European Patent Bulletin 2012/09 - European Patent Office

European Patent Bulletin 2012/09 - European Patent Office European Patent Bulletin 2012/09 - European Patent Office

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(H01H) I.1(2) Commutateur pour installations électriques (71) Schneider Electric Espana, S.A., Bac de Roda, 52, Edificio A, 08019 Barcelona, ES (72) Áriz Arnedo, Fco. Javier, 31012 Pamplona, ES González iribas, Aitor, 31610 Villava, ES Goni Iturmendi, Julio José, 31008 Pamplona, ES Rebolé Olleta, Jose Antonio, 31006 Pamplona, ES (74) Desormiere, Pierre-Louis, et al, Cabinet Beau de Loménie 158, rue de l'Université, 75340 Paris Cedex 07, FR H01H 25/06 → (51) A61B 18/00 H01H 71/02 → (51) H01H 9/08 (51) H01H 71/10 (11) 2 423 938 A2 H01H 71/30 (25) De (26) De (21) 11176296.9 (22) 02.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 26.08.2010 DE 102010036078 (54) Energieversorgung für eine elektronische Auslöseeinheit eines Schalters, insbesondere eines Leistungsschalters für Niederspannungen, und einen Schalter mit einer solchen Energieversorgung. Energy supply for an electronic trigger unit of a switch, in particular a circuit breaker for low voltages and a switch with such an energy supply Alimentation en énergie pour une unité de déclenchement électronique d'un commutateur, notamment un commutateur de puissance pour basses tension et un commutateur doté d'une telle alimentation en énergie (71) Siemens Aktiengesellschaft, Wittelsbacherplatz 2, 80333 Munich, DE (72) Kiendl, Thomas, 92533 Wernberg-Köblitz, DE Götz, Josef, 92272 Freudenberg - Aschach, DE H01H 71/30 → (51) H01H 71/10 H01H 73/60 → (51) H01H 9/08 H01H 85/165 → (51) H01H 85/20 (51) H01H 85/20 (11) 2 423 939 A2 H01H 85/165 (25) Ko (26) En (21) 10767236.2 (22) 15.04.2010 (84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR (86) KR 2010/002332 15.04.2010 (87) WO 2010/123222 2010/43 28.10.2010 (88) 23.12.2010 (30) 22.04.2009 US 171770 P 16.11.2009 US 618822 (54) TRENNUNGSVORRICHTUNG FÜR EINE HOCHSPANNUNGSSTROMVERSORGUNG HIGH VOLTAGE POWER SUPPLY DISCONNECTION ASSEMBLY ENSEMBLE DE COUPURE D'ALIMENTA- TION HAUTE TENSION (71) LG Chem, Ltd., 20, Yoido-dong, Youngdungpo-gu Seoul 150-721, KR (72) NIEDZWIECKI, Mark, Troy, Michigan 48098, US LYONS, William, West Bloomfield, MI 48323, US Europäisches Patentblatt European Patent Bulletin Bulletin européen des brevets FISHER, Andrew S., Ortonville, MI 48462, US (74) HOFFMANN EITLE, Patent- und Rechtsanwälte Arabellastraße 4, 81925 München, DE (51) H01J 9/26 (11) 2 423 940 A1 H01J 63/06 H01J 31/12 (25) En (26) En (21) 11162806.1 (22) 18.04.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 25.08.2010 KR 20100082500 (54) Feldemissionstafel, Flüssigkristallanzeige damit, Feldemissionsanzeige damit und Verfahren zum Aufbau und Verbinden der Feldemissionstafel Field emission panel, liquid crystal display having the same, field emission display having the same and method for packaging field emission panel. Panneau d'émission de champ, écran à cristaux liquide doté de celui-ci, écran à émission de champ doté de celui-ci et procédé pour le conditionnement d'un panneau d'émission de champ (71) SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., 416, Maetan-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si Gyeonggi-do 442-742, KR (72) Cho, Hyun-seung, Korea, KR Sung, Jun-ho, Korea, KR Ahn, Sang-hyuck, Korea, KR (74) Misselbrook, Paul, Appleyard Lees 15 Clare Road Yorkshire, Halifax HX1 2HY, GB H01J 9/39 → (51) H01J 29/94 H01J 17/49 → (51) H04N 5/64 (51) H01J 29/94 (11) 2 423 941 A1 H01J 9/39 (25) En (26) En (21) 11173412.5 (22) 11.07.