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Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

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Chapitre IV : Filtre <strong>actif</strong> LC compensé du premier ordre<br />

VII.2. Analyse du mo<strong>de</strong> commun<br />

Pour ce mo<strong>de</strong>, on considère seulement la somme (I1+I2) <strong>et</strong> (I3+I4), ce qui réduit la<br />

matrice principale (IV-39) à la matrice suivante :<br />

⎡I<br />

⎢<br />

⎢I<br />

⎣<br />

1<br />

3<br />

+ I<br />

+ I<br />

2<br />

4<br />

⎡<br />

1<br />

1<br />

⎤<br />

⎤<br />

⎡ +<br />

⎢ ( gm<br />

⎤<br />

1 + gm2<br />

+ + β ) − ( gm1<br />

+ gm2<br />

+ + β ) V1<br />

V2<br />

⎥<br />

⎥<br />

=<br />

α α<br />

⎢<br />

⎥<br />

⎢ ⎥ V-41)<br />

⎥<br />

1<br />

1 ⎢V3<br />

+ V4<br />

⎢<br />

⎥<br />

⎥<br />

⎦ − ( gm1<br />

+ gm2<br />

+ + β ) ( gm1<br />

+ gm2<br />

+ + β )<br />

⎣<br />

α<br />

α ⎦<br />

⎣ ⎦<br />

De la même façon que pour le mo<strong>de</strong> différentiel, on suppose que les transistors sont<br />

i<strong>de</strong>ntiques <strong>et</strong> idéaux (sans parasites). Dans ce cas, c<strong>et</strong>te matrice peut se réduire à :<br />

⎡I<br />

⎢<br />

⎣I<br />

1<br />

3<br />

+ I<br />

+ I<br />

2<br />

4<br />

⎤ ⎡+<br />

2gm<br />

⎥ = ⎢<br />

⎦ ⎣−<br />

2gm<br />

− 2gm⎤⎡V<br />

1 + V2<br />

⎤<br />

+ 2gm<br />

⎥⎢<br />

⎥<br />

⎦⎣V<br />

3 + V4<br />

⎦<br />

On remarque que c<strong>et</strong>te matrice Y est i<strong>de</strong>ntique à celle d’une simple résistance <strong>de</strong><br />

valeur égale à 2gm. Le comportement du convertisseur d’impédance dans le mo<strong>de</strong> commun<br />

est complètement différent <strong>de</strong> celui observé en mo<strong>de</strong> différentiel. Dans ce mo<strong>de</strong> il n’y a pas<br />

<strong>de</strong> conversion d’impédance <strong>et</strong> le circuit se comporte comme une charge résistive série.<br />

VII.3. Admittances d’entrée <strong>et</strong> <strong>de</strong> sortie du convertisseur<br />

Pour déterminer les avantages <strong>de</strong> la conversion d’impédance (admittance), il est<br />

intéressant <strong>de</strong> connaître les expressions d’admittance <strong>de</strong> l’entrée Yin <strong>et</strong> <strong>de</strong> la sortie Yout en<br />

prenant en compte les éléments parasites. Si nous considérons entre les étages les conditions<br />

d’adaptation en tension Yin doit être faible car le convertisseur charge le résonateur <strong>et</strong> ne doit<br />

pas modifier sa réponse électrique (notamment son facteur <strong>de</strong> qualité). De même Yout doit être<br />

élevée car le convertisseur est chargé par l’amplificateur.<br />

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