Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

Chapitre IV : Filtre actif LC compensé du premier ordre
III.4.2. Influence de la couche polysilicium
L’une des solutions les plus répandues en microélectronique pour réduire le couplage
substrat est d’introduire une couche isolante sous les métallisations. La plupart du temps, il
s’agit d’une couche de polysilicium. Le polysilicium dopé est moins conducteur que les
métaux, mais souvent utilisé pour la fabrication des résistances et les grilles de transistors
MOS.
Sur la figure IV-16, nous illustrons l’utilisation d’un écran de polysilicium entre les
lignes de l’inductance et le substrat.
Figure IV-16 : Inductance avec écran de polysilicium
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