Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

Chapitre IV : Filtre actif LC compensé du premier ordre
III.4.1. Influence de la résistivité du substrat
Pour voir l’influence de la résistivité du substrat, nous remplaçons le substrat de la
bibliothèque actuelle (QUBIC 4) qui a une résistivité de 10 Ω.cm, par le substrat d’une
bibliothèque plus récente (QUBIC 4+) dont la résistivité est 20 fois plus élevée, de l’ordre de
200 Ω.cm. Sur les figures IV-14 et IV-15 sont comparées les valeurs des inductances et les
facteurs de qualité sur deux substrats différents en fonction de la fréquence. Les dimensions
des inductances sont les mêmes dans les deux cas.
u
d
In
cta
n c
e (H)
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
x 10 -8
Qubic4
Qubic4+
0.7
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
Fréquence (GHz)
Figure IV-14 : Valeurs de l’inductance sur deux substrats de résistivités différentes
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