Anexo 7: Diodos-FETs

INTRODUCCIÓN BÁSICA A DIODOS Y FETS- Transistores de efecto de campo (FETs)FET DE CANAL N:• Si V GS (NMOS) > V T (NMOS) > 0:D (drenador) Se forma canal de conducción (ON): I D > 0I D > 0IEn estas condiciones el NMOS se comportaG (puerta) DCANAL Naproximadamente como un interruptor cerrado.• Si V GS (NMOS) < V T (NMOS) :S (fuente)V GS = V G - V SNo hay canal de conducción (OFF): I D = 0I D = 0En estas condiciones el NMOS se comportaaproximadamente como un interruptor abierto.• Si V GS (PMOS) < V T (PMOS) < 0:FET DE CANAL P: Se forma canal de conducción (ON): I D > 0I D > 0DEn estas condiciones el PMOS se comportaaproximadamente como un interruptor cerrado.I DG++--V GS = V G - V SCANAL PS• Si V GS (PMOS) > V T (PMOS) :No hay canal de conducción (OFF): I D = 0En estas condiciones el PMOS se comportaaproximadamente como un interruptor abierto.I D = 0DR DS ON (NMOS) → 0SDR DS OFF (NMOS) → ∞SDR DS ON (PMOS) → 0SDR DS OFF (PMOS) → ∞S