Untitled - Materials Science Institute of Madrid - Consejo Superior de ...
Untitled - Materials Science Institute of Madrid - Consejo Superior de ...
Untitled - Materials Science Institute of Madrid - Consejo Superior de ...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
10. Determinación <strong>de</strong> la superficie <strong>de</strong><br />
Fermi <strong>de</strong> superconductores BISCO<br />
mediante fotoemisión <strong>de</strong> alta resolución<br />
en energía empleando la radiación sincrotrón<br />
En los últimos años en LURE, nuestro grupo ha <strong>de</strong>sarrollado<br />
un método alternativo al tradicional uso <strong>de</strong> la<br />
técnica <strong>de</strong> fotoemisión resuelta en ángulo (ARUPS), que<br />
permite <strong>de</strong>terminar directamente contornos <strong>de</strong> la<br />
Superficie <strong>de</strong> Fermi <strong>de</strong> materiales metálicos or<strong>de</strong>nados.<br />
Esta técnica consiste básicamente, en la obtención <strong>de</strong><br />
barridos automáticos <strong>de</strong> gran<strong>de</strong>s porciones <strong>de</strong>l espacio<br />
reciproco para una energía <strong>de</strong> fotoelectrón. En este<br />
caso po<strong>de</strong>mos obtener imágenes bidimensionales <strong>de</strong> la<br />
intensidad <strong>de</strong>l fotoelectrón en función <strong>de</strong>l vector <strong>de</strong><br />
onda paralelo a la superficie. Haciendo uso <strong>de</strong> la técnica<br />
ARUPS y empleando la radiación sincrotrón, hemos<br />
realizado un mapa completo en el espacio-k <strong>de</strong> la<br />
Superficie <strong>de</strong> Fermi <strong>de</strong> Bi2Sr2CaCu2O8+ (Bi2212),<br />
superconductor <strong>de</strong> alta temperatura para el dopaje<br />
óptimo <strong>de</strong> <strong>de</strong>nsida<strong>de</strong>s <strong>de</strong> huecos (Tc=91 K). Hemos<br />
medido la Superficie <strong>de</strong> Fermi <strong>de</strong> Bi2212 para una geometría<br />
par e impar empleando la técnica <strong>de</strong> fotoemisión<br />
<strong>de</strong> barrido en ángulo haciendo uso <strong>de</strong> la radiación<br />
sincrotrón. Hemos utilizado esta aproximación para<br />
discriminar los efectos <strong>de</strong> elemento matriz <strong>de</strong>bidos a la<br />
polarización <strong>de</strong>l haz. El resultado permite una i<strong>de</strong>ntificación<br />
clara <strong>de</strong> los elementos más relevantes relacionados<br />
con excitaciones <strong>de</strong> cuasi-partículas en los superconductores<br />
<strong>de</strong> alta temperatura [1-3].<br />
10. Fermi surface <strong>de</strong>termination <strong>of</strong> BISCO<br />
superconductors using a high energy<br />
resolution synchrotron radiation photoemission<br />
During the last few years at LURE, our group has <strong>de</strong>veloped<br />
an alternative method to the traditional angleresolved<br />
photoemission (ARUPS), which allows to <strong>de</strong>termine<br />
directly contours <strong>of</strong> the Fermi Surface <strong>of</strong> any or<strong>de</strong>red<br />
metallic material. This technique basically consists<br />
in scanning automatically large portions <strong>of</strong> the reciprocal<br />
space at fixed photoelectron energy. In this way we<br />
can record two-dimensional images <strong>of</strong> photoelectron<br />
intensity as a function <strong>of</strong> the wave vector parallel to the<br />
surface. By synchrotron radiation ARUPS, we have performed<br />
a complete k-space mapping <strong>of</strong> the Fermi<br />
Surface <strong>of</strong> a Bi2Sr2CaCu2O8+ (Bi2212) high Tc superconductor<br />
at the optimum doping hole <strong>de</strong>nsity (Tc = 91<br />
K). We have measured the Fermi surface <strong>of</strong> the Bi2212<br />
in the even (see figure below) and odd symmetry by<br />
angle scanning photoemission using a high intensity<br />
synchrotron radiation. We have used this approach to<br />
discriminate the matrix element effects due to polarization<br />
<strong>of</strong> the beam. The results provi<strong>de</strong> a clear i<strong>de</strong>ntification<br />
