Descarregar extracte - e-BUC

Index 7INDEXCapítol 1: Propietats elèctriques dels semiconductors1.1 Materials semiconductors.................................................................................... 111.2 Concentracions de portadors en equilibri. El nivell de Fermi.............................. 261.3 Corrents en semiconductors ............................................................................... 361.4 Equacions de continuïtat..................................................................................... 461.5 Camps i càrregues en un semiconductor............................................................ 561.6 Diagrama de bandes d'energia d'un semiconductor........................................... 62Apèndix 1.1: Efectes d'alt dopatge............................................................................ 68Apèndix 1.2: Algunes implicacions de la naturalesa quàntica de l'electró................ 69Problemes proposats ................................................................................................ 73Formulari del capítol 1............................................................................................... 74Capítol 2: La junció PN2.1 Diagrama de bandes d'energia i efecte rectificador............................................ 772.2 Anàlisi de la zona de càrrega d'espai.................................................................. 842.3 Distribució de portadors i de corrent en règim permanent.................................. 922.4 Característica corrent tensió del díode ............................................................. 1022.5 Model dinàmic del díode ................................................................................... 1122.6 El díode en commutació i en petit senyal............................................ ..............1212.7 Contactes metall semiconductor ....................................................................... 1252.8 El díode d'heterojunció...................................................................................... 135Apèndix 2.1: La velocitat de recombinació superficial ............................................ 139Problemes proposats............................................................ .................................. 140Formulari del capítol 2............................................................................................. 141Capítol 3: Tecnologia de fabricació3.1 Integració d'un circuit en silici............................................................................ 1453.2 Etapes de processos de fabricació ................................................................... 1553.3 Seqüència d'etapes de fabricació d'un circuit integrat ...................................... 173Notes per una perspectiva històrica........................................................................ 178Capìtol 4: Dispositius optoelectrònics4.1 Radiació electromagnètica i semiconductors.................................................... 1834.2 Dispositius receptors de radiació: fotoconductors, fotodíodes i cèl·lulesfotovoltaiques .................................................................................................... 196© Els autors, 2006; © Edicions UPC, 2006