Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

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Chapitre I : Analyse bibliographique [III,12] 2002 1,8 Ghz 80 Mhz 9 dB 4eme-ordre [III,13] 2002 0,7-1,2 Ghz Q=10 2eme-ordre [III,14] 2001 fc= 2,4 Ghz IF=200 Mhz Q bas S21 (LNA) = 18 dB IP-1dB = -40 dBm IIP3= 25,8 dBm CMOS 0,5µm BiCMOS 0,8µm CMOS 0,35 µm Filtre LC 2,7V Filtre LC Dégénération de Source 9 mW pour 2V [III,15] 2000 1-5,8 Ghz Bipolaire Filtre LC 2 V [III,16] 2000 1,8 Ghz Q=30 [III,17] 2000 1,6 Ghz Q=26 [III,18] 2000 [III,19] 1999 [III,20] 1999 [III,21] 1999 950 Mhz (accord sur 100 Mhz) 2,4 Ghz (2,369 Ghz- 2,422 Ghz) 900 Mhz – 1 Ghz fc=829 Mhz 689-830 Mhz BW=25 Mhz Q=38 Q=45 Q=25 Q=30 (3,4-629) BW= 25 Mhz [III,22] 1999 70 Mhz Q=38 [III,23] 1998 [III,24] 1998 [III,25] 1997 1 Ghz 950 Mhz- 1,050 Ghz fc= 947,5 Mhz (877- 962 Mhz) fc=900Mhz 869- 893 Mhz Q=30 Q=32 (3-230) Q=30 2,2-44 [III,26] 1997 750 Mhz Q=10-490 S21= 25,3 dB S21= 122,2 dB Gain = 22 dB Gain=15 dB 2eme-ordre Gain= 20 dB 4eme-ordre Gain= 28 dB 26 dB Variation de gain= 4dB (0°-80°) S21= 25,7 dB S21=17dB IIP3= -15,26 dBm IP-1dB = -6,9 dBm IIP3= -17 dBm IP-1dB = -34 dBm/ -22 dBm IIP3= -18 dBm IP-1dB = -31,5 dBm IIP3= -32,2 dBm/ IP-1dB = -44 dBm IIP3= -14 dBm/ IP-1dB = -30 dBm CMOS 0,5 µm CMOS 0,6 µm CMOS 0,5 µm CMOS 0,5 µm CMOS 0,6 µm CMOS 0,8 µm n-well CMOS 0,8 µm CMOS 0,8 µm CMOS 0,8 µm n-well BiCMOS 0,8 µm Q-compensé+ self intégré BAC (bandpass amplifier circuit) Q- compensé Gm-unbalance cell (pour maximiser la linéarité) ampli différentiel + inductance parallèle self intégré Q-enhanced + LC filtre différentiel+ Q compensé Circuit LC Filtre LC compensé Filtre LC Q-enhancement Active RLC [III,27] 1996 1,8 Ghz Bipolaire Filtre LC [III,28] 1996 1,8 Ghz Q=35 2eme-ordre [III,29] 1996 200 Mhz Q=100 4eme-ordre IP-1dB = 40 dBm CMOS 2 µm n-well Q-enhancement LC 1V 32 mA 1,5 V 35mW 3V 72 mA 2 V 25mA 2 V 39 mW 2 V/3 V 45,8 mW 32 mA 2V 35 mW 3 V 45mW 3V 78 mW 5 V 80-100 mW 8 mA pour 3V 2,8V 8,7 mA 3V -5 V 8 mA Filtre passe-bande Filtre passe-bande Filtre stop-bande + LNA Rejection d'image Ampli passebande Ampli passe bande Ampli- Passe-bande+ stop-bande + SC pour le tuning Ampli passe-bande Filtre passe bande Filtre passe-bande Ampli passe-bande Ampli passe-bande Ampli passe-bande Filtre Passe-bande +ampli Filtre passe bande différentiel Filtre passe-bande Filtre RLC passe bande Filtre LC Passe bande [III,30] 1994 1,3 Ghz BiCMOS Active RLC Filtre [III,31] 1993 750 Mhz Q=10-490 BiCMOS 0,8 µm Q-enhancement Active RLC 5 V 80-100 mW Filtre passe-bande différentiel DR=42 dB Rejection d'image= 60 dB NF=4,8 dB NF=3,56 dB S11
