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Elaboration par projection plasma d'un revêtement céramique sur ...

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Chapitre V : Le système bicouche, solution innovante pour l’optimisation de l’adhérence<br />

avec différentes épaisseurs de sous-couche ont été réalisés pour déterminer l’influence<br />

éventuelle de cette épaisseur <strong>sur</strong> l’adhérence du système bicouche. De plus, afin d’obtenir une<br />

valeur de com<strong>par</strong>aison pour l’adhérence du bicouche, des dépôts microstructurés ont été<br />

réalisés <strong>sur</strong> des substrats Haynes ® 230 préalablement sablés pour obtenir une rugosité de<br />

<strong>sur</strong>face Ra présentant un rapport de 4 à 5 avec la taille des <strong>par</strong>ticules à l’impact (Ra= 5,6 µm),<br />

alors que la rugosité de <strong>sur</strong>face pour la réalisation du bicouche est conservée à 0,5 µm. Les<br />

me<strong>sur</strong>es d’adhérence du bicouche <strong>par</strong> le test de traction (ASTM Standard C633-79 [201]) sont<br />

présentées <strong>sur</strong> la Figure E.2-6.<br />

Adhérence en traction (MPa)<br />

35<br />

30<br />

25<br />

20<br />

15<br />

10<br />

5<br />

0<br />

<strong>plasma</strong> ternaire<br />

<strong>plasma</strong> binaire<br />

sans 20 60 100<br />

Epaisseur de la sous couche (µm)<br />

Figure E.2-6 : Variation de l’adhérence du système bicouche avec l’épaisseur de la souscouche<br />

nanostructurée pour les deux mélanges de gaz <strong>plasma</strong>gènes étudiés à une<br />

distance de <strong>projection</strong> de 100 mm et une température de préchauffage de 200°C.<br />

Les essais ont été effectués à une distance de <strong>projection</strong> de 100 mm et avec un préchauffage<br />

de la sous-couche, ou du substrat seul dans le cas du revêtment sans sous-couche, à 200°C.<br />

Une différence notable ap<strong>par</strong>aît entre l’adhérence de la couche de zircone microstructurée<br />

projetée directement <strong>sur</strong> un substrat sablé, et les bicouches. Aussi, l’adhérence des couches<br />

réalisées avec le mélange ternaire (Ar-H2-He) est toujours inférieure à celle des couches<br />

réalisées avec le mélange binaire (Ar-H2). Cette différence peut s’expliquer <strong>par</strong> la différence<br />

des <strong>par</strong>amètres des <strong>par</strong>ticules à l’impact. En effet, avec le mélange de gaz <strong>plasma</strong>gène ternaire<br />

les <strong>par</strong>ticules ont une vitesse et une température plus faibles, et donc une énergie cinétique<br />

plus faible et une viscosité légèrement plus élevée ce qui peut limiter leur étalement à l’impact<br />

et diminuer la qualité de contact lamelle/aspérités de la <strong>sur</strong>face. De plus, la variation<br />

d’épaisseur de la sous-couche entraine une modification de l’adhérence (adhérence plus faible<br />

pour une épaisseur de 20 µm), ce qui laisse penser à une fragilisation de cette dernière lors de<br />

la procédure de dépôt de la couche microstructurée <strong>par</strong> impact de <strong>par</strong>ticules infondues à la<br />

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