caracteristicas de las fibras opticas - publicaciones de Roberto Ares

TRANSMISOR DE ENLACE OPTICO
tipos de estructuras: DFB (Distributed Feed Back) con ranuras en la zona activa y DBR (Distributed Bragg Reflector) con
ranuras fuera de ella. El DFB es usado actualmente en sistemas de alta velocidad.
5-Láser con barrera heteroestructura. Aquí se crean dos barreras con salto de índice: una para el confinamiento transverso
horizontal (estructura enterrada) y otra para un confinamiento transverso vertical.
3.2- CARACTERÍSTICAS DE LOS EMISORES
La característica más interesante de los emisores es la transferencia entre la corriente eléctrica de alimentación y la potencia
óptica de salida. Popt vs I se muestra en la Fig 04 y se distinguen diferencias para los Led y Láser. Mientras en el Led la
característica es casi lineal desde el origen, en los Láser se tiene una quebradura de la curva.
Fig 04. Características eléctricas de los emisores ópticos.
La Popt es reducida mientras la I no es suficiente para lograr la densidad de portadores necesarios para la emisión
estimulada. Más allá de un valor de I denominado corriente umbral Ith se logra la emisión estimulada y la Popt aumenta
rápidamente. La Ith se define como la I obtenida por la prolongación de una recta imaginaria proveniente de la linealización
de la curva hasta el eje. Cuando la I es inferior a la Ith no existe emisión estimulada sólo hay la emisión espontánea como en
el Led; cuando I es superior a Ith existe emisión estimulada.
Para valores muy elevados de corriente I se produce una oscilación regenerativa que aplana la curva. El Láser se usará con I
mayores a Ith y antes de la zona de oscilación, es decir en la zona recta. En los Láser se produce un corrimiento de la curva
con el incremento de la temperatura y con el envejecimiento del componente. El incremento es exponencial:
Ith2 = Ith1.exp(T2-T1/T0)
El valor de T0 para los Láser de AsGaAl está comprendido entre 150 y 250 °C y para los de PAsInGa entre 50 y 70 °C. El
valor de T es la temperatura de juntura. Esto corresponde a un incremento de la corriente umbral de 0,6 a 1%/°C y de 1,2 a 2
%/°C respectivamente. La elevada sensibilidad a la temperatura se debe al incremento de las recombinaciones no radiactivas
entre bandas del semiconductor. Este corrimiento de las curvas implica que con variaciones de temperatura se produce, a
corriente constante, una variación de la potencia de salida, lo cual debe evitarse. Este aspecto será ampliado al estudiar la
polarización de los emisores.
1406-(7)