Chapitre I : Analyse bibliographique Articles VIII.4. Les filtres OTA-C Date La fréquence f0 ∆f-3db/Q ou % de bande Gain et l’ordre du filtre [IV,1] 2005 1,5-50 Mhz 5eme-ordre [IV,2] 2005 [IV,3] 2004 300Khz - 32 Mhz 0,5 - 7 Hz Q=4-501 2eme-ordre IIP3 / IP-1dB Techno CMOS 0,25µm CMOS 0,8 µm Principe de fonctionnement Consom mation Filtre Gm-C 3,3 V Filtre Gm-C (OTA) 400 Filtre Gm-C 1,33 mW pour 2V 230 nA pour 2V Nature de conception Filtre passe-bas Filtre passe-bande Filtre passe-bande Autres performances [IV,4] 2003 100 Mhz Filtre OTA Accordabilité [IV,5] 2003 18 MHz 4eme-ordre [IV,6] 2003 2 Mhz 15 dB [IV,7] 2003 Base bande CMOS 0,25 µm Filtre avec des OTA Filtre OTA-C (transconductance- C) 0,4 mW pour 1V [IV,8] 2002 80-200 Mhz 4eme-ordre 1,8V [IV,9] 2002 80-200 Mhz 4eme-ordre [IV,10] 2002 100 Khz 5eme-ordre [IV,11] 2002 100 Mhz Q=20 [IV,12] 2002 10,7 Mhz Q=40 [IV,13] 2002 [IV,14] 2002 833KHz- 1,3 Mhz 60 Khz/ 500 Khz 4,3 Mhz 2eme- ordre ∆f-3dB= 20 Khz [IV,15] 2001 500 Mhz Q élevé 2eme-ordre IP-3 = 40 dB CMOS 0,35 µm CMOS 1,5 µm CMOS 0,5 µm CMOS 0,8 µm CMOS 0,18 µm CMOS CMOS 0,35 µm [IV,16] 2001 Khz-Mhz CMOS [IV,17] 1998 [IV,18] 1997 28 Mhz- 280 Mhz 36 Mhz- 72 Mhz fcut-off= 12-50 Mhz 3eme- ordre CMOS 2 µm Filtre Gm-C Filtre Gm-C+ OTA ORA 4,7mA pour 2,7V 90 mW pour 2,3V 600uW 3,3V 92,4 mW pour 3,3V Filtre Gm-C 3,3V OTA programmable CAB(configurable analog block 5x8) basé sue les ladder OTA-C CAB (5x8) configurable analog block opamp+ OTA-C intégrateur Linear fully balanced OTA+ 2 diff pairtransconductanc e + -ve resistance 40,3 mW/49, 7 mW (+/- 1,35 V) 1,2 mW 5 V 2,7 mW Filtre passe bas Filtre passe-bas Filtre passe bande Filtre Passe-bande Filtre passe bande Filtre OTA-C programmable Stabilité utilisant critère Routh- Hurwitz Filtre Passe-bas elliptique DR=48/34,7 HD3(1 100 nV, 100 Mhz)=0,1 % inband noise level= 100 uVrms DR=60 dB THD=1 % a 1,42 Vp-p Réalisation Simulation Réalisation 1,4 mm² 1,68 mm² Réalisation Réalisation 0,81 mm² Réalisation 0,7 mm² Réalisation 626 X 50 µm² [IV,19] 1997 455 Khz OTA-C Filtre Théorie [IV,20] 1997 [IV,21] 1993 fc-off= 280- 405 Khz 225 Mhz et 250 Mhz 5eme-ordre CMOS 1,2 µm [IV,22] 1991 3,58 Mhz 2eme- ordre CMOS Gm-C (OTA) V-I convertiseur 3 V 2,48 mW Passe-bas elliptique Simulation Simulation Simulation Réalisation 1,62 mm² Bipolaire OTA-C Simulation OTA-C (OTA Lineaire) (+/- 5 V) Filtre THD
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