Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

Chapitre IV : Filtre actif LC compensé du premier ordre
III.6. Inductance du résonateur en technologie QUBIC 4+
Pour étudier l’influence de la résistivité du substrat, nous passons de l’inductance
optimisée avec la bibliothèque QUBIC 4 (résistivité de 10 Ω.cm) à la bibliothèque QUBIC 4+
(résistivité 200 Ω.cm). Si on garde W=10,5 µm et L=260 µm, on obtient une inductance de
6,5 nH plus faible de 7 % que celle du procédé QUBIC 4 (Figure IV-27), et un facteur de
qualité de 12,81 qui est plus élevé de 18% (Figure IV-26). Une nouvelle optimisation des
dimensions de L et W peut améliorer encore les résultats.
é
qualit
de
acteur
F
15
14
13
12
11
10
9
8
150 200 250 300 350 400
Longueur de l'inductance L (um)
W=8.5
W=9.5
W=10.5
W=11.5
W=12.5
W=13.5
W=14.5
W=15.5
W=16.5
W=17.5
W=18.5
W=19.5
W=20.5
Figure IV-26 : Variations du facteur de qualité avec QUBIC 4+
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