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 30.08.2010 KR 20100084095 (54) Getteranordnung und Herstellungsverfahren dafür Getter assembly and manufacturing method thereof Ensemble dégazeur et son procédé de fabrication (71) SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., 416, Maetan-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si Gyeonggi-do 442-742, KR (72) Cho, Hyun-seung, Korea, KR Chang, Dong-su, Korea, KR Lee, Jae-young, Korea, KR (74) Misselbrook, Paul, Appleyard Lees 15 Clare Road Yorkshire, Halifax HX1 2HY, GB H01J 31/12 → (51) H01J 9/26 H01J 37/05 → (51) H01J 37/244 (51) H01J 37/22 (11) 2 423 942 A2 H01J 37/26 (25) En (26) En (21) 11178366.8 (22) 23.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 24.08.2010 US 376596 P 344 Anmeldungen Applications Demandes (09/2012) 29.02.2012 06.12.2010 EP 10193773 (54) Detektorsystem für Transmissionselektronenmikroskop Detector system for transmission electron microscope Système de détection pour microscope électronique en transmission (71) FEI COMPANY, 5350 NE Dawson Creek Drive, Hillsboro, Oregon 97124-5793, US (72) Luecken, Uwe, 5627 DG Eindhoven, NL Schoenmakers, Remco, 5685 GE Best, NL Schuurmans, Frank, 5551 XE Valkenswaard, NL (74) Bakker, Hendrik, FEI Company Patent Department P.O. Box 1745, 5602 BS Eindhoven, NL (51) H01J 37/244 (11) 2 423 943 A1 H01J 37/05 H01J 37/26 (25) En (26) En (21) 11178559.8 (22) 24.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 25.08.2010 US 376973 P 06.12.2010 EP 10193806 (54) Detektorsystem zur Verwendung mit Transmissionselektronenmikroskop-Spektroskopie Detector system for use with transmission electron microscope spectroscopy Système de détecteur à utiliser avec une spectroscopie de microscope électronique à transmission (71) FEI COMPANY, 5350 NE Dawson Creek Drive, Hillsboro, Oregon 97124-5793, US (72) Luecken, Uwe, 5627 DG Eindhoven, NL Kooijman, Cees, 5501 BC Veldhoven, NL Schuurmans, Frank, 5551 XE Valkenswaard, NL (74) Bakker, Hendrik, FEI Company Patent Department P.O. Box 1745, 5602 BS Eindhoven, NL H01J 37/26 → (51) H01J 37/22 H01J 37/26 → (51) H01J 37/244 H01J 37/28 → (51) G01N 23/225 (51) H01J 37/32 (11) 2 423 944 A1 (25) En (26) En (21) 11006826.9 (22) 19.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 23.08.2010 JP 2010186017 04.08.2011 JP 2011171005 (54) Plasmabehandlungsvorrichtung und Plasmabehandlungsmethode Plasma processing method and plasma processing apparatus Procédé et appareil de traitement de plasma (71) Tokyo Electron Limited, 3-1 Akasaka 5chome Minato-ku, Tokyo 107-6325, JP (72) Ooya, Yoshinobu, Nirasaki City Yamanashi 407-8511, JP Tanabe, Akira, Nirasaki City Yamanashi 407- 8511, JP Yasuta, Yoshinori, Nirasaki City Yamanashi 407-8511, JP (74) Manitz, Finsterwald & Partner GbR, Postfach 31 02 20, 80102 München, DE (51) H01J 49/04 (11) 2 423 945 A2 (25) En (26) En

