caracteristicas de las fibras opticas - publicaciones de Roberto Ares
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TRANSMISOR DE ENLACE OPTICO<br />
2- ELECCIÓN DE LA ESTRUCTURA EMISORA<br />
Hasta aquí se ha seleccionado el semiconductor para la emisión en longitu<strong>de</strong>s <strong>de</strong> onda corta (AsGa) y largas (InP). Para<br />
incrementar la emisión espontánea y llegar a la emisión estimulada se <strong>de</strong>be tener abundancia <strong>de</strong> electrones en la BC y <strong>de</strong><br />
lagunas en la BV. En la Fig 02 se sigue el siguiente or<strong>de</strong>n <strong>de</strong> análisis:<br />
Fig 02. Diagrama <strong>de</strong> bandas para junturas entre semiconductores.<br />
1-Diagrama <strong>de</strong> bandas <strong>de</strong>l semiconductor. Se indican los niveles correspondientes a la separación entre Bandas <strong>de</strong><br />
Conducción, Prohibida y <strong>de</strong> Valencia. El nivel <strong>de</strong> Fermi Fo es el nivel medio <strong>de</strong> probabilidad <strong>de</strong> ocupación <strong>de</strong> los electrones.<br />
En equilibrio térmico la probabilidad <strong>de</strong> ocupación <strong>de</strong> algún estado <strong>de</strong> energía E está <strong>de</strong>scrito por la distribución <strong>de</strong> <strong>de</strong>nsidad<br />
<strong>de</strong> probabilidad <strong>de</strong> Fermi-Dirac, cuya expresión es:<br />
f = (1 + exp(e-Fo/K.T)) -1<br />
don<strong>de</strong> k es la constante <strong>de</strong> Boltzman y T la temperatura en grados Kelvin. Si E=Fo el valor <strong>de</strong> f es 0,5 es <strong>de</strong>cir el nivel medio<br />
<strong>de</strong> probabilidad <strong>de</strong> ocupación.<br />
2-Diagrama <strong>de</strong> probabilidad <strong>de</strong> Fermi-Dirac. Se indica el nivel <strong>de</strong> energía <strong>de</strong> Fermi Fo cuando f=0,5.<br />
3-Concentración <strong>de</strong> electrones. Debido a la distribución <strong>de</strong>l punto anterior la mayoría <strong>de</strong> los electrones están en la BV, sin<br />
embargo a temperatura ambiente existen electrones en la BC y lagunas en la BV <strong>de</strong>bido a la agitación térmica. No existen<br />
electrones en la BP. En 0 °K no tenemos electrones en la BC estando todos ellos ligados al núcleo en la BV.<br />
4-Diagrama <strong>de</strong> bandas en semiconductores dopados tipo P y N. Con el propósito <strong>de</strong> tener abundancia <strong>de</strong> electrones en la<br />
BC y <strong>de</strong> lagunas en la BV se recurre a los semiconductores dopados tipos P y N. En el N existen átomos donores (con exceso<br />
<strong>de</strong> electrones) que corren el nivel <strong>de</strong> Fermi hacia la BC creando un nivel Fc. En el tipo P se colocan átomos aceptores (con<br />
exceso <strong>de</strong> lagunas) que corren al nivel Fo hacia la BV creando el nivel Fv.<br />
5-Diagrama <strong>de</strong> probabilida<strong>de</strong>s <strong>de</strong> Fermi-Dirac. Cada cuasinivel <strong>de</strong> Fermi indica el exceso <strong>de</strong> electrones o lagunas.<br />
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