Untitled - Materials Science Institute of Madrid - Consejo Superior de ...

1. M. Vázquez, M. Hernandez-Velez, K. Pirota, A. Asenjo, D. Navas, J. Velazquez, P. Vargas and C. Ramos, Eur. Phys. J. B 40, 489-497
(2004)
2. M. Vázquez, K. Pirota, M. Hdez-Velez, V. Prida, D. Navas, R. Sanz and F. Batallán J. Appl. Phys., 95, 6642-6644 (2004).
3. C. Ramos, M. Vázquez, K. Nielsch, K. Pirota, J. Rivas, R. Wehrspohn, M. Tovar, R. Sanchez and U. Gócele, J. Magn. Magn. Mat., 272-
276, 1652-1653 (2004).
Proyectos: Membranas de porosidad nanométrica controlable para nanohilos magnéticos y otros materiales funcionales nanoestructurados,
CAM, Periodo: 1/1/2003 – 31/12/2004, Importe :55200 , Investigador Principal: Vázquez Villalabeitia, M, Investigadores:
Batallán, F.; Ocal, C.; Zhukov, A.; Asenjo, A.; Pirota, K.
3. Crecimiento de nanotubos de carbono
orientados por técnicas químicas en fase
vapor
El crecimiento de nanotubos de carbono orientados,
requiere la presencia de pequeños puntos de nucleación
metálicos para catalizar el proceso. El tamaño de
las islas metálicas y su estado de activación controlan
el diámetro y la densidad de nanotubos crecidos. Se
han utilizado substratos de silicio recubiertos con una
capa de Ni (5 nm. sputtering). Para estudiar el efecto de
la rugosidad de la capa de níquel, se han empleado
diferentes tipos de substratos de silicio: pulido, rayado
con pasta de diamante y grabado químicamente con
diferentes rugosidades. La presencia de irregularidades
en la superficie de Ni favorece la formación y crecimiento
de nanotubos, proceso que además se encuentra
controlado por el tiempo de residencia de las especies
carbonadas precursoras en las proximidades de los
puntos de nucleación metálicos.
3. Synthesis of oriented carbon nanotubes
by chemical vapor techniques
CVD oriented carbon nanotubes growth requires the
presence of small nucleation metallic sites for catalysing
the process. The size of the metallic islands as well
as its activation degree control the nanotubes diameter
and density. Silicon substrates covered by a 5 nm sputtered
nickel coating have been used. In order to study
the effect of Ni coating roughness, different silicon
substrates: polished, diamond paste scratched, chemically
etched have been coated. The irregularities on the
Ni surface enhance the formation and growth of nanotubes,
which also is strongly controlled by the residence
time of the precursor carbon species near the metallic
nucleation sites.
Proyectos: Proyecto MCYT (MAT2002-04085-02-02) “Sistemas nanoestructurados con base carbono: Síntesis y caracterización”
4. Crecimiento MBE de nanoestructuras
metálicas sobre superficies singulares y
vecinales de Si(111)
Las técnicas de auto-ensamblado y auto-organización
son muy atractivas como métodos de nanofabricación
porque permiten realizar, “fácilmente” y sobre grandes
áreas de muestra, la llamada “ingeniería” de nanoestructuras.
En ese contexto, en nuestro laboratorio se ha
desarrollado una metodología que, mediante MBE
(Molecular Beam Epitaxy) y sobre superficies de Si(111)
desorientadas 4 grados, permite obtener -a nivel de la
oblea completa- una estructuración en el plano con
motivos nanométricos, donde se repite con bastante
periodicidad en tamaños y formas, un patrón triangular
de centenares de nanómetros (300-600 nm) en dimensiones
laterales, y unos 30 nm de altura. Experimentos
posteriores de depósito de Ag en caliente muestran la
viabilidad de usar esos patrones de Si para obtener distribuciones
de nanoestructuras metálicas cristalinas
con cierta periodicidad de tamaños, formas y espaciados,
debido probablemente a las barreras para la difusión
de los átomos de Ag impuestas por el patrón del
substrato.
4. MBE growth of metallic nanostructures
on singular and vicinal Si(111)surfaces
Self-assembly and self-organization are highly attractive
nanofabrication techniques because they provide
means to precisely engineer nanostructures over large
sample areas. In this context, by using MBE (Molecular
Beam Epitaxy) on vicinal Si(111) surfaces (4º miscut),
we have developed a methodology that allows to obtain
a nanopatterning over the whole Si wafer, consisting of
a triangular pattern (lateral dimensions about 300-600
nm; high: 30 nm) which repeats rather periodically on
the surface sample. Further experiments of Ag evaporation
at substrate temperatures above RT show the viability
of using such Si patterns as templates to obtain
arrays of metallic nanocrystals with certain periodicity
in sizes, shapes and spacing, which is probably due to
the diffusion barriers imposed by the substrate pattern.
Proyectos: MAT2001-1596, PB1997-1195 (N. Galiana, P.P. Martín, C. Munuera, C. Ocal, A. Ruiz y M. Alonso)
118