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Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

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Chapitre II : Inductance active<br />

I. Introduction<br />

Une inductance intégrée passive ayant un bon facteur <strong>de</strong> qualité est très utile pour les<br />

circuits récepteurs <strong>et</strong> ém<strong>et</strong>teurs. L’inconvénient <strong>de</strong> ces inductances reste toutefois la superficie<br />

occupée. C<strong>et</strong>te surface rajoutée augmente généralement <strong>de</strong> façon considérable la taille donc<br />

aussi le coût du circuit global.<br />

Dans ce chapitre, nous exposons les avantages <strong>et</strong> les inconvénients d’un filtre utilisant<br />

une inductance active. Ainsi, nous pouvons comparer les caractéristiques <strong>de</strong> ce circuit avec<br />

celles <strong>de</strong>s autres topologies <strong>de</strong> <strong>filtrage</strong> <strong>actif</strong> utilisant le même procédé technologique <strong>de</strong><br />

PHILIPS.<br />

Dans la littérature, plusieurs topologies <strong>de</strong> circuits peuvent avoir une impédance<br />

d’entrée inductive comme déjà montré dans le premier chapitre. L’analyse <strong>de</strong>s différentes<br />

publications sur le suj<strong>et</strong> (limitée toutefois aux technologies CMOS ou BiCMOS) montre que<br />

beaucoup d’architectures <strong>de</strong> circuits peuvent présenter un eff<strong>et</strong> inductif. En revanche, peu <strong>de</strong><br />

publications montrent <strong>de</strong>s réalisations <strong>et</strong> <strong>de</strong>s mesures d’inductances actives ou <strong>de</strong> filtres<br />

compl<strong>et</strong> fonctionnant aux radio-fréquences.<br />

La première remarque sur ces publications est qu’elles ne dépassent que rarement la<br />

démonstration <strong>de</strong> principe <strong>de</strong> fonctionnement, les dispositifs en question restant souvent<br />

polarisés avec <strong>de</strong>s sources <strong>de</strong> courant idéales. D’autre part, la fonction <strong>de</strong> transfert analysée<br />

est généralement homogène à un gain en tension.<br />

En eff<strong>et</strong>, l’adaptation en puissance en entrée <strong>et</strong> sortie du filtre conduit à rajouter <strong>de</strong>s<br />

éléments qui influencent directement les caractéristiques <strong>de</strong> l’inductance active elle-même. Le<br />

fait <strong>de</strong> rajouter un buffer à la sortie utilisant <strong>de</strong>s transistors NMOS par exemple (avec une<br />

forte capacité Cgs), change complètement la valeur <strong>de</strong> l’inductance <strong>et</strong> sa fréquence <strong>de</strong><br />

résonance (la fréquence au quelle un aspect capacitif commence à dominer l’inductance).<br />

Ces remarques sont aussi vali<strong>de</strong>s pour les sources <strong>de</strong> courants qu’il faut remplacer par<br />

<strong>de</strong>s transistors réels, pour les résistances négatives qui compensent le facteur <strong>de</strong> qualité <strong>et</strong><br />

pour l’adaptation en puissance en entrée.<br />

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