Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

Chapitre II : Inductance active
gm2
gm1
ω 0 ≈
(II-6)
C C + C )
Q
K
0
0
≈
g
01
gs2
( in gs1
ω0
+ g 02 + gm
C + C
gs2
in
in
gs1
1
gs1
g
+
C
01
gs2
76
(II-7)
≈
g 01
C
gm1
C gs2
gm1
+
C + C
(II-8)
Dans l’expression de la pulsation ω0 (II-6), on retrouve les principaux paramètres des
transistors ainsi que la capacité externe Cin. Pour changer la valeur de l’inductance active et
avoir un balayage en fréquence centrale, on utilise la transconductance gm1 du transistor T1,
même si elle intervient aussi dans l’expression du facteur de qualité et le gain. Le terme gm2
n’intervient que dans ω0 et permet de modifier ce paramètre sans affecter les autres. Cela
incite à polariser T2 différemment et oblige à rajouter une inductance de découplage sur la
grille de T2. Afin de faire varier la transconductance de T1, on change simplement la
polarisation de sa grille Vf et les sources de courant I1 et I2.
L’expression du facteur de qualité (II-7) montre une possibilité de contrôle. En effet
g02 est le paramètre qui influe sur le plus la valeur du facteur de qualité sans faire varier la
fréquence centrale.