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PUBLICACION<strong>ES</strong> RELEVANT<strong>ES</strong><br />

Relleno de nanotubos para uso diagnóstico en<br />

radiología<br />

Donde se describe la funcionalización covalente de<br />

nanotubos de carbono rellenos de radionhaluros para<br />

su uso como radio-sondas. Su uso in vivo hace de este<br />

trabajo una aportación de primera magnitud. La funcionalización<br />

de la superficie del nanotubo ofrece una<br />

versatilidad que llegará a hacerlos órgano-específicos,<br />

con lo que ello implica en términos clínicos.<br />

Filled and glycosylated carbon nanotubes for in vivo<br />

radioemitter localization and imaging. S.Y. Hong, G.<br />

Tobias, K.T. Al-Jamal, B. Ballesteros, H. Ali-Boucetta,<br />

S. Lozano-Perez, P.D. Nellist, R.B. Sim, C. Finucane,<br />

S.J. Mather, M.L.H. Green, K. Kostarelos and B.G.<br />

Davis.<br />

Referencia: Nature Materials, 9 (6), (<strong>2010</strong>), pp. 485-490,<br />

IF: 29,504<br />

Estirado, el grafeno es aún mejor<br />

Dadas las características del grafeno de no tener zona<br />

prohibida en su espectro electrónico, los transistores<br />

de grafeno, que podrían ser mucho más pequeños y<br />

rápidos que los hechos por otros materiales, disipan<br />

energía incluso en el estado apagado, lo que hace<br />

imposible su uso en circuitos integrados de alta<br />

densidad. Se ha encontrado una solución elegante al<br />

problema: estirando el grafeno, éste se puede convertir<br />

en un buen aislante. Si las fuerzas se aplican a lo largo<br />

de los tres ejes de la red hexagonal de grafeno, se<br />

puede abrir un gap semiconductor que es suficiente<br />

para aplicaciones en electrónica.<br />

Áreas Científico-Técnicas / Ciencia y Tecnología de Materiales<br />

Energy gaps and a zero-field quantum Hall effect<br />

in graphene by strain engineering, Guinea, F; Katsnelson,<br />

MI; Geim, AK<br />

Referencia: Nature Physics. 6, 30-33 (<strong>2010</strong>).<br />

Hacia una nueva microeletrónica<br />

Muchos dispositivos actuales, como las pantallas de los<br />

teléfonos móviles, funcionan mediante el paso de cargas<br />

eléctricas entre metales y materiales orgánicos, por lo<br />

que su rendimiento depende fuertemente de las propiedades<br />

electrónicas y estructurales de la interfase metal/<br />

capa orgánica. En este artículo se demuestra, mediante<br />

una combinación de técnicas experimentales y cálculos<br />

teóricos, que cuando existe transferencia de carga en la<br />

interfase ésta puede ir acompañada de fuertes modificaciones<br />

estructurales, tanto en el metal como en la capa<br />

orgánica. La comprensión detallada de las interfases<br />

metal-material orgánico que ofrecen estos resultados<br />

permitirá optimizar el rendimiento de múltiples dispositivos<br />

de nanoelectrónica orgánica, desde células solares<br />

hasta fuentes de luz, incluyendo transistores y sensores.<br />

Charge-transfer-induced structural rearrangements<br />

at both sides of organic/metal interfaces, Tseng,<br />

TC; Urban, C; Wang, Y; Otero, R; Tait, SL; Alcami, M;<br />

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