Equationy=y0 + (A/(w*sqrt(PI/2)))*exp(-2*((x-xc)/w)^2)Adj. R-Squar 0.90022Value Standard ErroB y0 3.08693 1.65855B xc 1.54595 0.04519B w 1.18962 0.13158B A 38.5262 5.56421B sigma 0.59481B FWHM 1.40067B Height 25.8397Jóvenes a <strong>la</strong> Investigación <strong>2009</strong> 15 de junio – 3 de julio del <strong>2009</strong>Piezocerámicas Libres de Plomo K 0.5 Na 0.5 Nb 0.9 Ta 0.1 O 3Silvia Estefanía Valerdi Monroy 1,2 , Jorge Portelles 2,31Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de B.C.,Ensenada2Centro de Nanociencias y Nanotecnología, Ensenada, Baja California.3Facultad de Física, Universidad de La Habana, Cuba.Mediante el método cerámico tradicional se obtiene y caracteriza una cerámica libre de plomo del tipo K 0.5 Na 0.5 Nb 0.9 Ta 0.1 O 3 (KNNTa10%). Se verifica ello, en <strong>la</strong> medición realizada depermitividad y pérdidas dieléctricas vs temperatura, obteniendo dos fases: ortorrómbica-tetragonal (186 o C) y tetragonal-cúbica (355 o C) en correspondencia con otros trabajosinternacionales. La morfología obtenida presenta tamaños de granos cúbicos, simi<strong>la</strong>r a lo reportado, pero con menor tamaño promedio del grano: 1,4 µm. Las curvas de histéresisrealizadas a 1.8 KV/mm a temperatura ambiente, muestran un ferroeléctrico del tipo duro de gran valor de campo coercitivo (Ec= 0,8 KV/mm) y buenos valores de po<strong>la</strong>rizaciónremanente Pr=22 μC/cm 2 . Los resultados antes mencionados corroboran con éxito <strong>la</strong> obtención del sistema KNNTa10% con parámetros físicos acorde a otros reportes. Se enfatizaen esta investigación <strong>la</strong> posibilidad de un sustituto del PZT , el sistema KNNTa10%.INTRODUCCIÓNLas cerámicas piezoeléctricas más difundidas en cuanto aplicaciones son <strong>la</strong> familia de los PZT, <strong>la</strong>s cuales sonampliamente utilizadas en sensores, actuadores, así como en dispositivos microelectrónicos, transductoreselectromecánicos , debido a sus excelentes características piezoeléctricas.No obstante, este sistema presenta un 60 % en plomo en su composición, el cual causa grandes problemas detoxicidad y contaminación del medio ambiente. Por ello, recientemente este sistema ha sido eliminado en <strong>la</strong>saplicaciones comerciales por diversas regu<strong>la</strong>ciones internacionales para <strong>la</strong> conservación y preservación del medioambiente en <strong>la</strong> Unión Europea y países asiáticos [1]. Consecuentemente <strong>la</strong> comunidad científica se ha propuestodesarrol<strong>la</strong>r piezocerámicas libres de plomo con características piezoeléctricas simi<strong>la</strong>res al PZT. El año pasadoDunmin Lin y co<strong>la</strong>boradores, [2] lograron excelentes materiales basados en K 0.5 Na 0.5 Nb 0.9 Ta 0.1 O 3 ( KNNTa10%) conbuenas características piezoeléctricas, considerándose este sistema como uno de los candidatos a sustituto másprometedores. En <strong>la</strong> actualidad una gran cantidad de autores han publicado varios trabajos, utilizado este sistemacon diferentes aditivos.Imagen de SEM, D.R.X y propiedades dieléctricasvs temperatura del KNNTa10%, tomado deDunmin Lin y otros [Appl.Phys.A 91,167-171(2008)].DESARROLLOLa cerámica (K0.5Na0.5) (Nb1−xTax) O3 (KNNTa10%) fue fabricada por el método cerámica convencionalpartiendo del uso de óxidos de alta pureza: Na2CO3 (99.8%), K2CO3 (99.9%), Ta2O5 (el 99%) y Nb2O5(99.95%).La composición fue preparada siguiendo <strong>la</strong> reacción química:0.48KNbONaTaO → K Na Nb Ta O3+ 0.42NaNbO3+ 0.04LiTaO3+ 0. 