SimulaciÃ³n AtomÃstica de Procesos en MicroelectrÃ³nica

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Dinámica MolecularConstante de difusión (D)Relación de Einstein: D = lim∑ r i (t) – r i (0) 2 /6tt→∞1614∑ |ri(t)-ri(0)| 2 (Å 2 )1210864200 5 10 15 20Tiempo (ns)D = 1.09x10 -8 cm 2 /sDifusión de un intersticial a T = 800 ºC
Dinámica MolecularEnergía de migración y prefactorComportamiento tipo Arrhenius: D = D 0exp(-E M/k BT)1 -70D (cm 2 /s)1 -80D 0= 2x10 -4 cm 2 /sE M= 0.87 eV01 -98 9 10 11 12 13 141/k B T
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