caracteristicas de las fibras opticas - publicaciones de Roberto Ares

TRANSMISOR DE ENLACE OPTICO
1406-(1)
1406
TRANSMISOR DE ENLACE OPTICO
Sobre la selección del semiconductor, la estructura emisora, las características eléctricas y el
circuito del transmisor para sistemas con fibras ópticas.
1- ELECCIÓN DEL SEMICONDUCTOR
Un semiconductor tiene un diagrama de energía compuesto de 3 bandas. La zona más cercana al núcleo se denomina Banda
de Valencia BV y ocupa a los electrones ligados al núcleo; los electrones libres se encuentran en la Banda de Conducción
BC. Entre ambas se determina una Banda Prohibida BP donde no se encontrarán electrones. La energía del electrón crece
con la separación del núcleo. Un átomo metálico no posee la BP; por encima de un nivel de energía el electrón está libre del
átomo. En los semiconductores dopados existen átomos donores, que dan origen al material tipo N y átomos aceptores que
dan origen al tipo P. Los distintos niveles descritos se muestran en la Fig 01. Cuando un electrón pasa de la BC a la BV se
produce una pérdida de energía la que se libera de distintas formas. Veamos los posibles tipos de transiciones
(recombinación electrón-laguna).
Fig 01. Diagrama de bandas del semiconductor directo e indirecto.
1.1- TRANSICIONES ENTRE NIVELES DE ENERGÍA
1-Transición banda-banda: El electrón de la BC se recombina con una laguna (hueco o vacante electrónica) de la BV.
Como resultado del salto la energía se emite en forma de un fotón (partícula asociada a la energía electromagnética). La
longitud de onda del fotón se expresa mediante la ecuación de Planck-1905: E = h.c/λ. Donde E es el salto de energía; h la
constante de Planck; c la velocidad de la luz en el vacío y λ la longitud de onda del fotón de luz.
2-Transición entre niveles: El caso anterior ocurre en un semiconductor intrínseco; cuando se disponen de dopantes
(aceptores o donores) aparecen niveles intermedios de energía. Se tienen combinaciones de electrones del semiconductor con