Untitled - Materials Science Institute of Madrid - Consejo Superior de ...

17. Propiedades electrónicas de nitruros
III-V
Se han estudiado las propiedades electrónicas de pozos
cuánticos (001) AlN/GaN. Dada la incertidumbre en los
datos de estos materiales se han empleado dos modelos
“tight-binding” diferentes con objeto de ver la
influencia de las diferentes parametrizaciones en las
propiedades de estos sistemas, así como los efectos de
la tensión. Se obtuvo la misma imagen física con ambos
modelos, pese a diferencias numéricas en los resultados.
Se analizaron pozos que incluían desde 2 monocapas
de GaN hasta 50 monocapas. Se ha observado
que estos sistemas tienen más estados que los pozos
de GaAs/AlAs y que presentan estados bien definidos
en la banda de conducción para espesores menores de
los pozos.
17. Electronic properties of III-V nitrides
The electronic properties of (001) AlN/GaN quantum
wells have been studied. Because of the uncertainty in
the data for these materials two different tight-binding
models have been used, in order to see the influence of
different parameter sets on the system properties. The
effects due to the stress have been also studied. The
same physical picture was found for both models, in
spite of numerical differences in the results. Quantum
wells ranging from 2 to 50 GaN monolayers were analyzed.
It was found that these systems have more states
than the AlAs/GaAs quantum wells. It was also found
that they present well defined conduction states for
lower well thicknesses.
1. Velasco, V.R.; Tutor, J.; Rodriguez-Coppola, H. Surface Science, 565 (2004) 259
Proyectos: MAT2003-04278
18. Propiedades vibracionales de sistemas
cuasirregulares
Se han estudiado las propiedades vibracionales, frecuencias
y desplazamientos atómicos, de sistemas formados
por combinaciones de bloques periódicos y cuasirregulares,
basados en la secuencia de Fibonacci. Se
ha encontrado que los sistemas híbridos exhiben
espectros de frecuencia notablemente diferentes de los
sistemas que lo componen. Se observan reducciones y
cierres parciales de algunos gaps. Se ha observado también
un confinamiento selectivo de las vibraciones en
una sola de las partes que componen el sistema híbrido,
en diferentes rangos de frecuencia, lo cual podría
usarse en el guiado de ondas.
18. Vibrational properties of quasiregular
systems
The vibrational properties, frequencies and atom displacements,
of hybrid systems formed by the combination
of periodic and quasiregular blocks (based on the
Fibonacci sequence) have been studied. It has been
found that the hybrid systems have frequency spectra
showing important differences with respect to those of
the systems forming the whole structure. Reductions
and partial closing of gaps have been found. It has been
observed a selective confinement of the atom displacements
in only one of the parts forming the whole structure
for different frequency ranges. This feature could
be used in wave-guiding.
1. Montalbán, A.; Velasco, V.R.; Tutor, J.; Fernández-Velicia, F.J. Phys. Rev. B, 70 (2004) 132301
Proyectos: MAT2003-04278
19. Transporte asistido por fotones en
nanoestructuras semiconductoras
Este review esta dedicado al transporte electrónico a
través de nanoestructuras semiconductoras en presencia
de potenciales AC. A lo largo del review describimos
la información experimental obtenida para diferentes
nanoestructuras: diodos túnel resonantes, superredes
o puntos cuánticos, junto a los diferentes modelos teóricos
que permiten estudiar transporte asistido por
fotones. Entre las herramientas teóricas se encuentran
el formalismo de Floquet, el formalismo de funciones
de Green de no equilibrio o la técnica de la matriz densidad.
Dichas técnicas permiten analizar problemas en
los que distintos aspectos como el no equilibrio, la no
linealidad, el confinamiento cuántico o la interacción
Coulombiana conducen a nuevas propiedades en el
transporte. A lo largo del review se dan numerosos
ejemplos que demuestran la posibilidad de usar campos
AC apropiados que permitan manipular y controlar
estados cuánticos coherentes en nanoestructuras semiconductoras.
19. Photon-assisted transport in semiconductor
nanostructures
In this review we focus on electronic transport through
semiconductor nanostructures which are driven by ac
fields. Along the review we describe the available experimental
information on different nanostructures, like
resonant tunneling diodes superlattices or quantum
dots, together with different theoretical techniques
used in the study of photon-assisted transport. These
theoretical tools such as, for instance, the Floquet formalism,
the nonequilibrium Green function technique
or the density matrix technique, are suitable for tackling
with problems where the interplay of different
aspects like nonequilibrium, nonlinearity, quantum
confinement or electron-electron interactions gives rise
to many intriguing new phenomena. Along the review
we give many examples which demonstrate the possibility
of using appropiate ac fields to control/manipulate
coherent quantum states in semiconductor nanostructures.
1. G. Platero, R. Aguado, Physics Reports, 395, 1-157 (2004)
Proyectos: Propiedades de transporte cuántico electrónico y de espín ennanodispositivos, MAT2002-02465
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