Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

Chapitre II : Inductance active
III.1. Paramètres S et comportement fort signal du filtre
Pour concevoir ce circuit nous utilisons le procédé QUBIC4 de PHILIPS qui est une
technologie BiCMOS 0,25 µm. Les simulations montrent que le filtre complet consomme
30 mA (81 mW avec une alimentation standard de 2,7V).
Dans l’annexe I, le Tableau AI-1 résume les valeurs des éléments qui composent
l’ensemble du filtre actif avec la résistance active et l’amplification.
L’utilisation des paramètres S en modes mixtes est très importante pour visualiser les
modes différentiel et commun séparément et la conversion entre chacun d’eux (cf. annexe II
sur les modes mixtes).
Lors de la conception de ce circuit, nous rajoutons des diodes de protection, les
transistors MOS étant très sensibles aux charges électrostatiques qui peuvent s’accumuler
pendant la fabrication (cf. annexe III).
A la fréquence centrale de 1,95 GHz et pour une bande passante de 50 MHz, nous
retrouvons des paramètres Sdd satisfaisants (paramètres purement différentiels - figure II-10).
Un gain Sdd21= 21,6 dB et de bonnes adaptations d’entrée et de sortie (Sdd11= -13 dB,
Sdd22= -18 dB).
S dd(f)
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
Sdd11
Sdd21
Sdd12
-25
Sdd22
Nf
-30
1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2
f(GHZ)
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5
Figure II-10 : Paramètres du mode différentiel Sddxx du filtre
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