European Patent Bulletin 2012/09 - European Patent Office

European Patent Bulletin 2012/09 - European Patent Office European Patent Bulletin 2012/09 - European Patent Office

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(H01L) I.1(2) (25) En (26) En (21) 11178546.5 (22) 23.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 26.08.2010 JP 2010189218 (54) Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung Method of manufacturing a semiconductor device Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur (71) SEN Corporation, 1-1 Osaki 2-chome Shinagawa-ku, Tokyo, JP (72) Fuse, Genshu, Tokyo, JP Sugitani, Michiro, Tokyo, JP (74) Gill, David Alan, W.P. Thompson & Co. 55 Drury Lane, London WC2B 5SQ, GB (51) H01L 21/336 (11) 2 423 954 A1 H01L 29/49 H01L 29/786 (25) En (26) En (21) 11178637.2 (22) 24.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 25.08.2010 JP 2010187878 (54) Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement Manufacturing method of semiconductor device Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur (71) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0036, JP (72) Yamazaki, Shunpei, Atsughi-shi, Kanagawa 243-0036, JP (74) Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser, Anwaltssozietät Leopoldstrasse 4, 80802 München, DE H01L 21/336 → (51) C09B 47/04 H01L 21/48 → (51) H01L 21/02 (51) H01L 21/60 (11) 2 423 955 A1 H01L 23/12 H05K 1/18 (25) Ja (26) En (21) 10766819.6 (22) 19.04.2010 (84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR (86) JP 2010/002800 19.04.2010 (87) WO 2010/122757 2010/43 28.10.2010 (30) 24.04.2009 JP 2009105757 24.04.2009 JP 2009105758 (54) VERFAHREN ZUR MONTAGE EINER HALBLEITERPAKETKOMPONENTE UND STRUKTUR MIT DARAUF MONTIERTER HALBLEITERPAKETKOMPONENTE METHOD FOR MOUNTING SEMICON- DUCTOR PACKAGE COMPONENT, AND STRUCTURE HAVING SEMICONDUCTOR PACKAGE COMPONENT MOUNTED THEREIN PROCÉDÉ DE MONTAGE D'UN COMPO- SANT DE BOÎTIER POUR SEMI-CONDUC- TEUR, ET STRUCTURE DANS LAQUELLE EST MONTÉ CET ÉLÉMENT (71) Panasonic Corporation, 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi Osaka 571-8501, JP (72) Ohashi, Naomichi, Osaka 540-6207, JP Yamaguchi, Atsushi, Osaka 540-6207, JP Kishi, Arata, Osaka 540-6207, JP Tokii, Seiji, Osaka 540-6207, JP Europäisches Patentblatt European Patent Bulletin Bulletin européen des brevets (74) Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser, Anwaltssozietät Leopoldstrasse 4, 80802 München, DE H01L 21/60 → (51) B23K 20/00 (51) H01L 21/66 (11) 2 423 956 A2 (25) En (26) En (21) 11178098.7 (22) 19.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 27.08.2010 JP 2010190398 (54) Verfahren zur Analyse der Eisenkonzentration von bordotierten p-Siliziumwafern und Verfahren zur Herstellung eines Siliziumwafers Method of analyzing iron concentration of boron-doped p-type silicon wafer and method of manufacturing silicon wafer Procédé d'analyse de concentration de fer dans une tranche de silicium de type p dopée au bore et procédé de fabrication d'une tranche de silicium (71) Sumco Corporation, 2-1 Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8634, JP (72) Ohno, Ryuji, Tokyo 105-8634, JP Iga, Hisao, Tokyo 105-8634, JP (74) Sticht, Andreas, Kraus & Weisert Patent- und Rechtsanwälte Thomas-Wimmer-Ring 15, 80539 München, DE (51) H01L 21/677 (11) 2 423 957 A1 (25) En (26) En (21) 10174385.4 (22) 27.08.2010 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR BA ME RS (54) Palette zur Aufnahme von Wärmegradienten, die während der Verarbeitung entstehen Pallet for accommodating thermal gradients arising during processing Palette pour accommoder les gradients thermiques survenant durant le traitement (71) Applied Materials, Inc., 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054, US (72) Flock, Annemarie, 63477, Maintal, DE Schläfer, Susanne, 63654, Büdingen, DE Sauer, Andreas, 63762, Großostheim, DE Hoffmann, Josef, 63839, Kleinwallstadt, DE Bergmann, Tobias, 63755, Alzenau, DE (74) Schley, Jan Malte, Fish & Richardson P.C. Mies-van-der-Rohe-Straße 8, 80807 Munich, DE H01L 21/762 → (51) H01L 21/02 H01L 21/768 → (51) H01L 21/02 H01L 23/10 → (51) B81C 3/00 H01L 23/12 → (51) H01L 21/60 (51) H01L 23/473 (11) 2 423 958 A2 (25) En (26) En (21) 11178110.0 (22) 19.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 23.08.2010 US 861181 (54) Fest eingebauter Kühlkörper mit spiralförmigen Verteilern Integral heat sink with spiral manifolds Dissipateur intégral avec collecteurs à spiral 346 Anmeldungen Applications Demandes (09/2012) 29.02.2012 (71) General Electric Company, a New York Company 1 River Road, Schenectady, NY 12345, US (72) Pautsch, Adam Gregory, Niskayuna, NY New York 12309, US Gunturi, Satish Sivarama, Niskayuna, NY New York 12309, US Lazatin, Patrick Jose, Niskayuna, NY New York 12309, US (74) Illingworth-Law, William Illingworth, GE London Patent Operation 15 John Adam Street, London WC2N 6LU, GB H01L 23/48 → (51) H01L 21/02 H01L 23/485 → (51) H01L 25/11 H01L 23/522 → (51) H01L 21/02 H01L 23/64 → (51) H01L 21/02 (51) H01L 25/11 (11) 2 423 959 A2 H01L 23/485 (25) De (26) De (21) 11176833.9 (22) 08.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 26.08.2010 DE 102010039824 (54) Leistungsbaugruppe mit einer flexiblen Verbindungseinrichtung Power system with a flexible connection device Module de puissance doté d'un dispositif de raccordement flexible (71) Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung, Sigmundstrasse 200, 90431 Nürnberg, DE (72) Dr. Stockmeier, Thomas, 90471 Nürnberg, DE (51) H01L 27/14 (11) 2 423 960 A2 H01L 31/00 H01L 31/0224 H01L 31/18 H01L 51/05 H01L 51/10 H01L 51/52 (25) En (26) En (21) 11190401.7 (22) 28.03.2002 (84) DE FI FR GB SE (30) 30.03.2001 US 823269 (54) Verbesserte elektrolumineszente Vorrichtungen und Anzeigen mit integrierter Adresse und logische Vorrichtungen, die durch Druck oder Weben hergestellt werden Improved electroluminescent devices and displays with integrally fabricated address and logic devices fabricated by printing or weaving. Dispositifs électroluminescents améliorés et affichages avec une adresse intégralement fabriqués et dispositifs logiques fabriqués par impression ou tissage (71) Salonga Access LLC, 2215-B Renaissance Drive, Las Vegas, NV 89119, US (72) Christensen, Alton O, Houston, TX 77068, US (74) Carpmaels & Ransford, One Southampton Row, London WC1B 5HA, GB (62) 02725445.7 / 1 380 054 H01L 27/14 → (51) G05F 3/26 H01L 27/142 → (51) H01L 31/05 (51) H01L 27/146 (11) 2 423 961 A1 (25) En (26) En (21) 11175836.3 (22) 28.07.2011

