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Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

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Annexe I : Valeur <strong>de</strong>s éléments du filtre <strong>actif</strong> constitué d’inductance active<br />

Buffer <strong>de</strong> sortie :<br />

R3-1, R3-2 (resPN) 2//110 Ω (W=3,7µ, L=1,6µ)<br />

Rd2-1, Rd2-2 (resPN) 2//400 Ω (W=3,7µ, L=6,475µ)<br />

Mout1, Mout2 (Rf nmos) 4 x (W=25µ, L=0,25µ, NG = 2 segments)<br />

Cout1, Cout2 (CapMIM) 6 x 4,5 pF (30µ x 30µ)<br />

Ic3 (Source <strong>de</strong> courant Rf nmos) 1 x (W=20µ, L=0,25µ, NG = 2 segments)<br />

Vcc<br />

Capacité <strong>de</strong> découplage tension<br />

(CapMIM Pour filtrer les parasites du Vdd)<br />

Dio<strong>de</strong>s <strong>de</strong> protection antenne sur toutes les<br />

grilles <strong>de</strong>s Nmos<br />

* Nombre <strong>de</strong> segments <strong>de</strong> grille<br />

** Nombre <strong>de</strong> segments d’ém<strong>et</strong>teur.<br />

2,7 V<br />

8 x 2 pF (20µ x 20µ)<br />

1x (AntProtP pour le Vdd <strong>et</strong><br />

AntProtN pour le GND)<br />

Tableau AI-1 : Valeurs <strong>de</strong>s éléments du filtre <strong>actif</strong><br />

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