Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

Chapitre I : Analyse bibliographique
VII. Le procédé QUBIC4 de PHILIPS
Durant les 15 dernières années, l’AsGa a complètement dominé le développement des
MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits) fonctionnant à plusieurs dizaines de
GHz. Mais les progrès constants des transistors silicium sont toujours très importants ; ces
derniers peuvent actuellement dépasser des fréquences de transition (FT) de 37 GHz (comme
la technologie 0,25 µm PHILIPS nommée QUBIC4). La nouvelle technologie QUBIC4G,
basée sur la technologie SiGe, a un FT de l’ordre de 100 GHz. En ce moment, sur le marché
du semiconducteur, le silicium domine la plupart des applications RF industrielles qui ne
dépassent pas une fréquence de fonctionnement de 5 GHz.
La compétition entre l’AsGa et le silicium est actuellement très féroce. Cela est la
conséquence du développement important des transistors à hétérojonction.
Trois types de technologies sont disponibles pour les concepteurs de MMIC :
1 - AsGa (MESFET, HEMT, HBT)
2 - InP (HEMT, HBT)
3 - silicium (germanium HBT, CMOS, BiCMOS, SOI)
Les circuits présentés dans ce travail sont développés avec la technologie QUBIC4,
quatrième génération de la bibliothèque BiCMOS de PHILIPS. Elle comporte des transistors
PMOS et NMOS de 0,25µm et des transistors bipolaires double-poly avec un FT de 37 GHz.
Cette bibliothèque offre aussi des résistances polysilicium, des capacités MiM
(Metal/Insulator/Metal) ainsi que cinq niveaux d’interconnections métalliques (Figure I-11).
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