(H01L) I.1(2) (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 31.08.2010 JP 2010195205 (54) Röntgenbildgebungsvorrichtung Radiographic imaging device Dispositif dýimagerie radiographique (71) Fujifilm Corporation, 26-30 Nishiazabu 2chome, Minato-ku Tokyo, JP (72) Okada, Yoshihiro, Kanagawa, JP (74) Klunker . Schmitt-Nilson . Hirsch, Patentanwälte Destouchesstrasse 68, 80796 München, DE (51) H01L 27/146 (11) 2 423 962 A1 H04N 5/361 (25) En (26) En (21) 11183469.3 (22) 05.12.2007 (84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MT NL PL PT RO SE SI SK TR (30) 19.03.2007 DK 200700417 (54) Digitalbildsensorsystem mit langer Belichtung Long exposure digital image sensor system Système de capteur d'image numérique à longue exposition (71) Phase One A/S, Roskildevej 39, 2000 Frederiksberg, DK (72) Andersen, Thomas, 4600 Køge, DK (74) Plougmann & Vingtoft A/S, Sundkrogsgade 9 P.O. Box 831, 2100 Copenhagen Ø, DK (62) 07846443.5 / 2 137 959 H01L 27/15 → (51) G02B 5/30 (51) H01L 27/24 (11) 2 423 963 A2 H01L 45/00 G11C 13/00 (25) En (26) En (21) 11175374.5 (22) 26.07.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 31.08.2010 KR 20100084970 (54) Nichtflüchtige Speicherelemente und Speichervorrichtungen damit Non-volatile memory elements and memory devices including the same Éléments de mémoire non volatile et dispositifs de mémoire l'incluant (71) Samsung Electronics Co., Ltd., 416, Maetandong Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 442-742, KR (72) Lee, Chang-bum, 449-712 Gyeonggi-do, KR Kim, Chang-jung, 449-712 Gyeonggi-do, KR Kim, Young-bae, 449-712 Gyeonggi-do, KR Lee, Myoung-jae, 449-712 Gyeonggi-do, KR Hur, Ji-hyun, 449-712 Gyeonggi-do, KR Lee, Dong-soo, 449-712 Gyeonggi-do, KR Chang, Man, 449-712 Gyeonggi-do, KR Lee, Seung-ryul, 449-712 Gyeonggi-do, KR (74) Greene, Simon Kenneth, Elkington and Fife LLP Prospect House 8 Pembroke Road, Sevenoaks Kent TN13 1XR, GB (51) H01L 27/32 (11) 2 423 964 A1 H01L 51/52 (25) En (26) En (21) 11177621.7 (22) 16.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 23.08.2010 KR 20100081505 Europäisches Patentblatt European Patent Bulletin Bulletin européen des brevets (54) Organische lichtemittierende Diodenanzeige Organic light emitting diode display Affichage à diode électroluminescente organique (71) Samsung Mobile Display Co., Ltd., San 24 Nongseo-Dong Giheung-Gu Yongin-City, Gyunggi-Do 446-711, KR (72) Jeong, Hee-Seong, 446-711 Gyunggi-do, KR Park, Soon-Ryong, 446-711 Gyunggi-Do, KR (74) Gulde Hengelhaupt Ziebig & Schneider, Patentanwälte - Rechtsanwälte Wallstraße 58/ 59, 10179 Berlin, DE H01L 29/24 → (51) H01L 29/78 H01L 29/423 → (51) H01L 21/28 H01L 29/49 → (51) H01L 21/336 (51) H01L 29/78 (11) 2 423 965 A1 H01L 29/24 (25) En (26) En (21) 10008902.8 (22) 27.08.2010 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR BA ME RS (54) Elektrochemischer Transistor und Verfahren zu dessen Herstellung Electrochemically-gated transistor and a method for its manufacture Transistor commuté électro-chimiquement et son procédé de fabrication (71) Karlsruher Institut für Technologie, Kaiserstrasse 12, 76131 Karlsruhe, DE (72) Hahn, Horst, Prof. Dr., 64342 Seeheim-Jugenheim, DE