Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

Chapitre II : Inductance active
III.5. Contrôle du facteur de qualité
Les deux transistors Tn1 et Tn2 (Figure II-9) composent le bloc de la résistance négative.
La présence de ce bloc est essentielle pour améliorer le facteur de qualité du filtre.
La résistance négative induit deux effets indésirables sur les performances du filtre :
l’augmentation du bruit et la dégradation de la linéarité. La variation du facteur de qualité
n’est pas obtenue par le changement direct de la valeur de la résistance négative (Tn1 et Tn2),
mais plutôt par le contrôle de la tension Vq des transistors T5-1 et T5-2. En faisant varier les
conductances (g0) des deux transistors T2-1 et T2-2, on peut ainsi contrôler le facteur de qualité
(II-7).
La figure II-19 montre le paramètre Sdd21 lorsque le facteur de qualité varie (Q0=22 à
53), sachant que pour une application UMTS un facteur de 31 est souhaitable. Dans tous les
cas, le circuit reste toujours adapté en entrée et sortie (Figures II-20 et II-21). La figure II-22
représente le facteur de bruit lorsque le facteur de qualité est modifié.
B )
S dd21(d
30
25
20
15
10
5
0
-5
Q = 21.8
Q = 23.6
Q = 27.2
Q = 31.1
Q = 39.0
Q = 53.4
-10
0.5 1 1.5
f(GHZ)
2 2.5
Figure II-19 : Sdd21 avec balayage du facteur de qualité
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