Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...
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Chapitre I : Analyse bibliographique<br />
[II,16] 2004<br />
[II,17] 2004<br />
50 Khz-<br />
2 Mhz<br />
Ban<strong>de</strong>basse<br />
[II,18] 2003 20 Mhz 20Mhz<br />
[II,19] 2003 1,5 - 12 Mhz<br />
3eme-ordre<br />
Gain en<br />
tension=<br />
10 dB<br />
5eme-ordre<br />
6eme-ordre<br />
elliptique<br />
[II,20] 2003 10,7 Mhz 2eme-ordre<br />
[II,21] 2003 4-10 Mhz 10 Mhz<br />
[II,22] 2003<br />
200 Khz-<br />
2,5 Mhz<br />
4eme-ordre<br />
[II,23] 2003 1,5 Mhz 5eme-ordre<br />
[II,24] 2002 45 Mhz<br />
[II,25] 2002 5 MHz 4eme-ordre<br />
[II,26] 2002 3 Mhz 1 Mhz 14eme-ordre<br />
[II,27] 2002<br />
2,68 Mhz <strong>et</strong><br />
132 Khz<br />
[II,28] 2002 1,92 Mhz<br />
[II,29] 2002 1 Mhz<br />
[II,30] 2001<br />
900 Mhz-<br />
1,1 Ghz<br />
Q=2,5<br />
[II,32] 2001 1 Ghz Q=0,8-2,8<br />
3eme-ordre<br />
5eme-ordre<br />
20 dB<br />
4eme-ordre<br />
chebyshev<br />
4eme-ordre<br />
Chebysheve<br />
[II,33] 2001 54-74 Mhz Q=50 -70 4eme-ordre<br />
[II,34] 2001 70 Mhz<br />
Q=350<br />
BW=<br />
200 Khz<br />
6eme-ordre<br />
gain=30 dB<br />
[II,35] 2001 70 Mhz Q=5-110 4eme-ordre<br />
[II,36] 2001 10,7 Mhz<br />
[II,37] 2001<br />
fp=0,93<br />
fs=1,82 Mhz<br />
[II,38] 2000 0,4 -2,3 GHz<br />
Q=40<br />
Df-3db=420<br />
Khz<br />
∆f-3db=1,02<br />
Mhz<br />
[II,39] 2000 500 Mhz ∆f=10 Mhz<br />
[II,40] 2000<br />
50,5 Mhz <strong>et</strong><br />
70 Mhz<br />
[II,41] 2000 10,7 Mhz<br />
BP= 200<br />
Khz(50,5<br />
Mhz-<br />
Q=250)<br />
BP= 3,5 Mhz<br />
(70 Mhz-<br />
Q=20)<br />
Q=100<br />
BW=<br />
(100-350)<br />
3eme-ordre<br />
Amin=<br />
44,08 dB<br />
Amax=<br />
064 dB<br />
6eme-ordre<br />
Gain=30 dB<br />
IIP=<br />
-7 dBm<br />
IP-1dB =<br />
-0,9dBm<br />
IIP3=<br />
9,3 dBm<br />
109,5<br />
uA<br />
rms<br />
IIP3=<br />
-9,25<br />
dBm<br />
IIP3=-10<br />
dB<br />
IIP3=<br />
-9,25<br />
dBm<br />
IIP3=<br />
-12 dBm<br />
IIP3=<br />
-10 dBm<br />
BiCMOS<br />
SiGe<br />
0,25 µm<br />
1µm st<br />
microele<br />
ctronics<br />
CMOS<br />
0,18 µm<br />
CMOS<br />
0,18 µm<br />
CMOS<br />
0,6 µm<br />
CMOS<br />
0,18 µm<br />
CMOS<br />
0,35 µm<br />
CMOS<br />
0,35 µm<br />
CMOS<br />
0,25 µm<br />
BiCMOS<br />
SiGe<br />
0,25µm<br />
CMOS<br />
0,25 µm<br />
CMOS<br />
0,35 µm<br />
CMOS<br />
0,35 µm<br />
CMOS<br />
0,35 µm<br />
CMOS<br />
HP<br />
0,5 µm<br />
CMOS<br />
0,35 µm<br />
CMOS<br />
CMOS<br />
0,8 µm<br />
n-well<br />
CMOS<br />
0,6 µm<br />
CMOS<br />
0,5 µm<br />
Filtre Gm-C<br />
Filtre Gm-C<br />
Filtre Gm-C<br />
2,5 mW,<br />
7,3 mW<br />
pour<br />
2,5V<br />
7,5 mA<br />
pour<br />
1,8V<br />
Filtre Gm-C 1,8V<br />
Filtre Gm-C<br />
Filtre Gm-C<br />
Filtre Gm-C<br />
45 uA<br />
1,5 V<br />
1,3V-<br />
2,1V<br />
600 uA<br />
pour 2,7<br />
V<br />
34 mW<br />
pour +-<br />
2,5V<br />
Filtre Gm-C 1,8V<br />
Filtre Gm-C<br />
Filtre Gm-C<br />
Filtre Gm-C<br />
RGC(vertical<br />
connection regulated<br />
casco<strong>de</strong> biquad)<br />
Regulated casco<strong>de</strong><br />
structure-biquadratic<br />
filter -low voltage<br />
current mo<strong>de</strong><br />
Gm-C + AGPLL<br />