(H01J) I.1(2) (21) 11006856.6 (22) 22.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 25.08.2010 JP 2010187715 (54) Drogennachweisausrüstung Drug detection equipment Équipement de détection de médicaments (71) Hitachi High-Technologies Corporation, 24- 14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8717, JP (72) Hashimoto, Makoto, Hitachinaka-shi Ibaraki 312-8504, JP Yokokura, Takefumi, Hitachinaka-shi Ibaraki 312-8504, JP Yamada, Masuyoshi, Hitachinaka-shi Ibaraki 312-8504, JP Inoue, Hiroyuki, Kashiwa-shi Chiba 277- 0882, JP Morokuma, Hidetoshi, Hitachinaka-shi Ibaraki 312-8504, JP (74) Strehl Schübel-Hopf & Partner, Maximilianstrasse 54, 80538 München, DE H01J 63/06 → (51) H01J 9/26 (51) H01L 21/02 (11) 2 423 946 A1 H01L 21/20 (25) De (26) De (21) 10174051.2 (22) 25.08.2010 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR BA ME RS (54) Herstellung einer p-leitfähigen ZnO-haltigen Halbleiterschicht Production of a p-conducting ZnO semiconductive layer Fabrication d'une couche semi-conductrice contenant du ZnO p-conducteur (71) Justus-Liebig-Universität Gießen, Ludwigstrasse 23, 35390 Giessen, DE (72) Meyer, Bruno, Prof. Dr., 35440 Großen-Linden, DE (74) Stumpf, Peter, TransMIT Gesellschaft für Technologietransfer mbH Kerkrader Straße 3, D-35394 Gießen, DE (51) H01L 21/02 (11) 2 423 947 A2 H01L 21/48 H01L 21/762 H01L 21/768 H01L 23/48 (25) En (26) En (21) 11169049.1 (22) 08.06.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 30.08.2010 US 871390 (54) Elektronische Vorrichtung mit einer Grabenbestandteil Electronic device including a feature in a trench Dispositif électronique incluant un élément dans une tranchée (71) Semiconductor Components Industries, LLC, 5005 East McDowell Road, Phoenix, AZ 85008, US (72) Parsey, John Michael, Jr, Phoenix, AZ 85048, US Grivna, Gordon, Mesa, AZ 85210, US (74) Oliver, Suzanne, et al, avidity IP Merlin House Falconry Court Baker's Lane, Epping, Essex CM16 5DQ, GB (51) H01L 21/02 (11) 2 423 948 A2 H01L 23/522 H01L 23/64 (25) En (26) En Europäisches Patentblatt European Patent Bulletin Bulletin européen des brevets (21) 11178590.3 (22) 24.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 24.08.2010 US 862589 (54) Seitliche Verbindung für einen Dünnfilmwiderstand ohne Kontaktlöcher und Herstellungsverfahren dafür Lateral connection for a via-less thin film resistor and method of forming the same Connexion latérale pour une résistance à film mince sans trou d'interconnexion et son procédé de fabrication (71) STMicroelectronics Pte Ltd., 28 Ang Mo Kio Industrial Park 2, Singapore 569508, SG (72) Ng, Hui Chong Vince, 166026 Singapore, SG Le Neel, Olivier, 574934 Singapore, SG Leung, Calvin, 650535 Singapore, SG (74) Style, Kelda Camilla Karen, Page White & Farrer Bedford House John Street, London, WC1N 2BF, GB (51) H01L 21/02 (11) 2 423 949 A2 H01L 23/522 H01L 23/64 (25) En (26) En (21) 11178593.7 (22) 24.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 24.08.2010 US 862594 (54) Mehrschichtiger Dünnfilmwiderstand ohne Kontaktlöcher und Herstellungsverfahren dafür Multi-layer via-less thin film resistor and manufacturing method therefor Résistance à film mince multicouche sans trou d'interconnexion et sa procédé de fabrication (71) STMicroelectronics Pte Ltd., 28 Ang Mo Kio Industrial Park 2, Singapore 569508, SG (72) Le Neel, Olivier, 574934 Singapore, SG Leng, Calvin, 650535 Singapore, SG (74) Style, Kelda Camilla Karen, Page White & Farrer Bedford House John Street, London, WC1N 2BF, GB (51) H01L 21/02 (11) 2 423 950 A2 H01L 23/522 H01L 23/64 (25) En (26) En (21) 11178597.8 (22) 24.