17. Propieda<strong>de</strong>s electrónicas <strong>de</strong> nitruros III-V Se han estudiado las propieda<strong>de</strong>s electrónicas <strong>de</strong> pozos cuánticos (001) AlN/GaN. Dada la incertidumbre en los datos <strong>de</strong> estos materiales se han empleado dos mo<strong>de</strong>los “tight-binding” diferentes con objeto <strong>de</strong> ver la influencia <strong>de</strong> las diferentes parametrizaciones en las propieda<strong>de</strong>s <strong>de</strong> estos sistemas, así como los efectos <strong>de</strong> la tensión. Se obtuvo la misma imagen física con ambos mo<strong>de</strong>los, pese a diferencias numéricas en los resultados. Se analizaron pozos que incluían <strong>de</strong>s<strong>de</strong> 2 monocapas <strong>de</strong> GaN hasta 50 monocapas. Se ha observado que estos sistemas tienen más estados que los pozos <strong>de</strong> GaAs/AlAs y que presentan estados bien <strong>de</strong>finidos en la banda <strong>de</strong> conducción para espesores menores <strong>de</strong> los pozos. 17. Electronic properties <strong>of</strong> III-V nitri<strong>de</strong>s The electronic properties <strong>of</strong> (001) AlN/GaN quantum wells have been studied. Because <strong>of</strong> the uncertainty in the data for these materials two different tight-binding mo<strong>de</strong>ls have been used, in or<strong>de</strong>r to see the influence <strong>of</strong> different parameter sets on the system properties. The effects due to the stress have been also studied. The same physical picture was found for both mo<strong>de</strong>ls, in spite <strong>of</strong> numerical differences in the results. Quantum wells ranging from 2 to 50 GaN monolayers were analyzed. It was found that these systems have more states than the AlAs/GaAs quantum wells. It was also found that they present well <strong>de</strong>fined conduction states for lower well thicknesses. 1. Velasco, V.R.; Tutor, J.; Rodriguez-Coppola, H. Surface <strong>Science</strong>, 565 (2004) 259 Proyectos: MAT2003-04278 18. Propieda<strong>de</strong>s vibracionales <strong>de</strong> sistemas cuasirregulares Se han estudiado las propieda<strong>de</strong>s vibracionales, frecuencias y <strong>de</strong>splazamientos atómicos, <strong>de</strong> sistemas formados por combinaciones <strong>de</strong> bloques periódicos y cuasirregulares, basados en la secuencia <strong>de</strong> Fibonacci. Se ha encontrado que los sistemas híbridos exhiben espectros <strong>de</strong> frecuencia notablemente diferentes <strong>de</strong> los sistemas que lo componen. Se observan reducciones y cierres parciales <strong>de</strong> algunos gaps. Se ha observado también un confinamiento selectivo <strong>de</strong> las vibraciones en una sola <strong>de</strong> las partes que componen el sistema híbrido, en diferentes rangos <strong>de</strong> frecuencia, lo cual podría usarse en el guiado <strong>de</strong> ondas. 18. Vibrational properties <strong>of</strong> quasiregular systems The vibrational properties, frequencies and atom displacements, <strong>of</strong> hybrid systems formed by the combination <strong>of</strong> periodic and quasiregular blocks (based on the Fibonacci sequence) have been studied. It has been found that the hybrid systems have frequency spectra showing important differences with respect to those <strong>of</strong> the systems forming the whole structure. Reductions and partial closing <strong>of</strong> gaps have been found. It has been observed a selective confinement <strong>of</strong> the atom displacements in only one <strong>of</strong> the parts forming the whole structure for different frequency ranges. This feature could be used in wave-guiding. 1. Montalbán, A.; Velasco, V.R.; Tutor, J.; Fernán<strong>de</strong>z-Velicia, F.J. Phys. Rev. B, 70 (2004) 132301 Proyectos: MAT2003-04278 19. Transporte asistido por fotones en nanoestructuras semiconductoras Este review esta <strong>de</strong>dicado al transporte electrónico a través <strong>de</strong> nanoestructuras semiconductoras en presencia <strong>de</strong> potenciales AC. A lo largo <strong>de</strong>l review <strong>de</strong>scribimos la información experimental obtenida para diferentes nanoestructuras: diodos túnel resonantes, superre<strong>de</strong>s o puntos cuánticos, junto a los diferentes mo<strong>de</strong>los teóricos que permiten estudiar transporte asistido por fotones. Entre las herramientas teóricas se encuentran el formalismo <strong>de</strong> Floquet, el formalismo <strong>de</strong> funciones <strong>de</strong> Green <strong>de</strong> no equilibrio o la técnica <strong>de</strong> la matriz <strong>de</strong>nsidad. Dichas técnicas permiten analizar problemas en los que distintos aspectos como el no equilibrio, la no linealidad, el confinamiento cuántico o la interacción Coulombiana conducen a nuevas propieda<strong>de</strong>s en el transporte. A lo largo <strong>de</strong>l review se dan numerosos ejemplos que <strong>de</strong>muestran la posibilidad <strong>de</strong> usar campos AC apropiados que permitan manipular y controlar estados cuánticos coherentes en nanoestructuras semiconductoras. 19. Photon-assisted transport in semiconductor nanostructures In this review we focus on electronic transport through semiconductor nanostructures which are driven by ac fields. Along the review we <strong>de</strong>scribe the available experimental information on different nanostructures, like resonant tunneling dio<strong>de</strong>s superlattices or quantum dots, together with different theoretical techniques used in the study <strong>of</strong> photon-assisted transport. These theoretical tools such as, for instance, the Floquet formalism, the nonequilibrium Green function technique or the <strong>de</strong>nsity matrix technique, are suitable for tackling with problems where the interplay <strong>of</strong> different aspects like nonequilibrium, nonlinearity, quantum confinement or electron-electron interactions gives rise to many intriguing new phenomena. Along the review we give many examples which <strong>de</strong>monstrate the possibility <strong>of</strong> using appropiate ac fields to control/manipulate coherent quantum states in semiconductor nanostructures. 1. G. Platero, R. Aguado, Physics Reports, 395, 1-157 (2004) Proyectos: Propieda<strong>de</strong>s <strong>de</strong> transporte cuántico electrónico y <strong>de</strong> espín ennanodispositivos, MAT2002-02465 125
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