Etude et conception de structures de filtrage actif radiofréquence ...

Chapitre IV : Filtre actif LC compensé du premier ordre
La figure IV-10 illustre les phénomènes physiques déjà évoqués sur les lignes
métalliques. Dans le premier cas (condition DC) (a), la distribution est uniforme à l’intérieur
du conducteur. Quand la fréquence augmente (b), l’effet de peau concentre le courant AC à la
surface du conducteur.
(a) Condition DC (b) Effet de peau (c) Effet de proximité
Figure IV-10 : Effet de peau et de proximité
La pénétration à laquelle la densité de courant est affaiblie de e-1 est définie comme
l’épaisseur de peau δ (IV-16).où µ est la perméabilité magnétique, σ est la résistivité du métal
et ω est la fréquence en question.
146
2
δ = (IV-16)
µσω
La technologie QUBIC4 de PHILIPS offre cinq niveaux de métallisation. Le plus bas
est indexé M1 et le plus haut M6. M6 est le niveau le plus intéressant car il est le plus loin du
substrat et le moins résistif. La métallisation M6 a une résistivité σ de 3,30 x 10 7 (S/m), soit un
δ de 1,96 µm à 2 GHz. Lorsque la fréquence varie entre 1 GHz et 5 GHz alors δ varie aussi
entre 2,77 µm et 1,24 µm comme illustré sur la figure IV-11.