Dasgupta, Subho, Dr., 76344 Eggenstein- Leopoldshafen, DE Kruk, Robert, Dr., 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, DE (74) Gärtner, Stephan, Karlsruher Institut für Technologie Innovationsmanagement Postfach 36 40, 76021 Karlsruhe, DE (51) H01L 29/786 (11) 2 423 966 A1 (25) En (26) En (21) 11009309.3 (22) 03.12.2009 (84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR (30) 12.12.2008 JP 2008317286 28.09.2009 JP 2009222514 (27) 12.12.2008 EP 09014995 (54) Feldeffekttransistor und Display-Apparat Field effect transistor and display apparatus Transistor à effet de champ et appareil d'affichage (71) CANON KABUSHIKI KAISHA, 30-2, Shimomaruko 3-chome Ohta-ku, Tokyo, JP (72) Ueda, Miki, Tokyo, JP Iwasaki, Tatsuya, Tokyo, JP Itagaki, Naho, Tokyo, JP Goyal, Amita, Tokyo, JP (74) Weser, Thilo, Weser & Kollegen Patentanwälte Radeckestrasse 43, 81245 München, DE (62) 09014995.6 / 2 197 034 H01L 29/786 → (51) C09B 47/04 H01L 29/786 → (51) H01L 21/336 H01L 29/788 → (51) H01L 21/28 H01L 31/00 → (51) C03C 17/00 347 Anmeldungen Applications Demandes (09/2012) 29.02.2012 H01L 31/00 → (51) G05F 3/26 H01L 31/00 → (51) H01L 27/14 H01L 31/02 → (51) H01L 31/048 (51) H01L 31/0224 (11) 2 423 967 A2 (25) En (26) En (21) 11151969.0 (22) 25.01.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 25.08.2010 KR 20100082577 (54) Solarzelle und Herstellungsverfahren dafür Solar cell and method of manufacturing the same Cellule solaire et son procédé de fabrication (71) SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., 416, Maetan-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, KR Samsung SDI Co., Ltd., 428-5, Gongse-dong Giheung-gu Yongin-si, Gyeonggi-do, KR (72) Xianyu, Wenxu, Gyeonggi-do, KR Park, Yong-Young, Daejeon, KR Kim, Yeon-Hee, Seoul, KR Yang, Woo-Young, Gyeonggi-do, KR Kim, Hyun-Jong, Seoul, KR (74) Taor, Simon Edward William, et al, Marks & Clerk LLP 90 Long Acre, London WC2E 9RA, GB (51) H01L 31/0224 (11) 2 423 968 A2 H01L 31/18 (25) En (26) En (21) 11178015.1 (22) 18.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 27.08.2010 US 870055 (54) Anisotrope Leitschicht als Rückkontakt in Dünnfilmfotovoltaikvorrichtungen Anisotropic conductive layer as a back contact in thin film photovoltaic devices Couche conductrice anisotrope en tant que contact arrière dans des dispositifs photovoltaïques à couche mince (71) PrimeStar Solar, Inc, 14401 West 65th Way Unit B, Arvada, CO 80004, US (72) Lucas, Tammy Jane, Arvada, CO Colorado 80004, US Gossman, Robert Dwayne, Arvada, CO Colorado 80004, US Feldman-Peabody, Scott Daniel, Arvada, CO Colorado 80004, US (74) Szary, Anne Catherine, GE International Inc. Global Patent Operation - Europe 15 John Adam Street, London WC2N 6LU, GB (51) H01L 31/0224 (11) 2 423 969 A2 (25) En (26) En (21) 11178016.9 (22) 18.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 27.08.2010 US 870092 (54) Verfahren zur Herstellung einer anisotropen leitfähigen Schicht als Rückseitenkontakt in Dünnschichtfotovoltaikvorrichtungen Methods of forming an anisotropic conductive layer as a back contact in thin film photovoltaic devices Procédés de formation d'une couche conductrice anisotrope en tant que

