XIX Sympozjum Srodowiskowe PTZE - materialy.pdf
XIX Sympozjum Srodowiskowe PTZE - materialy.pdf
XIX Sympozjum Srodowiskowe PTZE - materialy.pdf
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Rys. 2. Aproksymacja<br />
powierzchni krytycznej Tp(B,J)<br />
nadprzewodnika Nb-Ti<br />
<strong>XIX</strong> <strong>Sympozjum</strong> <strong>PTZE</strong>, Worliny 2009<br />
Rys. 3. Niejednorodny niestacjonarny rozkład pola magnetycznego w<br />
cewce cylindrycznej B(r,z), powodujący niejednorodny niestacjonarny<br />
rozkład temperatury Tp(t,z,t) przejścia do stanu rezystywnego<br />
Równanie (1) jest sprzężone z równaniem obwodu elektrycznego uzwojenia nadprzewodnikowego<br />
poprzez model stanu krytycznego nadprzewodnika (rys. 2), model podziału prądu przewodu kompozytowego<br />
pomiędzy nadprzewodnik i stabilizator miedziany [1] oraz niejednorodne i niestacjonarne<br />
rozkłady indukcji (rys. 3) i temperatury przejścia nadprzewodnika do stanu rezystywnego<br />
w uzwojeniu cylindrycznym.<br />
Silnie niejednorodny i zmieniający się w czasie rozkład temperatury w uzwojeniu powoduje czasowa<br />
i przestrzenną zmienność rezystywności, przewodności cieplnej i pojemnosci cieplnej (rys. 4). Powiązanie<br />
tych wszystkich procesów zostało zrealizowane w modelu numerycznym, w którym równanie<br />
dyfuzji cieplnej o zmieniających się współczynnikach ρ(T), k(T), Cν(T) i funkcji wydajności cieplnej<br />
gq(r,z,t) rozwiązywane jest metodą naprzemiennych kierunków ADI z jednorodnymi warunkami brzegowymi<br />
Neumanna (proces adiabatyczny).<br />
a.<br />
ρ(Ωm)<br />
1.6e-008<br />
1.4e-008<br />
1.2e-008<br />
1e-008<br />
8e-009<br />
6e-009<br />
4e-009<br />
2e-009<br />
0<br />
0 50 100 150 200 250 300<br />
T(K)<br />
b.<br />
k[Wm-1K-1]<br />
10000<br />
1000<br />
100<br />
1 10 100<br />
T[K]<br />
Rys. 4. Aproksymacja zależnych od temperatury: a) rezystywności miedzi oraz uśrednionych objętościowo:<br />
b) przewodności cieplnej i c) pojemności cieplnej. Rozkłady tych parametrów zmieniają się<br />
w przestrzeni uzwojenia w czasie trwania stanu zanikania nadprzewodzenia<br />
Proces zanikania nadprzewodzenia został wywołany poprzez dostarczenie zewnętrznego impulsu<br />
energii o określonej wielkości i czasie trwania. Dla jednakowego czasu trwania impulsu równego<br />
0,1 ms doprowadzano energię o wartościach od 0,1 J do 0,2 J (rys. 5).<br />
158<br />
c.
Change language