Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

Chapitre IV : Filtre actif LC compensé du premier ordre
Il n’est pas souhaitable d’utiliser une couche recouvrant toute la surface de
l’inductance par crainte de voir apparaître un courant d’Eddy. Une solution est de diviser cet
écran en plusieurs rectangles séparés et perpendiculaire aux lignes métalliques de
l’inductance.
Pour modéliser les inductances, nous utilisons le modèle en Pi du premier ordre
(Figure IV-17). Les annexes IV et VI détaillent l’étude de ce modèle ainsi que sa fiabilité dans
la bande de fréquence utilisée pour les circuits.
Figure IV-17 : Modèle en Pi de d’inductance
La figure IV-18 et figure V-19 présentent une comparaison de la valeur de
l’inductance et du facteur de qualité de deux inductances de même géométrie, sans et avec
polysilicium.
Une différence est constatée aux fréquences très élevées. En revanche, à la fréquence
qui nous intéresse (2 GHz), la différence n’est pas très importante. Compte tenu du temps
nécessaire important pour simuler une structure avec du polysilicium, nous décidons de ne pas
l’inclure afin de faciliter le dessin et gagner du temps pour optimiser l’inductance finale.
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