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Elaboration par projection plasma d'un revêtement céramique sur ...

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Chapitre II : Réalisation d’un dépôt <strong>céramique</strong> <strong>par</strong> <strong>projection</strong> <strong>plasma</strong> – Revue bibliographique<br />

d’obtenir une adhérence forte des <strong>revêtement</strong>s grâce à la formation d’une interface composée<br />

d’un mélange des deux matériaux.<br />

Un autre procédé est le procédé PROTAL ® qui intègre la pré<strong>par</strong>ation de <strong>sur</strong>face à la phase de la<br />

réalisation du <strong>revêtement</strong>. Le principe est présenté <strong>sur</strong> la Figure B.3-9 ; il couple un laser<br />

pulsé et une torche à <strong>plasma</strong>. Le passage du faisceau laser en avant de celui du jet de <strong>plasma</strong><br />

permet d’éliminer les contaminants de <strong>sur</strong>face et de favoriser l’adhérence du <strong>revêtement</strong>.<br />

Figure B.3-9 : Représentation schématique du procédé PROTAL ® [76].<br />

L’utilisation d’un laser pulsé entraine des modifications plus ou moins notables de la <strong>sur</strong>face :<br />

décontamination, destruction du film d’oxyde potentiel et modification topographique, selon<br />

les <strong>par</strong>amètres opératoires utilisés [77], [78]. Elles apportent dans certains cas un gain non<br />

négligeable d’adhérence et peuvent permettre la réalisation d’un <strong>revêtement</strong> adhérent <strong>sur</strong> une<br />

<strong>sur</strong>face très contaminée (<strong>par</strong> des graisses <strong>par</strong> exemple) [76], [79], [80]. Par exemple, dans le<br />

cas d’un <strong>revêtement</strong> Ni-Cr <strong>sur</strong> un substrat en alliage d’aluminium, l’adhérence en traction<br />

peut atteindre 40 MPa (même ordre de grandeur que les valeurs obtenues pour un <strong>revêtement</strong><br />

réalisé <strong>sur</strong> un substrat pré<strong>par</strong>é <strong>par</strong> sablage).<br />

Une autre technique utilisée in-situ pour la réalisation de couches est le bombardement<br />

ionique ou « etching ». Cependant cette technique est <strong>sur</strong>tout utilisée dans les procédés de<br />

dépôt de films minces en phase vapeur et <strong>par</strong>ait difficilement envisageable en <strong>projection</strong><br />

thermique de <strong>par</strong> sa complexité de mise en œuvre et la faible décontamination opérée. Elle<br />

consiste à créer, dans une enceinte sous vide, une décharge dans de l’argon afin d’ioniser une<br />

<strong>par</strong>tie du gaz. Une différence de potentiel entre la pièce à nettoyer et l’enceinte accélère les<br />

ions d’argon qui viennent bombarder la <strong>sur</strong>face. Ce bombardement arrache les premières<br />

couches atomiques de la <strong>sur</strong>face [81], [82]. Pendant la phase de dépôt, il aide à densifier la<br />

couche.<br />

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