to the key features related with quasiparticle<br />
excitations in the high Tc superconductors<br />
1. L. Roca, M. Izquierdo, J. Avila, G. D. Gu and M. C. Asensio, Journal <strong>of</strong> Electron Spectroscopy and Related Phenomena, Volumes 137-<br />
140, July 2004, Pages 657-661<br />
11. Determinación estructural empleando<br />
la técnica <strong>de</strong> difracción <strong>de</strong> fotoelectrones<br />
(PED)<br />
Difracción <strong>de</strong> fotoelectrones (PED) es una técnica<br />
estructural recientemente <strong>de</strong>sarrollada, que permite la<br />
<strong>de</strong>terminación <strong>de</strong> las posiciones <strong>de</strong> átomos <strong>de</strong> diferentes<br />
especies químicas presentes en el sistema a estudio.<br />
Nuestro grupo lleva a cabo experimentos en los<br />
dos posibles modos que permite la técnica: barrido en<br />
energía y barrido en ángulo. En ambos modos se estudia<br />
por fotoemisión la intensidad <strong>de</strong>l pico correspondiente<br />
a fotoelectrones extraídos <strong>de</strong> un nivel pr<strong>of</strong>undo<br />
bien variando la energía <strong>de</strong>l fotón o en función <strong>de</strong>l<br />
ángulo polar o azimutal respectivamente. El modo <strong>de</strong><br />
barrido en energía se utiliza para <strong>de</strong>terminar geometrías<br />
<strong>de</strong> adsorción <strong>de</strong> moléculas o átomos fisisorbidos o<br />
quimisorbidos a la superficie, mientras que el modo <strong>de</strong><br />
barrido en ángulo se usa principalmente en la caracterización<br />
<strong>de</strong>l or<strong>de</strong>n cristalino <strong>de</strong> un <strong>de</strong>terminado material.<br />
Nuestra investigación se centra tanto en la metodología<br />
como en la <strong>de</strong>terminación <strong>de</strong> estructuras <strong>de</strong><br />
diferentes sistemas adsorbidos <strong>de</strong> importancia química<br />
o física ej. Sb/Si(111) y H2O/Si(100), así como en la<br />
<strong>de</strong>terminación <strong>de</strong> la estructura cristalina <strong>de</strong> ciertos<br />
materiales or incluso <strong>de</strong> capas crecidas in-situ ej.<br />
Sn/Ge(111) o Sn/Si(111) [1].<br />
11. Structural <strong>de</strong>termination using photoelectron<br />
diffraction technique<br />
Photoelectron diffraction (PED) is a structural technique<br />
recently <strong>de</strong>veloped which allows the <strong>de</strong>termination with<br />
high accuracy <strong>of</strong> the atoms position for different chemical<br />
species present on the system. Our group perform<br />
the photoelectron diffraction experiments in the<br />
two possible mo<strong>de</strong>s: “energy scan m2o<strong>de</strong>” and “angular<br />
scan mo<strong>de</strong>”. In both cases the intensity <strong>of</strong> a core-level<br />
photoelectron peak is studied as a function <strong>of</strong> electron<br />
kinetic energy or as a function <strong>of</strong> the azimuthal or polar<br />
angle respectively. The energy scan mo<strong>de</strong> is mainly<br />
used to <strong>de</strong>termine the adsorption geometry <strong>of</strong> molecules<br />
or atoms which are physisorbed or chemisorbed<br />
while the angular scan mo<strong>de</strong> is mainly used to <strong>de</strong>termine<br />
the or<strong>de</strong>r <strong>of</strong> the crystal growth mo<strong>de</strong> <strong>of</strong> a <strong>de</strong>fined<br />
material. Our research interest focuses on the methodology<br />
itself as well as on structure <strong>de</strong>terminations <strong>of</strong><br />
various adsorption systems that are <strong>of</strong> chemical or<br />
physical importance i.e. NH2/Si(111)[1], H2O/Si(100],<br />
and the <strong>de</strong>termination <strong>of</strong> the crystal structure <strong>of</strong> <strong>de</strong>fined<br />
materials or in-situ grown overlayers i.e.<br />
Sn/Ge(111) o Sn/Si(111)[2].<br />
1. S. Bengió, Ascolani, N. Franco, J. Avila, M. C. Asensio, A. M. Bradshaw, and D. P. Woodruff Phys. Rev. B 69, 125340 (2004)<br />
2. M. E. Dávila, J. Avila, M. C. Asensio, and G. Le Lay Phys. Rev. B 70, 241308 (2004)<br />
133