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 24.08.2010 US 862599 (54) Dünnfilmwiderstand ohne Kontaktlöcher mit einer dielektrischen Deckschicht und Herstellungsverfahren dafür Via-less thin film resistor with a dielectric cap and manufacturing method thereof Résistance à film mince sans trou d'interconnexion doté d'un capuchon diélectrique et son procédé de fabrication (71) STMicroelectronics Pte Ltd., 28 Ang Mo Kio Industrial Park 2, Singapore 569508, SG STMicroelectronics Inc, 750 Canyon Drive, Suite 300, Coppell, TX 75019, US (72) Lim, Ting Fang, 569508 Singapore, SG Niu, Chengyu, New York, 12524, US Le Neel, Olivier, 574934 Singapore, SG Leung, Calvin, 06-619 Singapore (650535), SG (74) Style, Kelda Camilla Karen, Page White & Farrer Bedford House John Street, London, WC1N 2BF, GB 345 Anmeldungen Applications Demandes (09/2012) 29.02.2012 H01L 21/02 → (51) H01L 21/20 H01L 21/027 → (51) G03F 1/14 (51) H01L 21/20 (11) 2 423 951 A2 H01L 21/02 (25) En (26) En (21) 11176589.7 (22) 04.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 05.08.2010 US 371008 P (54) Begrenzungsfreies Antiphasendomänen- III-V-Verbindungshalbleitermaterial auf einem Halbleitersubstrat und Herstellungsverfahren dafür Antiphase domain boundary-free III-V compound semiconductor material on semiconductor substrate and method for manufacturing thereof Matériau semi-conducteur de composé III-V sans limites de domaine antiphase sur un substrat semi-conducteur et son procédé de fabrication (71) IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BE Katholieke Universiteit Leuven, K.U. Leuven R&D, Minderbroedersstraat 8a Bus 5105, 3000 Leuven, BE (72) Wang, Gang, St. Peters, MO Missouri 63376, US Caymax, Matty, 3000 Leuven, BE Leys, Maarten, 5642 NT Eindhoven, NL Wang, Wei-E, 3090 Overijse, BE Waldron, Niamh, 3000 Leuven, BE (74) Sarlet, Steven Renaat Irène, et al, Gevers Intellectual Property House Holidaystraat 5, 1831 Diegem, BE H01L 21/20 → (51) H01L 21/02 H01L 21/205 → (51) C30B 29/40 H01L 21/265 → (51) H01L 21/336 (51) H01L 21/28 (11) 2 423 952 A2 H01L 29/423 H01L 29/788 (25) En (26) En (21) 11176611.9 (22) 04.08.2011 (84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR BA ME (30) 31.08.2010 US 872073 (54) Strukturierung eines Gatestapels eines nichtflüchtigen Speichers mit simultaner Ätzung im nichtflüchtigen Speicherbereich Patterning a gate stack of a non-volatile memory (nvm) with simultaneous etch in non-nvm area Formation de motifs d'un empilement de grille d'une mémoire non volatile avec gravure simultanée dans une zone non mémoire non volatile (71) Freescale Semiconductor, Inc., 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735, US (72) Shroff, Mehul D., Austin, TX Texas 78749, US (74) Ferro, Frodo Nunes, Freescale Semiconducteurs France SAS C/o Impetus IP Limited Suite 57a, Basepoint Business Park Caxton Close, Andover, Hampshire SP10 3FG, GB H01L 21/301 → (51) B23K 26/38 H01L 21/304 → (51) C30B 29/40 (51) H01L 21/336 (11) 2 423 953 A1 H01L 21/265

