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Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

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CHAPITRE III - METHODOLOGIE DE CONCEPTION OPTMALE EN TERME DE LINEARITE ET DE CONSOMMATION<br />

III.4.4. - POINTS DE POLARISATION<br />

Pour une po<strong>la</strong>risation donnée, l’optimisation <strong>de</strong>s impédances a permis <strong>de</strong> montrer<br />

l’exist<strong>en</strong>ce <strong>de</strong> points <strong>de</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t optimum. L’analyse du comportem<strong>en</strong>t <strong>en</strong> fonction <strong>de</strong><br />

<strong>la</strong> po<strong>la</strong>risation peut se limiter <strong>à</strong> ces points. Nous avons donc prés<strong>en</strong>té aux transistors pour<br />

chaque point <strong>de</strong> po<strong>la</strong>risation <strong>de</strong> grille choisi, les impédances <strong>optimale</strong>s <strong>de</strong> r<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>t<br />

correspondantes.<br />

L’analyse a été m<strong>en</strong>ée pour trois points <strong>de</strong> po<strong>la</strong>risation <strong>de</strong> grille correspondant <strong>à</strong> trois<br />

c<strong>la</strong>sses <strong>de</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t représ<strong>en</strong>tatives du comportem<strong>en</strong>t du transistor. Ces c<strong>la</strong>sses sont<br />

référ<strong>en</strong>cées comme <strong>de</strong>s c<strong>la</strong>sses AB, B <strong>et</strong> C. Suivant le critère du C/(N+I) les c<strong>la</strong>sses <strong>de</strong><br />

fonctionnem<strong>en</strong>t profon<strong>de</strong>s (temps <strong>de</strong> conduction faible) perm<strong>et</strong>t<strong>en</strong>t d’améliorer le<br />

comportem<strong>en</strong>t général <strong>de</strong> l’amplificateur. Toutefois pour <strong>de</strong>s c<strong>la</strong>sses <strong>à</strong> temps <strong>de</strong> conduction<br />

très courts (c<strong>la</strong>sse C) un phénomène <strong>de</strong> saturation <strong>de</strong> <strong>la</strong> caractéristique limite l’emploi <strong>de</strong> c<strong>et</strong>te<br />

c<strong>la</strong>sse <strong>à</strong> <strong>de</strong>s rapports signal <strong>à</strong> bruit faibles. De plus l’amélioration par rapport <strong>à</strong> <strong>la</strong> c<strong>la</strong>sse B<br />

n’est pas considérable. Comme le nombre <strong>de</strong> transistors <strong>à</strong> p<strong>la</strong>cer <strong>en</strong> parallèle est plus<br />

important <strong>en</strong> c<strong>la</strong>sse C quand c<strong>la</strong>sse B, l’avantage peut être rapi<strong>de</strong>m<strong>en</strong>t perdu avec les pertes<br />

dues aux réseaux d’adaptation.<br />

Il apparaît donc que <strong>la</strong> c<strong>la</strong>sse <strong>de</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t <strong>optimale</strong> associé au critère du C(N+I)<br />

est <strong>la</strong> c<strong>la</strong>sse B. Ceci reste vrai tant que le gain <strong>de</strong> l’étage <strong>de</strong> puissance est suffisant pour<br />

négliger <strong>la</strong> consommation <strong>de</strong>s étages qui le précè<strong>de</strong>.<br />

C/(N+I) (dB)<br />

24<br />

22<br />

20<br />

18<br />

16<br />

14<br />

12<br />

10<br />

8<br />

6<br />

c<strong>la</strong>sse AB<br />

c<strong>la</strong>sse B c<strong>la</strong>sse C<br />

10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30<br />

Pdc/N (dB)<br />

Figure III.30 – Influ<strong>en</strong>ce du point <strong>de</strong> po<strong>la</strong>risation<br />

120

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