Contribution à la conception optimale en terme de linéarité et ...

FigureIV.12 – Caractéristiques linéaires de l’amplificateur .................................................. 146
FigureIV.13 – Caractérisation CW de l’amplificateur ........................................................... 150
FigureIV.14 – Caractérisation multiporteuse de l’amplificateur ........................................... 151
FigureIV.15 – Schéma de principe de la mesure ................................................................... 152
FigureIV.16 – Caractéristiques multiporteuse Naj=f(Ps)....................................................... 154
FigureIV.17 – Caractéristiques multiporteuse NPR=f(Ps)..................................................... 154
FigureIV.18 – Caractéristiques multiporteuse NPR=f(Naj)................................................... 155
Figure IV.19 – Caractéristiques multiporteuse C/(N+I)=f(Pdc/N) ........................................ 155
Figure IV.20 - Caractéristiques multiporteuse Naj=f(Ps) ...................................................... 156
Figure IV.21 - Caractéristiques multiporteuse NPR=f(Ps) .................................................... 156
Figure IV.22 - Caractéristiques multiporteuse NPR=f(Naj) .................................................. 157
FigureIV.23 - Caractéristiques multiporteuse C/(N+I)=f(Pdc/N).......................................... 157
FigureIV.24 – Caractéristiques de l’amplificateur HFET...................................................... 159
FigureIV.25 – Caractéristiques de l’amplificateur GPAD ..................................................... 159
FigureIV.26 – Topologie du modèle ...................................................................................... 160
FigureIV.27 – Lignes d’accès du transistor ........................................................................... 161
FigureIV.28 – Paramètres S simulé et mesuré au point de polarisation considéré ................ 162
FigureIV.29 – Réseaux de sortie (Id) et d’entrée (Ig) en fonction de Vgs et Vds ................. 163
Figure IV.30 – Facteur K et B sur la bande [0-40 GHz]........................................................ 164
FigureIV.31 – Représentation du NDF sur la bande [0-40 GHz] .......................................... 167
FigureIV.32 – Facteur K et B sur la bande [0-40 GHz]......................................................... 167
FigureIV.33 – Caractéristiques multiporteuse de l’amplificateur.......................................... 169
FigureIV.34 - Caractéristiques multiporteuse Naj=f(Ps) ....................................................... 171
FigureIV.35 - Caractéristiques multiporteuse NPR=f(Ps) ..................................................... 171
FigureIV.36 - Caractéristiques multiporteuse NPR=f(Naj) ................................................... 172
FigureIV.37 - Caractéristiques multiporteuse C/(N+I)=f(Pdc/N).......................................... 172
FigureIV.38 - Caractéristiques multiporteuse Naj=f(Ps) ....................................................... 173
FigureIV.39 - Caractéristiques multiporteuse NPR=f(Ps) ..................................................... 173
FigureIV.40 - Caractéristiques multiporteuse NPR=f(Naj) ................................................... 174
FigureIV.41 – Modèle linéaire du transistor .......................................................................... 187
FigureIV.42 Mesure de la fonction de transfert en boucle ouverte........................................ 188
FigureIV.43 – Représentation du NDF sur la bande [0-40 GHz] .......................................... 188
FigureIV.44 – Facteur K et B sur la bande [0-10 GHz]......................................................... 189