prés<strong>en</strong>tée par <strong>la</strong> suite s’appuie sur les résultats <strong>de</strong><br />

simu<strong>la</strong>tion prés<strong>en</strong>tés précé<strong>de</strong>mm<strong>en</strong>t.<br />

La première étape <strong>de</strong> <strong>la</strong> <strong>conception</strong> consiste <strong>à</strong> sélectionner les transistors répondant au<br />

mieux aux contraintes imposées. Une première sélection est effectuée suivant <strong>de</strong>s critères<br />

obéissant <strong>à</strong> <strong>de</strong>s impératifs industriels. Les transistors doiv<strong>en</strong>t être disponibles, <strong>la</strong> filière<br />

stabilisée. Pour beaucoup d’applications le coût joue un égalem<strong>en</strong>t un rôle très important. De<br />

plus, les contraintes peuv<strong>en</strong>t <strong>de</strong>v<strong>en</strong>ir très sélectives lorsqu’il s’agit <strong>de</strong> matériel embarqué. En<br />

général, ces impératifs sont suffisants pour limiter le choix <strong>à</strong> quelques unités. Au-<strong>de</strong>l<strong>à</strong> <strong>de</strong> c<strong>et</strong>te<br />

sélection, peu <strong>de</strong> critère sont susceptibles d’interv<strong>en</strong>ir dans le choix d’une technologie ou<br />

d’une filière.<br />

En constituant une base <strong>de</strong> donnée intégrant les caractéristiques complètes <strong>de</strong> chaque<br />

transistor le critère prés<strong>en</strong>té peut se révéler utile pour effectuer le choix final. C<strong>et</strong>te base peut<br />

être composée uniquem<strong>en</strong>t <strong>de</strong>s caractéristiques <strong>optimale</strong>s. Pour ce<strong>la</strong> il suffirait d’optimiser<br />

individuellem<strong>en</strong>t chaque transistor <strong>en</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t multiporteuse. Grâce aux résultats<br />

obt<strong>en</strong>us dans <strong>la</strong> section précéd<strong>en</strong>te, nous pouvons limiter <strong>la</strong> caractérisation <strong>en</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t<br />

multiporteuse <strong>à</strong> certaines conditions <strong>de</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t.<br />

Tout d’abord <strong>la</strong> c<strong>la</strong>sse <strong>de</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t <strong>optimale</strong> est <strong>la</strong> c<strong>la</strong>sse B. Il est donc<br />

intéressant <strong>de</strong> caractériser <strong>en</strong> priorité les c<strong>la</strong>sses <strong>de</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t AB profon<strong>de</strong>s <strong>et</strong> B.<br />

Deuxièmem<strong>en</strong>t les conditions <strong>de</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t <strong>optimale</strong>s <strong>de</strong> charge correspond<strong>en</strong>t<br />

aux impédances <strong>de</strong> r<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>t maximum obt<strong>en</strong>ues pour une excitation <strong>à</strong> une porteuse. C<strong>et</strong>te<br />

optimisation peut être réalisée rapi<strong>de</strong>m<strong>en</strong>t avec tous simu<strong>la</strong>teurs intégrant l’équilibrage<br />

harmonique <strong>et</strong> <strong>en</strong> utilisant <strong>la</strong> métho<strong>de</strong> <strong>de</strong>s générateurs <strong>de</strong> substitution <strong>et</strong> égalem<strong>en</strong>t sur banc <strong>de</strong><br />

load-pull <strong>et</strong> source-pull.<br />

L’optimisation <strong>de</strong> l’impédance <strong>de</strong> source <strong>à</strong> 2f0 peut faire l’obj<strong>et</strong> d’une simu<strong>la</strong>tion <strong>à</strong><br />

<strong>de</strong>ux porteuses toujours <strong>à</strong> l’ai<strong>de</strong> <strong>de</strong> l’équilibrage harmonique. En appliquant le critère du<br />

C/(N+I) <strong>à</strong> ce type <strong>de</strong> signal il est possible d’évaluer l’impédance <strong>optimale</strong> pour <strong>de</strong>s signaux<br />

modulés.<br />

Une fois l’<strong>en</strong>vironnem<strong>en</strong>t du transistor optimisé, il suffit d’effectuer une<br />

caractérisation multiporteuse du transistor dans les conditions établies. C<strong>et</strong>te caractérisation<br />

perm<strong>et</strong> d’établir <strong>la</strong> caractéristique du C/(N+I) qui doit définir les performances <strong>de</strong><br />

l’amplificateur final.<br />

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