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Elaboration par projection plasma d'un revêtement céramique sur ...

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Chapitre V : Le système bicouche, solution innovante pour l’optimisation de l’adhérence<br />

Conductivité thermique (W/m/K)<br />

1,4<br />

1,2<br />

1<br />

0,8<br />

0,6<br />

0,4<br />

0,2<br />

0<br />

couche nanostructurée seule<br />

système bicouche<br />

couche microstructurée seule<br />

50 100 150 200 250<br />

Température (°C)<br />

Figure E.2-13 : Variation de la conductivité thermique des couches avec la température.<br />

La couche nanostructurée possède une valeur de conductivité proche de celle donnée dans la<br />

littérature [164] pour une <strong>projection</strong> de suspension de zircone yttriée. Par contre, la valeur<br />

obtenue pour la couche microstructurée est supérieure à celles données dans la littérature (de<br />

l’ordre de 0,8 à 1 W.m -1 .K -1 ) pour ce type de couche [14]. En effet, les conditions de<br />

<strong>projection</strong> de cette couche n’ont pas été établi dans le but d’optimiser la conductivité<br />

thermique mais d’optimiser l’adhérence du système bicouche. Néanmoins, la valeur globale<br />

du système est de l’ordre de 1 W.m -1 .K -1 . Le système se comporte comme une association en<br />

série de deux résistances thermiques donc celle la plus proche du substrat a la plus forte<br />

valeur. Il est donc envisageable en optimisant l’architecture de la couche microstructurée<br />

d’obtenir des valeurs de conductivité inférieures à celles des barrières thermiques<br />

conventionnelles.<br />

E.2.5. Conclusions<br />

L’adhérence du système bicouche dépend, entre autres, de l’interface entre les deux couches<br />

et de l’interface entre la couche nanostructurée et le substrat. Une adhérence <strong>par</strong> liaison<br />

cristallographique était attendue entre les deux couches de zircone. Cependant, des contraintes<br />

et notamment celles de trempe engendrent des fis<strong>sur</strong>ations longitudinales le long de<br />

l’interface. Une augmentation de la température de préchauffage et de déposition à 400°C a<br />

permis de limiter les problèmes de fis<strong>sur</strong>ation en diminuant les contraintes de trempe.<br />

Cependant, il est également nécessaire d’optimiser la cinématique torche/substrat et la<br />

variation de température de dépôt pendant la procédure d’élaboration du bicouche.<br />

L’utilisation d’un bras robotisé pour réaliser successivement la sous-couche nanostructurée<br />

puis la couche microstructurée en une seule étape permet d’améliorer l’adhérence du<br />

bicouche.<br />

La conductivité thermique globale des bicouches est de l’ordre de 1 W.m -1 .K -1 ; elle est<br />

proche des valeurs les plus basses publiées dans la littérature (environ 0,8 W.m -1 .K -1 ) pour les<br />

barrières thermiques. Cette valeur est obtenue grâce à la conductivité thermique de la sous-<br />

- 216 -

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