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Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

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Chapitre II : Inductance active<br />

Il est facile, à partir <strong>de</strong> (II-7) <strong>et</strong> (II-8), <strong>de</strong> prouver que le facteur <strong>de</strong> qualité <strong>et</strong> le gain<br />

sont inférieurs à l’unité. Les <strong>de</strong>ux sources <strong>de</strong> courants I1 <strong>et</strong> I2 sont ensuite implémentées par<br />

<strong>de</strong>s transistors PMOS (T3) <strong>et</strong> NMOS (T4) respectivement. Pour augmenter le facteur <strong>de</strong><br />

qualité, un autre transistor (T5) est rajouté (Figure II-3). Il sert à diminuer la valeur <strong>de</strong> g02 <strong>et</strong><br />

améliorer le facteur <strong>de</strong> qualité du filtre.<br />

Figure II-3 : Filtre avec sources <strong>de</strong> courant réelles<br />

Afin <strong>de</strong> déterminer les caractéristiques <strong>de</strong> l’inductance active, on ne prend pas en<br />

compte la capacité <strong>de</strong> l’entrée Cin <strong>de</strong> l’ensemble du filtre (figure II-3). Les figures II-4 <strong>et</strong> II-5<br />

représentent respectivement les parties imaginaire <strong>et</strong> réelle <strong>de</strong> l’inductance active. Sur ces<br />

graphes, la fréquence <strong>de</strong> résonance est <strong>de</strong> 3,04 GHz.<br />

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