(H01H) I.1(2)<br />

Commutateur pour installations électriques<br />

(71) Schneider Electric Espana, S.A., Bac de<br />

Roda, 52, Edificio A, 08019 Barcelona, ES<br />

(72) Áriz Arnedo, Fco. Javier, 31012 Pamplona,<br />

ES<br />

González iribas, Aitor, 31610 Villava, ES<br />

Goni Iturmendi, Julio José, 31008 Pamplona,<br />

ES<br />

Rebolé Olleta, Jose Antonio, 31006 Pamplona,<br />

ES<br />

(74) Desormiere, Pierre-Louis, et al, Cabinet Beau<br />

de Loménie 158, rue de l'Université, 75340<br />

Paris Cedex 07, FR<br />

H01H 25/06 → (51) A61B 18/00<br />

H01H 71/02 → (51) H01H 9/08<br />

(51) H01H 71/10 (11) 2 423 938 A2<br />

H01H 71/30<br />

(25) De (26) De<br />

(21) 11176296.9 (22) 02.08.2011<br />

(84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR<br />

GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK<br />

MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR<br />

BA ME<br />

(30) 26.08.2010 DE 102010036078<br />

(54) Energieversorgung für eine elektronische<br />

Auslöseeinheit eines Schalters, insbesondere<br />

eines Leistungsschalters für Niederspannungen,<br />

und einen Schalter mit einer<br />

solchen Energieversorgung.<br />

Energy supply for an electronic trigger<br />

unit of a switch, in particular a circuit<br />

breaker for low voltages and a switch with<br />

such an energy supply<br />

Alimentation en énergie pour une unité de<br />

déclenchement électronique d'un commutateur,<br />

notamment un commutateur de<br />

puissance pour basses tension et un<br />

commutateur doté d'une telle alimentation<br />

en énergie<br />

(71) Siemens Aktiengesellschaft, Wittelsbacherplatz<br />

2, 80333 Munich, DE<br />

(72) Kiendl, Thomas, 92533 Wernberg-Köblitz,<br />

DE<br />

Götz, Josef, 92272 Freudenberg - Aschach,<br />

DE<br />

H01H 71/30 → (51) H01H 71/10<br />

H01H 73/60 → (51) H01H 9/08<br />

H01H 85/165 → (51) H01H 85/20<br />

(51) H01H 85/20 (11) 2 423 939 A2<br />

H01H 85/165<br />

(25) Ko (26) En<br />

(21) 10767236.2 (22) 15.04.2010<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT<br />

NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR<br />

(86) KR 2010/002332 15.04.2010<br />

(87) WO 2010/123222 2010/43 28.10.2010<br />

(88) 23.12.2010<br />

(30) 22.04.20<strong>09</strong> US 171770 P<br />

16.11.20<strong>09</strong> US 618822<br />

(54) TRENNUNGSVORRICHTUNG FÜR EINE<br />

HOCHSPANNUNGSSTROMVERSORGUNG<br />

HIGH VOLTAGE POWER SUPPLY<br />

DISCONNECTION ASSEMBLY<br />

ENSEMBLE DE COUPURE D'ALIMENTA-<br />

TION HAUTE TENSION<br />

(71) LG Chem, Ltd., 20, Yoido-dong, Youngdungpo-gu<br />

Seoul 150-721, KR<br />

(72) NIEDZWIECKI, Mark, Troy, Michigan 48<strong>09</strong>8,<br />

US<br />

LYONS, William, West Bloomfield, MI<br />

48323, US<br />

Europäisches <strong>Patent</strong>blatt<br />

<strong>European</strong> <strong>Patent</strong> <strong>Bulletin</strong><br />

<strong>Bulletin</strong> européen des brevets<br />

FISHER, Andrew S., Ortonville, MI 48462,<br />

US<br />

(74) HOFFMANN EITLE, <strong>Patent</strong>- und Rechtsanwälte<br />

Arabellastraße 4, 81925 München,<br />

DE<br />

(51) H01J 9/26 (11) 2 423 940 A1<br />

H01J 63/06 H01J 31/12<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 11162806.1 (22) 18.04.2011<br />

(84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR<br />

GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK<br />

MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR<br />

BA ME<br />

(30) 25.08.2010 KR 20100082500<br />

(54) Feldemissionstafel, Flüssigkristallanzeige<br />

damit, Feldemissionsanzeige damit und<br />

Verfahren zum Aufbau und Verbinden der<br />

Feldemissionstafel<br />

Field emission panel, liquid crystal display<br />

having the same, field emission display<br />

having the same and method for<br />

packaging field emission panel.<br />

Panneau d'émission de champ, écran à<br />

cristaux liquide doté de celui-ci, écran à<br />

émission de champ doté de celui-ci et<br />

procédé pour le conditionnement d'un<br />

panneau d'émission de champ<br />

(71) SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., 416,<br />

Maetan-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si<br />

Gyeonggi-do 442-742, KR<br />

(72) Cho, Hyun-seung, Korea, KR<br />

Sung, Jun-ho, Korea, KR<br />

Ahn, Sang-hyuck, Korea, KR<br />

(74) Misselbrook, Paul, Appleyard Lees 15 Clare<br />

Road Yorkshire, Halifax HX1 2HY, GB<br />

H01J 9/39 → (51) H01J 29/94<br />

H01J 17/49 → (51) H04N 5/64<br />

(51) H01J 29/94 (11) 2 423 941 A1<br />

H01J 9/39<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 11173412.5 (22) 11.07.2011<br />