0630.50.50.90.13Imágenes EDS y SEM del KNN Ta10% obtenidoLos polvos fueron mezc<strong>la</strong>dos y calcinados a 880 ◦ C por 2h. Se prensaron a 2 Ton/cm 2 y sinterizados a1140por 2 h en aire. Se le depositaron electrodos de p<strong>la</strong>ta por difusión en calor a 700 o C. Las muestras calcinadasfueron examinadas utilizando un difractómetro Philips con radiación CuK α . Las microestructura y morfologíafueron estudiadas usando un microscopio electrónico de barrido Jeol JSM 5300. Las mediciones eléctricasse realizaron en el rango de frecuencias de 200 Hz a 1 MHz y en el rango de temperaturas desde 25-500 o Ccon un barrido de 1 o C/min, utilizando un metro RLC HP4284 a 1 V. La histéresis dieléctrica fue medidautilizando un Radiant Technologies, Inc. Precisión 4kv HVI.Tanδ0.300.250.200.15500 Hz10005000100005000010000050000010000003CONCLUSIONES0.10F302520151050ε r2500200015001000500D=1.4 μm0.5 kHz1.05.010.050.0100.01000.0T O-T =186 o C100 200 300 400 500TemperaturaT T-C =355 o CHistograma de tamaño delgrano de KNNTa10%0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5D (μm)4030P (μC/cm 2 )20Permitividad y pérdidas dieléctrica vstemperatura del sistema obtenido KNNTa10%o100-10-20-30-400.050.001.8 kV/mm1.71.6-2000 -1000 0 1000 2000Curva de Histéresis100 200 300 400Temperatura ( o C)E (V/mm))AgradecimientosAl los Investigadores Dr. Jorge Portelles, Dr. Oscar Raymond: alIng. Israel Gradil<strong>la</strong> por los análisis de SEM y EDS, a EloisaAparicio por su apoyo en <strong>la</strong> realización de DRX, a todo el personaldel Centro de Nanociencias y Nanotecnología por estaoportunidad, a mis seres queridos, y al programaPapimePE100409Se obtiene una cerámica piezoeléctrica libre de plomo en nuestros <strong>la</strong>boratorios,ello se verifica por:1. Se obtiene desde <strong>la</strong> calcinación el patrón de D.R.X reportado por otrosautores.2. Se verifica el resultado anterior con el análisis termoeléctrico, observándoseque se obtienen <strong>la</strong>s dos transiciones reportadas para este compuesto:Ortorrómbica-tetragonal, y Tetragonal-Cubica, concordando este resultado conotros reportes internacionales.3. La morfología obtenida, muestra forma de granos cúbicos, pero con tamañosde granos más pequeños que otros reportes.4. La característica de histéresis, muestra el carácter de un ferroeléctrico duro,con valores de po<strong>la</strong>rización remanente de 22 µC/cm2 y campos coercitivosgrandes 0.8 kV/mmBibliografía[1]fttp://europea.eu.int/comm/enterprise/electr_equipment/eee/index.htm[2] Dunmin Lin [Appl.Phys.A 91,167-171(2008)],[3] Yunfei Chang, Zu-pei Yang, Difei Ma, Zonghuai Liu, ZenglinWang [Journal of apllied Physics 104, 024109(2008)][4] Programa Scion Image.JCPDS No.33-1270Centro de Nanociencias y Nanotecnología, <strong>UNAM</strong>Ensenada, BC, México
Jóvenes a <strong>la</strong> Investigación <strong>2009</strong> 15 de junio – 3 de julio del <strong>2009</strong>Estructura Electrónica del WON 2Nadia Sarait Vertti Quintero a , Armando Reyes Serrato ba Instituto Tecnológico y de Estudios Superiores de Monterrey Ave. Eugenio Garza Sada 2501 Sur, Col. Tecnológico C.P. 64849, Monterrey, N.L., Méxicob Centro de Nanociencias y Nanotecnología-<strong>UNAM</strong> Km. 107 Carretera Tijuana-Ensenada CP. 22800 Ensenada, B.C. MéxicoResumenEn el presente trabajo se encuentra el análisis del compuesto WON 2 , mediante cálculos deprimeros principios haciendo uso del programa WIENK2 ejecutado en unamicrocomputadora. Se obtuvo <strong>la</strong> densidad de carga y <strong>la</strong> estructura de bandas de lo cual sededuce que es un metal.IntroducciónLa búsqueda de nuevos materiales es importante para satisfacer <strong>la</strong>s necesidades que los materialesactuales