Jóvenes a <strong>la</strong> Investigación <strong>2009</strong> 15 de junio – 3 de julio del <strong>2009</strong>A. J. Gutiérrez GómezG1 , W. de <strong>la</strong> Cruz Hernándezndez 2 , O.E. . Contreras LópezL2 , L. Morales de <strong>la</strong> Garza 21Universidad de Guada<strong>la</strong>jara, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingenierías (CUCEI); Av. Marcelino García a Barragán n #1421, C.P. . 44430, Guada<strong>la</strong>jara,Jalisco, México. M2Universidad Nacional Autónoma de México, MCentro de Nanociencias y Nanotecnología;a; Km 107 Carretera Tijuana-Ensenada, Apdo. Postal 356, C.P. . 22800,Ensenada, Baja California, México. MResumen En este trabajo analizamos un LED (del inglés Light Emitting Diode) que es un dispositivo que tiene un amplio uso en <strong>la</strong>actualidad. Podemos localizarlos en cualquier tipo de aplicaciones; de encendido/apagado, semáforos y otros dispositivos deseñales de tránsito, en pantal<strong>la</strong>s de cristal liquido, como celu<strong>la</strong>res o calcu<strong>la</strong>doras, entre otros usos simi<strong>la</strong>res [1] . En específico,analizamos un LED (figura 1) que emite en el azul de InGaN/GaN dopado con Mg y depositado sobre sustrato de Si(111) [2]Desarrollo Mediante <strong>la</strong> Espectroscopía de Electrones Auger (l<strong>la</strong>mada AES Auger Electron Spectroscopy por su nombre en inglés)obtenemos información acerca de <strong>la</strong> composición de <strong>la</strong> muestra, <strong>la</strong> cual está estructurada por multicapas, algunas de estasdel orden de 20 nm, figura 2.(a)(b)Fig. 1 Esquema del dispositivoLED.Fig. 2 AES de (a) Superficie original, (b) Superficie (limpieza) después de una erosión de 5 minutos coniones Ar.El dispositivo LED analizado tiene un dopaje de 10 19 átomos deMg por cm 3 lo que representa una cantidad muy por debajo de <strong>la</strong>sensibilidad de AES, por lo que el Mg fue detectado mediante <strong>la</strong>Espectroscopía de Masas de Iones Secundarios (SIMS,Secondary Ion Mass Spectroscopy por su nombre en inglés),figura 5.Se llevó a cabo un perfil de composición (figura 3)empleando erosión iónica, con Iones de Argón, ymonitoreando <strong>la</strong>s señales de los elementos del dispositivo,Ga, N, In, y Al, este último se encuentra en una capa muydelgada y no se detectó durante <strong>la</strong> erosión iónica.Al finalizar <strong>la</strong> erosión iónica se obtuvieron espectros Augerde <strong>la</strong>s diferentes zonas del cráter formado, y se observóc<strong>la</strong>ramente <strong>la</strong>s diferentes capas del LED en donde seaprecia <strong>la</strong> presencia de Al. Se obtuvo una imagen de SEM(del inglés Scanning Electron Microscopy), en dondeobservamos <strong>la</strong> dimensión del cráter del orden de 120 μm yse aprecia el contraste de <strong>la</strong>s diferentes capas deldispositivo, figura 4 (a). El Si no se observó ya que no sellegó hasta el sustrato durante <strong>la</strong> erosión iónica.Fig. 5 Espectroscopía de Masas de IonesSecundarios.Fig. 3 Perfil de composición durante <strong>la</strong>erosión.(b)Conclusiones Se muestra <strong>la</strong> utilidad de AES y SIMS para el análisis químicoestructural de superficies, lo cual es de suma importancia en elárea de control de calidad en <strong>la</strong> industria.(a)Agradecimientos Al Dr. Leonardo Morales, Dr. Wencel de <strong>la</strong> Cruz, Dr. Oscar EContreras y al Ing. Israel Gradil<strong>la</strong> por sus atenciones y su tiempo,al personal del <strong>CNyN</strong> por su amabilidad y al proyecto DGAPA-PAPIME PE100409 por hacer esto posible.Fig. 4(a) MicrografíaSEM.(b) Señal AES deAl.(c) Señal AES deIn.(c)Bibliografía[1] http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_LED[2] “Bright, Crack-Free InGaN/GaN Light Emitters on Si (111)”,A. Dadgar, et al., Phys. Stat. Solidi, (a) 192, No. 2, 308-313,(2002)Centro de Nanociencias y Nanotecnología de <strong>la</strong> <strong>UNAM</strong>Ensenada, BC, México
Jóvenes a <strong>la</strong> Investigación <strong>2009</strong> 15 de junio – 3 de julio del <strong>2009</strong>Centro de Nanociencias y Nanotecnología de <strong>la</strong> <strong>UNAM</strong>Ensenada, BC, México
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