Jóvenes a la Investigación 2009 - CNyN - UNAM

Jóvenes a la Investigación 2009 815 de junio – 3 de julio del 2009Estudio de las Características Estructurales y Electrónicas del Nitruro de ZincFabian Herrera Rodríguez 1 Dra. Guadalupe Moreno Armenta 2Universidad Autónoma de Baja California; Fac. de Ciencias Químicas e Ingeniería;Tijuana, B. C. México 1Centro de Nanociencias y Nanotecnología; UNAM, Ensenada, B.C. México 2Los compuestos del zinc son muy investigados, debido a sus significativas propiedades. Elóxido de zinc (ZnO), es un semiconductor con banda prohibida directa de alrededor de 3.2eV, ha recibido la atención durante mucho tiempo por sus aplicaciones: como dispositivosópticos, sensores de gas, electrodos conductores trasparentes, dispositivos optoelectrónicoscon emisión en el intervalo de longitudes de onda cortas y ventanas ópticas, usadas en celdassolares. Actualmente la investigación del nitruro de zinc (Zn 3 N 2 ) se ha incrementadomotivado por aplicaciones potenciales en la ingeniería de dispositivos. Por ejemplo losnanoalambres de Zn 3 N 2 presentan emisión en el azul. Este compuesto puede ser oxidado paraobtener oxinitruros de zinc con lo cual se puede modificar la banda prohibida de amboscompuestos (ZnO y Zn 3 N 2 ) obteniendo nuevas propiedades.En este proyecto se realizaron cálculos ab initio para el volumen, la energía total y laspropiedades estructurales y electrónicas del compuesto: Zn 3 N 2 , como una variante delmismo se realizaron los mismos cálculos para el compuesto Oxinitruro de Zinc (Zn 6 N 3 O 1 ).Como primera parte se estudiará el compuesto Zn 3 N 2 , del cual ya existen trabajosreportados. Posteriormente el trabajo estará enfocado a estudiar los cambios electrónicos queocurren en la red del nitruro de zinc al ir incorporando el oxigeno. Se estudiaron suspropiedades electrónicas, esto es con la finalidad de analizar los cambios que ocurren en elsistema conforme se sustituyen oxígenos por nitrógenos (Zn 6 N 3 O 1 ).Agradecimientos:Al Dr. J. M. Quintana por hacer difusión e invitación a este evento en la UABC, al Dr.Gerardo Soto por su asistencia técnica, al comité organizador de jóvenes a la investigaciónpor brindarme la oportunidad de ser participe del evento, al Proyecto PAPIME PE100409 yal centro de supercómputo DGSCA-UNAM.REFERENCIAS: Masanobu Futsuhara, Katsuaki Yoshioka, Osamu Takai, “Structural,electrical and optical properties of zinc nitride thin films prepared by reactive rf magnetronsputtering” Thin Solid Films 322 1998. 274–281.Fujian Zong,a Honglei Ma, Jin Ma, Wei Du, Xijian Zhang, Hongdi Xiao, and FengJi, Chengshan Xue “Structural properties and photoluminescence of zinc nitride nanowires”APPLIED PHYSICS LETTERS 87, 233104 2005Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAMEnsenada, BC, México