Descarregar extracte - e-BUC

Descarregar extracte - e-BUC Descarregar extracte - e-BUC

11.07.2015 Views

4 Dispositius optoelectrònics 187Nom Longitud d'ona (µm) Energia del fotó (eV)Raigs còsmics < 3×10 -7 > 4.1×10 6Raigs gamma 10 -8 a 8×10 -3 1.24×10 8 a 155Raigs X 2×10 -6 a 0.2 6.2×10 -5 a 6.2Ultraviolat extrem 0.01 a 0.2 124 a 6.2llunyà 0.2 a 0.3 6.2 a 4.13proper 0.3 a 0.39 4.13 a 3.18Visibleviolat 0.39 a 0.455 3.18 a 2.73blau 0.455 a o.492 2.73 a 2.52verd 0.492 a 0.577 2.52 a 2.15groc 0.577 a 0.597 2.15 a 2.08taronja 0.597 a 0.622 2.08 a 1.99roig 0.622 a 0.77 1.99 a 1.61Infraroigpropermitjàllunyà0.77 a 1.5 1.61 a 0.8271.5 a 6 0.827 a 0.2076 a 40 0.207 a 0.031extrem 40 a 10 3 0.031 a 0.00124Ones mil·limètriques 10 3 a 10 4 1.24×10 -3 a 1.24×10 -4Microones 10 4 a 3×10 6 1.24×10 -4 a 4.13×10 -7Ones de ràdio 3×10 6 a 2×10 11 4.13×10 -7 a 6.2×10 -12Oscil·lacions elèctriques >2×10 11

188 Dispositius electrònics i fotònicsEXEMPLE 4.3Els fotons de la radiació per la qual la corba normal de sensibilitat té un màxim tenen unaenergia 1.24/0.555 = 2.23 eV.Exercici 4.5Calculeu l’energia dels fotons dels extrems de l’espectre visible (vegeu taula 4.1).Solució: 1.61 eV en l’extrem roig i 3.18 eV en l’extrem blau.QÜESTIONARI 4.1a1. Prenent com a valors límits de longitud d'ona de l'espectre visible 0.4 µm i 0.7 µm,determineu els límits en freqüència en Hz. Dades: velocitat de la llum en el buit: c =3×10 10 cm/s.a) 7.5×10 14 , 4.3×10 14 b) 7.5×10 12 , 4.3×10 12c) 7.5×10 12 , 4.3×10 14 d) 4.3×10 12 , 7.5×10 142. Quants fotons per centímetre quadrat i per segon incideixen en una superfície querep una radiació d' 1 mW/cm 2 de llum de 0.65 µm de longitud d'ona? Dada: hc = 1.24eV·µm.a) 3.3×10 18 b) 3.3×10 12 c) 3.3×10 15 d) 3.3×10 213. Determineu la velocitat de la llum en l'òxid de silici. Dades: constant dielèctricarelativa de l'òxid de silici: ε r = 3.9; permitivitat del buit: ε 0 = 8.85×10 -14 F/cm;permeabilitat magnètica relativa µ r = 0.55; permeabilitat magnètica del buit µ 0 =4π×10 -7 Vs 2 C -1 .a) c/1.46 b) c×1.46 c) c/2.13 d) c×2.134.1.2 Interacció entre radiació electromagnètica i semiconductorsAbsorció de la llumEl procés més important d'absorció de la llum en un semiconductor és la creació de parellselectró-forat. Cada fotó absorbit provoca una transició de la banda de valència a la deconducció. Perquè un fotó sigui absorbit per un semiconductor cal que la seva energia siguimés gran que la de la banda prohibida del material:© Els autors, 2006; © Edicions UPC, 2006

4 Dispositius optoelectrònics 187Nom Longitud d'ona (µm) Energia del fotó (eV)Raigs còsmics < 3×10 -7 > 4.1×10 6Raigs gamma 10 -8 a 8×10 -3 1.24×10 8 a 155Raigs X 2×10 -6 a 0.2 6.2×10 -5 a 6.2Ultraviolat extrem 0.01 a 0.2 124 a 6.2llunyà 0.2 a 0.3 6.2 a 4.13proper 0.3 a 0.39 4.13 a 3.18Visibleviolat 0.39 a 0.455 3.18 a 2.73blau 0.455 a o.492 2.73 a 2.52verd 0.492 a 0.577 2.52 a 2.15groc 0.577 a 0.597 2.15 a 2.08taronja 0.597 a 0.622 2.08 a 1.99roig 0.622 a 0.77 1.99 a 1.61Infraroigpropermitjàllunyà0.77 a 1.5 1.61 a 0.8271.5 a 6 0.827 a 0.2076 a 40 0.207 a 0.031extrem 40 a 10 3 0.031 a 0.00124Ones mil·limètriques 10 3 a 10 4 1.24×10 -3 a 1.24×10 -4Microones 10 4 a 3×10 6 1.24×10 -4 a 4.13×10 -7Ones de ràdio 3×10 6 a 2×10 11 4.13×10 -7 a 6.2×10 -12Oscil·lacions elèctriques >2×10 11

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!