Elaboration par projection plasma d'un revêtement céramique sur ...

Chapitre V : Le système bicouche, solution innovante pour l’optimisation de l’adhérence
couche, de l’ordre de 0,1 W.m -1 .K -1 . Une valeur inférieure à 1 W.m -1 .K -1 pour le bicouche
pourrait être obtenue en optimisant l’architecture de la couche microstructurée.
L’optimisation de la microstructure de couche supérieure n’a pas été réalisée dans cette étude
car les valeurs obtenues de conductivité thermique répondaient au cahier des charges du
système bicouche (cf. A.2.2.2).
E.3. Simulation du vieillissement
Le système bicouche devrait être utilisé à une température de 850°C dans une atmosphère
inerte. Pour simuler son comportement lors de son usage, le système a été porté et maintenu à
850°C dans une atmosphère inerte.
En raison des mesures d’adhérence présentées auparavant, seul le comportement des dépôts
réalisés à une température de préchauffage de 400°C.
E.3.1. Réalisation du vieillissement et évolution de la
microstructure
E.3.1.1. Gamme de vieillissement utilisé
Le vieillissement des échantillons a été réalisé dans un four sous atmosphère d’argon. L’argon
n’a pas les mêmes propriétés que l’hélium qui devrait être utilisé dans le réacteur rapide à
caloporteur gaz mais il est inerte et permet de simuler un vieillissement en température dans
une atmosphère sans oxygène.
Les rampes de montée et de descente en température ont été adaptées pour limiter la
dégradation des revêtements et les fissurations liées aux différences de coefficient de
dilatation entre les matériaux. La montée en température s’effectue avec une rampe de 100°C
par heure et la descente avec une rampe de 200°C par heure. Le système est maintenu pendant
50 heures à 850°C. Le graphique de la Figure E.3-1 montre le cycle thermique utilisé.
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