Descarregar extracte - e-BUC

8 Dispositius electrònics i fotònics4.3 Dispositius emissors de radiació: LEDs i lasers................................................ 2134.4 Altres dispositius optoelectrònics: CCDs, fibre òptiques, LCDs........................ 228Problemes proposats .............................................................................................. 237Formulari del capítol 4............................................................................................. 238Capítol 5: El transistor bipolar5.1 Introducció......................................................................................................... 2415.2 El transistor bipolar ideal en règim permanent.................................................. 2505.3 El transistor bipolar real..................................................................................... 2625.4 El transistor bipolar en règim dinàmic ............................................................... 2745.5 El transistor bipolar com amplificador ............................................................... 2845.6 Altres transistors bipolars: El transistor bipolar d'heterojunció,el fototransistor, el transistor PNP...................................................................... 294Problemes proposats .............................................................................................. 301Formulari del capítol 5............................................................................................. 302Capítol 6: Transistors d'efecte de camp6.1 Electrostàtica del sistema metall-òxid-semiconductor ...................................... 3036.2 El transistor MOS en polarització contínua....................................................... 3256.3 Símbols circuitals .............................................................................................. 3346.4 Tecnologia MOS................................................................................................ 3376.5 Efectes no ideals en transistors MOS ............................................................... 3426.6 Capacitats en el transistor MOS ....................................................................... 3506.7 Model dinàmic del transistor MOS .................................................................... 3546.8 Altres transistors d'efecte de camp: el MESFET i el JFET ............................... 359Apèndix 6.1: Relació entre càrrega i potencial en el semiconductor ...................... 374Apèndix 6.2: Models SPICE per transistors MOS................................................... 376Problemes proposats .............................................................................................. 378Formulari capítol 6................................................................................................... 379ApèndixA. Resolució d'equacions diferencials..................................................................... 383B. Constants, unitats i paràmetres .......................................................................... 388C. El qüestionari interactiu DELFOS ...................................................................... 389Index alfabètic .................................................................................................................... 393© Els autors, 2006; © Edicions UPC, 2006