Descarregar extracte - e-BUC

388 Dispositius electrònics i fotònicsAPÈNDIX B. CONSTANTS, UNITATS I PARÀMETRESMagnitud Símbol ValorNombre d'Avogadro N Av 6.022·10 23 mol -1Constant de Boltzmann k B 1.38·10 -23 J/Kk B8.62·10 -5 eV/KCàrrega de l'electró q 1.602·10 -19 CElectróVolt eV 1.602·10 -19 JMassa electró en repós m 0 0.911·10 -30 kgPermeabilitat en el buit µ 0 1.262·10 -8 H/cm (4π·10 -9 )Constant dielèctrica del buit ε 0 8.854·10 -14 F/cmConstant de Plank h 6.626·10 -34 J·sVelocitat de la llum c 2.998·10 8 m/sTensió tèrmica a 300K V t (300K) = k B T/q 0.02586 Vk B T (300K)0.02586 eV1 Àngstrom 1 Å 1·10 -8 cm1 micròmetre 1 µm 1·10 -4 cm1 polzada (inch) 1 in ó 1" 2.54 cmMagnitud Si Ge GaAs AlAs GaP InP InGaAsE g (eV) 1.11 0.67 1.424 2.16 2.26 1.35 0.75Tipus de gap ind. ind. dir. ind. ind. dir. dir.Afinitat qχ (eV) 4.05 4.13 4.07 4.3 4.4 4.6Constant de xarxa a(Å) 5.43 5.66 5.65 5.66 5.45 5.87 5.87Densitat (g/cm 3 ) 2.33 5.32 5.31 3.60 4.13 4.79Temp. fusió (ºC) 1415 936 1238 1740 1467 1070ε r 11.8 16 13.2 10.9 11.1 12.4 13.5m n /m 0 1.18 0.55 0.063 0.08 0.045m p /m 0 0.81 0.3 0.53 0.869 0.535N c (10 18 cm -3 ) 3.22·10 19 1.04·10 19 4.7·10 17 5.68·10 17 2.8·10 7N v (cm -3 ) 1.83·10 19 6.0·10 18 7·10 18 6.35·10 19 6·10 18n i (cm -3 ) 1.02·10 10 2.33·10 13 2.1·10 6 1.0·10 7 6.5·10 11µ n (cm 2 /Vs) 1450 3900 8500 180 300 4600 13800µ p (cm 2 /Vs) 500 1900 500 150 150 100Cond. tèrm. (W/cm·ºC) 1.31 0.6 0.54 0.8 0.97 0.68 0.26* El semiconductor compost Al x Ga 1-x As té els paràmetres en funció de xEg= 1.424+ 1.247x( gap indirecte fins a x = 0.4) qχ= 4.07 −1.1xεr= 13.1−3. 12x* En el semiconductor compost GaAs 1-x P x el gap varia linealment entre x=0 (GaAs, Eg =1.424 eV) i x=0.45 (Eg = 2 eV). En aquest interval el gap és de tipus directe.* Les dades del semiconductor compost In x Ga 1-x As corresponen a un valor de x = 0.53.© Els autors, 2006; © Edicions UPC, 2006