(adaptive gain<br />
locked loop)<br />
Gm-C<br />
6 mW<br />
pour<br />
2,5V<br />
19mA/<br />
0,45mA<br />
pour<br />
2,5V<br />
7mA/ch<br />
pour<br />
2,7V<br />
1mW<br />
pour 2,5<br />
V<br />
2,4 <strong>et</strong><br />
1,5 mW/<br />
2,1 mW<br />
2,4 V<br />
710 uA<br />
2,2 V<br />
2,5 V<br />
120 mW<br />
Gm-C 2,2 V<br />
Diff structure +<br />
multiple-input<br />
floating gate<br />
TR-Gm-C<br />
Gm-C Stabilité a<br />
mo<strong>de</strong> commun<br />
Filtre Gm-C<br />
Local -ve feed-back<br />
Gm-C<br />
Gm-C<br />
1,2 V<br />
(1,4 V)<br />
1,8 V<br />
1,73<br />
mW<br />
65 mW<br />
sous 5V<br />
3,78<br />
mW<br />
2,5 V<br />
120 mW<br />
1,2V/1,5<br />
V<br />
Filtre<br />
passe-bas<br />
Filtre<br />
passe-bas<br />
Filtre<br />
passe-ban<strong>de</strong><br />
Filtre<br />
passe-bas<br />
Filtre<br />
passe ban<strong>de</strong><br />
Filtre<br />
passe-bas<br />
Filtre<br />
passe-bas<br />
Filtre elliptique<br />
passe-bas<br />
Filtre<br />
passe-bas<br />
Filtre<br />
passe-bas<br />
Filtre<br />
passe-bas<br />
Filtre<br />
Passe-bas<br />
Filtre<br />
Filtre<br />
Passe-ban<strong>de</strong><br />
Filtre<br />
passe ban<strong>de</strong><br />
Filtre<br />
Passe-ban<strong>de</strong><br />
Température 0-80°<br />
DR=45 dB<br />
Réalisation<br />
0,48 mm²<br />
Réalisation<br />
0,37 x 0,7 mm²<br />
1200 x 600 µm²<br />
0,83 mm²<br />
1000 x 600 µm²<br />
350 x 320 µm²<br />
0,8 mm²<br />
Réalisation<br />
1,64 mm²<br />
Réalisation<br />
2,9 mm²<br />
0,1 mm²<br />
DR=35-41 dB Simulation<br />
SFDR =42,4 db<br />
DR= 44,9 db 1%<br />
THD<br />
Vnoise= 19 uV/srHz<br />
tuning automatic<br />
DR=66 dB<br />
bruit equivalent=<br />
81 nV/sqHz<br />
Vnoise= 19 uV/srHz<br />
tuning automatic<br />
(On-chip)<br />
Simulation<br />
Simulation<br />
Réalisation<br />
0,8 x 1,2 mm²<br />
Réalisation<br />
Filtre Simulation<br />
Filtre DR=41 dB<br />
4 sections<br />
<strong>de</strong> Gm-C<br />
Current<br />
convoyor CCII<br />
Filtre passe<br />
ban<strong>de</strong> +<br />
auto-tuning<br />
Point <strong>de</strong><br />
compression =<br />
-21 dBm <strong>et</strong> -56 dBm<br />
Bruit equivalent-36,3<br />
uV, DR=66 dB<br />
Réalisation<br />
1 mm²<br />
Réalisation<br />
0,16 mm²<br />
Simulation<br />
Réalisation<br />
0,8 x 1,2 mm²<br />
Filtre THD=0,4%/0,8% Simulation<br />
[II,42] 2000 10,7 Mhz 1,2 V Simulation<br />
[II,43] 1999 150 Mhz 7eme-ordre<br />
BiCMOS<br />
0,29 µm<br />
180 mW<br />
[II,44] 1999 10-100 Mhz 13 dB<br />
BiCMOS<br />
0,29 µm<br />
Filtre Gm-C<br />
120 mW<br />
pour 3V<br />
[II,45] 1999 10 Mhz 1,5V<br />
[II,46] 1999 450 Khz<br />
[II,47] 1998 1 Mhz<br />
∆f-3db=21<br />
Khz<br />
∆f-3db=163<br />
dB<br />
Gain=<br />
-6 dB a 3dB<br />
3eme-ordre<br />
CMOS<br />
0,35 µm<br />
CMOS<br />
1,2 µm<br />
n-well<br />
Gm-C<br />
Fully diff Gm-C+<br />
micropower class AB<br />
VI converter<br />
2,5 V-<br />
2,6V<br />
4,8 mA<br />
1,5 V<br />
138 uW<br />
Intégrateur<br />
Gm-C<br />
Filtre passe<br />
ban<strong>de</strong><br />
Tuning time < 2ms<br />
<strong>de</strong> 420-770Mhz +/-<br />
0,5 %<br />
Réalisation<br />
0,5 mm²<br />
Réalisation<br />
2,5 mm²<br />
Filtre elliptique THD=1,8% Simulation<br />
35