Descarregar extracte - e-BUC

3 Tecnologia de semiconductors 147Solució: 16.6 µmCas 2: un díode integratSuposem ara que el díode ha de formar part d'un circuit integrat. En aquest cas els dosterminals de contacte han de trobar-se en una mateixa cara, la superfície del xip (o del’oblia). Una alternativa a l'estructura de la figura 3.1.a és la representada en la figura 3.2.Per simplificar el dibuix s'ha pres la regió N molt dopada (N + ), de manera que no calgui undopatge addicional per fer el contacte òhmic damunt la regió N.Metall (terminal N ocàtode)Metall (terminal P oànode)SiO 2Si NSiO 2SiO 2Si N + Si P +Si PFigura 3.2 Tall esquemàtic d'un díode de junció PN + integratNotem que hem posat la regió P "encastada" dins un substrat N. La finalitat és quedispositius adjacents (dos díodes en el nostre cas) no tinguin les respectives regions Pcomunes, és a dir, curtcircuitades entre elles. D'aquesta manera, per anar de la regió P d’undíode a la regió P d’un altre caldrà travessar dues juncions PN, amb polaritats oposades. Ésuna tècnica habitual d'aïllar un dispositiu de l'altre pertanyent al mateix circuit integrat.Els elements nous que apareixen en la figura 3.2 en relació amb la 3.1 són els següents:a) Els dopatges que introduïm ja no afecten tota l'amplada del dispositiu, sinó únicamentcertes regions. La conseqüència és que haurem de trobar tècniques per definir les àreesseleccionades per dopar. Ho farem mitjançant dues operacions encadenades:- L'oxidació tèrmica del silici, que crearà una capa protectora contra l'entradad'impureses.- La fotolitografia (fotogravat, per ser més precisos), per eliminar aquesta capaprotectora de les regions on volem introduir dopants.Aquestes operacions seran descrites en els apartats corresponents.© Els autors, 2006; © Edicions UPC, 2006