Untitled - Materials Science Institute of Madrid - Consejo Superior de ...

1. A. Gutiérrez, M. F. López, J. A. Jiménez, C. Morant, A. Climent y F. Paszti, Surf. Interface Anal., 36 (2004) 977-980.
Proyectos: Obtención y caracterización de recubrimientos bioinertes de alta dureza en aleaciones de titanio de baja toxicidad. Código:
CAM - 07N/0066/2002, Periodo: 01/01/2003-31/12/2004, Fuente de financiación: CAM, Importe total: 47.842, 30, Investigador
Principal: López Fagúndez, M.F. Investigadores: Román García, E.; Jiménez Rodríguez, J. A.; Gutiérrez Delgado, A.
4. Caracterización morfológica de películas
delgadas (II-VI) crecidas por MCOVD
Como continuación a los estudios de la morfología de
películas delgadas de compuestos II-VI mediante
microscopía de fuerzas atómicas (AFM) nos centramos
en esta etapa en la aplicación de la metodología a ZnO
y CdO crecidos por MCOVD sobre substratos de zafiro.
En particular, se han realizado estudios en un rango de
temperaturas y para diferentes orientaciones del substrato
soporte. Combinando esta técnica con estudios de
difracción de rayos-X, se ha podido correlacionar la
morfología (rugosidad, crecimiento bidimensional o tridimensional.)
y estructura de las películas crecidas
(orientación cristalina) con los parámetros de crecimiento
(flujo, espesor, temperatura, relación II/VI.) y
características de los substratos (desorientación, escalones,
kinks.). Es una línea de trabajo que se realiza en
colaboración con el grupo del Prof. V. Muñoz
(Universidad de Valencia) donde se obtienen las películas
citadas mediante la técnica de deposición química
en fase gaseosa a partir de la descomposición de compuestos
organometálicos, MOCVD.
4. Morphological characterization of II-VI
thin films grown by MCOVD
Following our research on the morphological characterization
of II-VI thin films by means of Atomic Force
Microscopy (AFM), we now are centered on applying
this technique to the characterization of ZnO and CdO
thin films, grown by MCOVD, on sapphire substrates. In
particular, we have performed studies for a range of
temperatures and different substrate orientations. The
combination of this technique with X-ray diffraction
measurements has allowed correlating the surface morphology
(roughness, 2D and 3D growth…) and the film
structure (crystalline structure) with the growth parameters
(flux, thickness, temperature, II/VI ratio…) and
substrate characteristics (miscut, steps, kinks…). This
work is made in collaboration with the group of Prof. V.
Muñoz (Universidad de Valencia) where the thin films
are prepared by Metal Organic Chemical Vapor
Deposition (MOCVD).
1. C.Munuera, J. Zúñiga-Pérez, J. F. Rommeluere, V. Sallet, R. Triboulet, F. Soria, V.Muñoz-Sanjosé and C. Ocal (Journal of Crystal Growth,
2004; 264(1-3); 70-78)
2.J. Zuñiga- Pérez, C. Munuera, C. Ocal, V. Muñoz-Sanjose. (Journal of Crystal Growth; 2004; 271(1-2); 223–228)
Proyectos: “Caracterización morfológica y estructural del ZnO por AFM” MAT2001-2920-C03
5. Crecimiento de capas delgadas de Fe y
Co sobre superficies ordenadas de TiO 2
Mediante Fotoemisión resuelta en ángulo (ARPES) se
han estudiado las etapas iniciales del crecimiento epitaxial
de capas muy finas (espesores menores que 5
nm) de metales ferromagnéticos como Fe y Co, sobre
superficies monocristalinas de TiO 2 (110)-1x2. El objetivo
es investigar la viabilidad de fabricar uniones túnel
para magnetolectrónica basadas en estos sistemas,
donde la capa monocristalina aislante sea óxido de
Titanio, en vez de los óxidos de Magnesio o Aluminio
convencionalmente usados. Los resultados obtenidos
hasta la fecha indican que las intercaras de Fe/TiO 2 y
Co/TiO 2 formadas a temperatura ambiente son bastante
abruptas químicamente (con espesores de óxido de
Fe ó Co de apenas una monocapa atómica), y relativamente
estables frente a calentamientos moderados del
substrato, lo que posibilita el ordenamiento posterior
de la capa metálica depositada.
5. Initial growth of Fe and Co thin films
on TiO 2 (110) surfaces
Using ARPES( angle-resolved photoemission) we have
studied the initial growth of Fe and Co thin films (thickness
up to 5 nm) epitaxially grown on TiO 2 (110)-1x2
surfaces. The objective is to investigate the viability of
forming tunel junctions of interest in spintronics based
on such interfaces; that is, using Titanium oxide as the
insulator and single crystal film, instead of the Al or Mg
oxides generally reported. The results indicate that the
Fe/TiO 2
y Co/TiO 2
interfaces formed at room temperature
are chemically rather abrupt (the Fe or Co oxide
layer formed at the inner interface is below or about
one atomic monolayer thick), and relatively stable
under a moderate annealing of the substrate, which
permits to order the metal overlayer.
Proyectos: MAT2001-1596 (Jose Abad y María Alonso)
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