(H01L) I.1(2)<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 11178546.5 (22) 23.08.2011<br />

(84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR<br />

GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK<br />

MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR<br />

BA ME<br />

(30) 26.08.2010 JP 2010189218<br />

(54) Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung<br />

Method of manufacturing a semiconductor<br />

device<br />

Procédé de fabrication d'un dispositif<br />

semi-conducteur<br />

(71) SEN Corporation, 1-1 Osaki 2-chome<br />

Shinagawa-ku, Tokyo, JP<br />

(72) Fuse, Genshu, Tokyo, JP<br />

Sugitani, Michiro, Tokyo, JP<br />

(74) Gill, David Alan, W.P. Thompson & Co. 55<br />

Drury Lane, London WC2B 5SQ, GB<br />

(51) H01L 21/336 (11) 2 423 954 A1<br />

H01L 29/49 H01L 29/786<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 11178637.2 (22) 24.08.2011<br />

(84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR<br />

GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK<br />

MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR<br />

BA ME<br />

(30) 25.08.2010 JP 2010187878<br />

(54) Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement<br />

Manufacturing method of semiconductor<br />

device<br />

Procédé de fabrication d'un dispositif<br />

semi-conducteur<br />

(71) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,<br />

398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0036,<br />

JP<br />

(72) Yamazaki, Shunpei, Atsughi-shi, Kanagawa<br />

243-0036, JP<br />

(74) Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser,<br />

Anwaltssozietät Leopoldstrasse 4,<br />

80802 München, DE<br />

H01L 21/336 → (51) C<strong>09</strong>B 47/04<br />

H01L 21/48 → (51) H01L 21/02<br />

(51) H01L 21/60 (11) 2 423 955 A1<br />

H01L 23/12 H05K 1/18<br />

(25) Ja (26) En<br />

(21) 10766819.6 (22) 19.04.2010<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT<br />

NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR<br />

(86) JP 2010/002800 19.04.2010<br />

(87) WO 2010/122757 2010/43 28.10.2010<br />

(30) 24.04.20<strong>09</strong> JP 20<strong>09</strong>105757<br />

24.04.20<strong>09</strong> JP 20<strong>09</strong>105758<br />

(54) VERFAHREN ZUR MONTAGE EINER<br />

HALBLEITERPAKETKOMPONENTE UND<br />

STRUKTUR MIT DARAUF MONTIERTER<br />

HALBLEITERPAKETKOMPONENTE<br />

METHOD FOR MOUNTING SEMICON-<br />

DUCTOR PACKAGE COMPONENT, AND<br />

STRUCTURE HAVING SEMICONDUCTOR<br />

PACKAGE COMPONENT MOUNTED<br />

THEREIN<br />

PROCÉDÉ DE MONTAGE D'UN COMPO-<br />

SANT DE BOÎTIER POUR SEMI-CONDUC-<br />

TEUR, ET STRUCTURE DANS LAQUELLE<br />

EST MONTÉ CET ÉLÉMENT<br />

(71) Panasonic Corporation, 1006, Oaza Kadoma,<br />

Kadoma-shi Osaka 571-8501, JP<br />

(72) Ohashi, Naomichi, Osaka 540-6207, JP<br />

Yamaguchi, Atsushi, Osaka 540-6207, JP<br />

Kishi, Arata, Osaka 540-6207, JP<br />

Tokii, Seiji, Osaka 540-6207, JP<br />

Europäisches <strong>Patent</strong>blatt<br />

<strong>European</strong> <strong>Patent</strong> <strong>Bulletin</strong><br />

<strong>Bulletin</strong> européen des brevets<br />

(74) Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser,<br />

Anwaltssozietät Leopoldstrasse 4,<br />

80802 München, DE<br />

H01L 21/60 → (51) B23K 20/00<br />

(51) H01L 21/66 (11) 2 423 956 A2<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 11178<strong>09</strong>8.7 (22) 19.08.2011<br />

(84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR<br />

GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK<br />

MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR<br />

BA ME<br />

(30) 27.08.2010 JP 2010190398<br />

(54) Verfahren zur Analyse der Eisenkonzentration<br />

von bordotierten p-Siliziumwafern<br />

und Verfahren zur Herstellung eines Siliziumwafers<br />

Method of analyzing iron concentration of<br />

boron-doped p-type silicon wafer and<br />

method of manufacturing silicon wafer<br />

Procédé d'analyse de concentration de fer<br />

dans une tranche de silicium de type p<br />

dopée au bore et procédé de fabrication<br />

d'une tranche de silicium<br />

(71) Sumco Corporation, 2-1 Shibaura 1-chome,<br />

Minato-ku, Tokyo 105-8634, JP<br />

(72) Ohno, Ryuji, Tokyo 105-8634, JP<br />

Iga, Hisao, Tokyo 105-8634, JP<br />

(74) Sticht, Andreas, Kraus & Weisert <strong>Patent</strong>- und<br />

Rechtsanwälte Thomas-Wimmer-Ring 15,<br />

80539 München, DE<br />

(51) H01L 21/677 (11) 2 423 957 A1<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 10174385.4 (22) 27.08.2010<br />

(84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR<br />

GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK<br />

MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR<br />

BA ME RS<br />

(54) Palette zur Aufnahme von Wärmegradienten,<br />

die während der Verarbeitung entstehen<br />

Pallet for accommodating thermal<br />

gradients arising during processing<br />

Palette pour accommoder les gradients<br />

thermiques survenant durant le traitement<br />

(71) Applied Materials, Inc., 3050 Bowers<br />

Avenue, Santa Clara, CA 95054, US<br />

(72) Flock, Annemarie, 63477, Maintal, DE<br />

Schläfer, Susanne, 63654, Büdingen, DE<br />

Sauer, Andreas, 63762, Großostheim, DE<br />

Hoffmann, Josef, 63839, Kleinwallstadt, DE<br />

Bergmann, Tobias, 63755, Alzenau, DE<br />

(74) Schley, Jan Malte, Fish & Richardson P.C.<br />

Mies-van-der-Rohe-Straße 8, 80807 Munich,<br />

DE<br />

H01L 21/762 → (51) H01L 21/02<br />

H01L 21/768 → (51) H01L 21/02<br />

H01L 23/10 → (51) B81C 3/00<br />

H01L 23/12 → (51) H01L 21/60<br />

(51) H01L 23/473 (11) 2 423 958 A2<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 11178110.0 (22) 19.08.2011<br />

