Descarregar extracte - e-BUC

6 Transistors d'efecte de camp 3076.1.2 El sistema metall-òxid-semiconductor en equilibriL’anàlisi de la formació de la capa conductora en la regió de canal és més fàcil en unaestructura formada únicament per les regions de porta, òxid i substrat (estructura MOS).Aquest sistema pot ser vist com un condensador, en el qual l’estudi de la càrregaacumulada a “l’armadura” constituïda pel silici permetrà entendre la formació del canal. Eldiagrama de bandes de l’estructura determina la distribució de càrrega. Considerarem,inicialment, silici de tipus P i un metall amb una funció treball més petita que la delsemiconductor, qΦ m