Descarregar extracte - e-BUC

4 Dispositius optoelectrònics 1891.24 eV × µ mE > E g ⇔ λ ≤ λmax=(4.8)EPer a cada aplicació caldrà escollir el semiconductor amb el gap més adaptat a la radiaciódel problema. La taula 4.2 presenta una llista de semiconductors i el seu marge d'aplicacióen detecció de llum.gTaula 4.2 Semiconductors per a la detecció de llum. Els semiconductors de gap molt petit,com InAs, InSb o HgCdTe, han de treballar a temperatures baixes per tal de reduir laconcentració intrínseca de portadors, que emmascararia les concentracions de portadorsfotogenerats. La temperatura de 77 K és aproximadament la del nitrogen líquid a pressióatmosfèrica.EXEMPLE 4.4Les longituds d’ona d' 1.3 µm i 1.5 µm són utilitzades en comunicacions per fibra òptica. Elssemiconductors utilitzats per detectar els senyals han de tenir amplades de banda prohibidano superiors a 0.95 eV i 0.83 eV, respectivament.Exercici 4.6La fibra òptica també transmet bé la radiació de 0.8 µm de longitud d’ona. Podríem detectarsenyals transmesos amb aquesta llum fent servir un dispositiu de GaAs?Solució: síLa relació entre el flux de fotons Φ 0 (cm -2 s -1 ) i la densitat de potència P (W/cm 2 ) de laradiació incident és:© Els autors, 2006; © Edicions UPC, 2006