(84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR<br />

GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK<br />

MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR<br />

BA ME<br />

(30) 23.08.2010 US 861181<br />

(54) Fest eingebauter Kühlkörper mit spiralförmigen<br />

Verteilern<br />

Integral heat sink with spiral manifolds<br />

Dissipateur intégral avec collecteurs à<br />

spiral<br />

346<br />

Anmeldungen<br />

Applications<br />

Demandes (<strong>09</strong>/<strong>2012</strong>) 29.02.<strong>2012</strong><br />

(71) General Electric Company, a New York<br />

Company 1 River Road, Schenectady, NY<br />

12345, US<br />

(72) Pautsch, Adam Gregory, Niskayuna, NY New<br />

York 123<strong>09</strong>, US<br />

Gunturi, Satish Sivarama, Niskayuna, NY<br />

New York 123<strong>09</strong>, US<br />

Lazatin, Patrick Jose, Niskayuna, NY New<br />

York 123<strong>09</strong>, US<br />

(74) Illingworth-Law, William Illingworth, GE<br />

London <strong>Patent</strong> Operation 15 John Adam<br />

Street, London WC2N 6LU, GB<br />

H01L 23/48 → (51) H01L 21/02<br />

H01L 23/485 → (51) H01L 25/11<br />

H01L 23/522 → (51) H01L 21/02<br />

H01L 23/64 → (51) H01L 21/02<br />

(51) H01L 25/11 (11) 2 423 959 A2<br />

H01L 23/485<br />

(25) De (26) De<br />

(21) 11176833.9 (22) 08.08.2011<br />

(84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR<br />

GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK<br />

MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR<br />

BA ME<br />

(30) 26.08.2010 DE 102010039824<br />

(54) Leistungsbaugruppe mit einer flexiblen<br />

Verbindungseinrichtung<br />

Power system with a flexible connection<br />

device<br />

Module de puissance doté d'un dispositif<br />

de raccordement flexible<br />

(71) Semikron Elektronik GmbH & Co. KG <strong>Patent</strong>abteilung,<br />

Sigmundstrasse 200, 90431<br />

Nürnberg, DE<br />

(72) Dr. Stockmeier, Thomas, 90471 Nürnberg,<br />

DE<br />

(51) H01L 27/14 (11) 2 423 960 A2<br />

H01L 31/00 H01L 31/0224<br />

H01L 31/18 H01L 51/05<br />

H01L 51/10 H01L 51/52<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 11190401.7 (22) 28.03.2002<br />

(84) DE FI FR GB SE<br />

(30) 30.03.2001 US 823269<br />

(54) Verbesserte elektrolumineszente Vorrichtungen<br />

und Anzeigen mit integrierter<br />

Adresse und logische Vorrichtungen, die<br />

durch Druck oder Weben hergestellt werden<br />

Improved electroluminescent devices and<br />

displays with integrally fabricated address<br />

and logic devices fabricated by printing or<br />

weaving.<br />

Dispositifs électroluminescents améliorés<br />

et affichages avec une adresse intégralement<br />

fabriqués et dispositifs logiques<br />

fabriqués par impression ou tissage<br />

(71) Salonga Access LLC, 2215-B Renaissance<br />

Drive, Las Vegas, NV 89119, US<br />

(72) Christensen, Alton O, Houston, TX 77068,<br />

US<br />

(74) Carpmaels & Ransford, One Southampton<br />

Row, London WC1B 5HA, GB<br />

(62) 02725445.7 / 1 380 054<br />

H01L 27/14 → (51) G05F 3/26<br />

H01L 27/142 → (51) H01L 31/05<br />

(51) H01L 27/146 (11) 2 423 961 A1<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 11175836.3 (22) 28.07.2011

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