(84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR<br />

GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK<br />

MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR<br />

BA ME<br />

(30) 30.08.2010 KR 20100084<strong>09</strong>5<br />

(54) Getteranordnung und Herstellungsverfahren<br />

dafür<br />

Getter assembly and manufacturing<br />

method thereof<br />

Ensemble dégazeur et son procédé de<br />

fabrication<br />

(71) SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., 416,<br />

Maetan-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si<br />

Gyeonggi-do 442-742, KR<br />

(72) Cho, Hyun-seung, Korea, KR<br />

Chang, Dong-su, Korea, KR<br />

Lee, Jae-young, Korea, KR<br />

(74) Misselbrook, Paul, Appleyard Lees 15 Clare<br />

Road Yorkshire, Halifax HX1 2HY, GB<br />

H01J 31/12 → (51) H01J 9/26<br />

H01J 37/05 → (51) H01J 37/244<br />

(51) H01J 37/22 (11) 2 423 942 A2<br />

H01J 37/26<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 11178366.8 (22) 23.08.2011<br />

(84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR<br />

GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK<br />

MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR<br />

BA ME<br />

(30) 24.08.2010 US 376596 P<br />

344<br />

Anmeldungen<br />

Applications<br />

Demandes (<strong>09</strong>/<strong>2012</strong>) 29.02.<strong>2012</strong><br />

06.12.2010 EP 10193773<br />

(54) Detektorsystem für Transmissionselektronenmikroskop<br />

Detector system for transmission electron<br />

microscope<br />

Système de détection pour microscope<br />

électronique en transmission<br />

(71) FEI COMPANY, 5350 NE Dawson Creek<br />

Drive, Hillsboro, Oregon 97124-5793, US<br />

(72) Luecken, Uwe, 5627 DG Eindhoven, NL<br />

Schoenmakers, Remco, 5685 GE Best, NL<br />

Schuurmans, Frank, 5551 XE Valkenswaard,<br />

NL<br />

(74) Bakker, Hendrik, FEI Company <strong>Patent</strong><br />

Department P.O. Box 1745, 5602 BS Eindhoven,<br />

NL<br />

(51) H01J 37/244 (11) 2 423 943 A1<br />

H01J 37/05 H01J 37/26<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 11178559.8 (22) 24.08.2011<br />

(84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR<br />

GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK<br />

MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR<br />

BA ME<br />

(30) 25.08.2010 US 376973 P<br />

06.12.2010 EP 10193806<br />

(54) Detektorsystem zur Verwendung mit<br />

Transmissionselektronenmikroskop-Spektroskopie<br />

Detector system for use with transmission<br />

electron microscope spectroscopy<br />

Système de détecteur à utiliser avec une<br />

spectroscopie de microscope électronique<br />

à transmission<br />

(71) FEI COMPANY, 5350 NE Dawson Creek<br />

Drive, Hillsboro, Oregon 97124-5793, US<br />

(72) Luecken, Uwe, 5627 DG Eindhoven, NL<br />

Kooijman, Cees, 5501 BC Veldhoven, NL<br />

Schuurmans, Frank, 5551 XE Valkenswaard,<br />

NL<br />

(74) Bakker, Hendrik, FEI Company <strong>Patent</strong><br />

Department P.O. Box 1745, 5602 BS Eindhoven,<br />

NL<br />

H01J 37/26 → (51) H01J 37/22<br />

H01J 37/26 → (51) H01J 37/244<br />

H01J 37/28 → (51) G01N 23/225<br />

(51) H01J 37/32 (11) 2 423 944 A1<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 11006826.9 (22) 19.08.2011<br />

(84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR<br />

GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK<br />

MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR<br />

BA ME<br />

(30) 23.08.2010 JP 2010186017<br />

04.08.2011 JP 2011171005<br />

(54) Plasmabehandlungsvorrichtung und Plasmabehandlungsmethode<br />

Plasma processing method and plasma<br />

processing apparatus<br />

Procédé et appareil de traitement de<br />

plasma<br />

(71) Tokyo Electron Limited, 3-1 Akasaka 5chome<br />

Minato-ku, Tokyo 107-6325, JP<br />

(72) Ooya, Yoshinobu, Nirasaki City Yamanashi<br />

407-8511, JP<br />

Tanabe, Akira, Nirasaki City Yamanashi 407-<br />

8511, JP<br />

Yasuta, Yoshinori, Nirasaki City Yamanashi<br />

407-8511, JP<br />

(74) Manitz, Finsterwald & Partner GbR, Postfach<br />

31 02 20, 80102 München, DE<br />

(51) H01J 49/04 (11) 2 423 945 A2<br />

(25) En (26) En

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