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Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

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CHAPITRE III - METHODOLOGIE DE CONCEPTION OPTMALE EN TERME DE LINEARITE ET DE CONSOMMATION<br />

III.3.1.2. - Détermination <strong>de</strong> l’impédance <strong>de</strong> source <strong>optimale</strong><br />

Pour c<strong>et</strong>te détermination nous avons chargé le transistor <strong>en</strong> sortie par les impédances<br />

<strong>optimale</strong>s <strong>de</strong> r<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>t trouvées précé<strong>de</strong>mm<strong>en</strong>t.<br />

L’analyse du comportem<strong>en</strong>t du transistor, vis <strong>à</strong> vis <strong>de</strong> l’impédance <strong>de</strong> source, a été<br />

m<strong>en</strong>ée autour <strong>de</strong> l’impédance <strong>optimale</strong> <strong>de</strong> gain <strong>en</strong> puissance. La variation <strong>de</strong> c<strong>et</strong>te impédance<br />

n’<strong>en</strong>traînant qu’une variation faible du r<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>t nous avons préféré étudier son impact sur le<br />

gain qui lui est extrêmem<strong>en</strong>t s<strong>en</strong>sible. Les contours obt<strong>en</strong>us sont prés<strong>en</strong>tés Figure III.8. Nous<br />

pouvons observer que l’impédance <strong>de</strong> source joue évi<strong>de</strong>mm<strong>en</strong>t un rôle très important sur le<br />

gain mais égalem<strong>en</strong>t sur le NPR. Le transistor est plus linéaire lorsque l’on se rapproche <strong>de</strong> 50<br />

Ohms, mais le gain chute <strong>de</strong> manière importante.<br />

La caractérisation <strong>de</strong> l’impédance <strong>de</strong> source <strong>à</strong> 2f0 a été effectuée <strong>en</strong> ba<strong>la</strong>yant tout<br />

l’abaque. Les contours obt<strong>en</strong>us, Figure III.9, montre le rôle important <strong>de</strong> l’impédance <strong>de</strong><br />

source <strong>à</strong> l’harmonique 2 <strong>en</strong> ce qui concerne <strong>la</strong> <strong>linéarité</strong>. Pour ce transistor le r<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>t n’a<br />

pas été amélioré <strong>de</strong> manière notable mais nous pouvons gagner plus <strong>de</strong> 1 dB sur <strong>la</strong> valeur du<br />

NPR.<br />

Il n’y a pas <strong>de</strong> re<strong>la</strong>tion évid<strong>en</strong>te <strong>en</strong>tre le r<strong>en</strong><strong>de</strong>m<strong>en</strong>t <strong>et</strong> le NPR. Pour déterminer les<br />

conditions <strong>de</strong> fonctionnem<strong>en</strong>t <strong>optimale</strong>s l’optimisation doit être m<strong>en</strong>ée <strong>à</strong> l’ai<strong>de</strong> <strong>de</strong> signaux<br />

multiporteuse. C<strong>et</strong>te optimisation peut se limiter aux impédances <strong>à</strong> partie réelle nulle puisque<br />

les optimums sont situés au bord <strong>de</strong> l’abaque <strong>de</strong> Smith.<br />

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