DAFS - Universidad de Zaragoza
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CONCLUSIONS Combined MAD & DAFS approach to free-standing and capped nanostructures MAD • Model-free chemical imaging in the reciprocal space • Average strain and size • Powerful tool for the simulation (FEM) of the true heterostructure •In situ structural evolution during growth (J. Coraux et al. APL 2006) DAFS • local environment of chemical specie located in a diffraction selected iso-strain volume • local lattice accomodation to strain, local composition 42/50
Orden de carga y reflexiones prohibidas en la magnetita Los óxidos de valencia mixta de metales de transición tienen una fenomenología muy variada e interesante Superconductividad Magnetoresistencia, Transiciones de fase metal-aislante .... Ocupación parcial de los orbitales 3d Estados de oxidación diferente Orden orbital Orden de carga Los electrones d no eligen el orbital a ocupar al azar independientemente de los demás, sino respectando un orden y dando lugar a un orden periódico de los orbitales d ocupados La carga electrónica que puede fluctuar entre sitios cristalográficamente equivalentes, por debajo de T c se localiza, los iones con valencia diferente se ordenan periódicamente y la s disminuye ordenes de magnitud
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Or<strong>de</strong>n <strong>de</strong> carga y reflexiones<br />
prohibidas en la magnetita<br />
Los óxidos <strong>de</strong> valencia mixta <strong>de</strong> metales <strong>de</strong> transición tienen una<br />
fenomenología muy variada e interesante<br />
Superconductividad<br />
Magnetoresistencia,<br />
Transiciones <strong>de</strong> fase metal-aislante ....<br />
Ocupación parcial <strong>de</strong> los orbitales 3d<br />
Estados <strong>de</strong> oxidación diferente<br />
Or<strong>de</strong>n orbital Or<strong>de</strong>n <strong>de</strong> carga<br />
Los electrones d no eligen el orbital a<br />
ocupar al azar in<strong>de</strong>pendientemente <strong>de</strong><br />
los <strong>de</strong>más, sino respectando un or<strong>de</strong>n<br />
y dando lugar a un or<strong>de</strong>n periódico <strong>de</strong><br />
los orbitales d ocupados<br />
La carga electrónica que pue<strong>de</strong><br />
fluctuar entre sitios<br />
cristalográficamente equivalentes,<br />
por <strong>de</strong>bajo <strong>de</strong> T c se localiza, los iones<br />
con valencia diferente se or<strong>de</strong>nan<br />
periódicamente y la s disminuye<br />
or<strong>de</strong>nes <strong>de</strong> magnitud
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