no cumplen. En este esfuerzo, una manera de hacerlo es analizar el material propuestomediante cálculos teóricos. Éstos nos permiten entender el comportamiento físico de dicho compuesto;normalmente el cálculo de su estructura electrónica y de estabilidad son primordiales. En este trabajose presentan los resultados obtenidos mediante el uso de <strong>la</strong> herramienta WIEN2K para conocer <strong>la</strong>MetodologíaSe utilizó el programa WIEN2K para el análisis de <strong>la</strong> estructura electrónica del WON 2 . El cálculo sehizo por el método de linealización de ondas p<strong>la</strong>nas aumentadas (LAPW) basado en <strong>la</strong> teoría delfuncional de densidad (DFT). Esta teoría nos permite transformar un problema de muchos electronesen un problema de electrones que no interaccionan entre sí y que se encuentran en un campoautoconsistente. [1]Distribución de cargaLa densidad de carga electrónica es <strong>la</strong> probabilidad de encontrar un electrón en cierta locación. Enmolécu<strong>la</strong>s, es <strong>la</strong> combinación de los electrones de valencia de sus átomos, por lo que <strong>la</strong>s regiones dedensidad de electrones son encontradas alrededor de ellos. Se graficaron diferentes isosuperficies adiferentes valores de densidad de carga, así como una gráfica topográfica sobre un p<strong>la</strong>nocristalográfico.Estructura CristalinaEl grupo espacial que se utilizó fue el No. 225(Fm3m) el cual presenta características desimetría cúbica.Parámetros de Reda = b = c = 4.999 ÅO {z= 8} (0, 0, 0)W {z=74} (0.5, 0.5, 0.5)N {z= 7} (0.25, 0.25, 0.25)(0.75, 0.75, 0.75)Los radios para <strong>la</strong>s esperas de Muffin-Tinfueron:RMTo = 2.0 ÅRMT W = 2.16 ÅRMT N = 1.91 Åestructura de bandas y <strong>la</strong> distribución de carga en el cristal del WON 2Figura 1 Celda convencional del WON 2Figura 2 Isosuperficie de 0.04 e/ Å 3 Figura 3 Isosuperficie de 0.05 e/ Å3 Figura 4 Isosuperficie de 0.07 e/ Å 3Figura 5 Isosuperficie de 0.1 e/ Å 3Figura 6 Gráfica de <strong>la</strong> densidad de cargaEstructura de BandasEl so<strong>la</strong>pamiento de <strong>la</strong>s bandas que están alrededor de <strong>la</strong> Energía de Fermi, <strong>la</strong> ocupación de el<strong>la</strong>s engeneral y el ancho de <strong>la</strong> banda prohibida determinan el comportamiento metálico, semiconductor oais<strong>la</strong>dor del material. Las gráficas presentadas muestran <strong>la</strong>s estructuras de bandas del WON 2 calcu<strong>la</strong>daa lo <strong>la</strong>rgo de <strong>la</strong>s líneas de alta simetría, como se indica en <strong>la</strong> primera zona de Brillouin. Se encontróque tiene un comportamiento metálico.ConclusionesGracias al análisis de distribución de carga asícomo de <strong>la</strong> estructura de bandas podemos notarque el compuesto tienen un comportamientometálico.Cabe mencionar que es necesario aún haceranálisis de estabilidad del compuesto, así comode conductividad y resistencia para conocermejor su realidad física.Agradecimientos:Proyecto PAPIME PE100409Dr. Hugo A<strong>la</strong>rcón y mi familiapor todo su apoyoFigura 8 Primera zona de Brillouin (225) [2]Figura 7 Estructura de bandasReferencias:[1] Perdew, John P.. "Some Sundamental Issues in Ground-State DensityFunctional Theory: A guide for the perplexed." Journal of ChemicalTheory and Computation 5(<strong>2009</strong>): 903. Print[2] Bilbao Crystallographic Server." The k-vector types and Brillouin zonesof the space groups. 26 Jun <strong>2009</strong> Centro de Nanociencias y Nanotecnología de <strong>la</strong> <strong>UNAM</strong>Ensenada, BC, México