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Nanostrukturen und Grenzflächen Poster: Do., 13:00–15:30 D-P268
Endotaxie von MnSb auf GaSb(001)
Wolfgang Braun 1 , Achim Trampert 1 , Vladimir M. Kaganer 1 , Bernd
Jenichen 1 , Dillip K. Satapathy 2 , Klaus H. Ploog 1
1 Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin –
2 Paul Scherrer Institut, Swiss Light Source, CH-5232 Villigen PSI, Switzerland
MnSb weist eine hohe Curie-Temperatur auf, was es zu einem attraktiven Kandidaten
für Spininjektoren macht. Insbesondere das Wachstum auf GaSb scheint interessant,
da Substrat und Film ein gemeinsames Element besitzen. Wir untersuchen die
Molekularstrahlepitaxie von MnSb auf GaSb mittels In-Situ-Röntgenbeugung. Im Gegensatz
zu MnAs auf GaAs wächst MnSb auf GaSb endotaktisch, d.h. zwischen den
sich ausbildenden, am Wirtsgitter ausgerichteten MnSb-Kristallen wird GaSb aus dem
Substrat gelöst und rekristallisert an der Oberfläche. Bei höheren Temperaturen bilden
sich MnSb-Kristalle mit ebener Grenzfläche zum Vakuum und näherungsweise halbkugelförmiger
Gestalt innerhalb des Substrats, die sich entlang der GaSb-(111)-Ebenen
ausrichten und in allen drei Raumrichtungen eine sehr geringe Gitterfehlanpassung
aufweisen. Die strukturellen Daten sowie Magnetometrie belegen die im Rahmen der
Messgenauigeit vollständige Phasenseparation zwischen MnSb und GaSb. Die nahezu
perfekte Struktur sowohl der verwachsenden Kristalle als auch ihrer Grenzflächen
machen das System zu einem interessanten Kandidaten für selbstorganisierende Spin-
Injektorstrukturen.
Abb. 1: In-plane-
Intensitätsprofile aufgenommen
während der
Endotaxie von MnSb auf
GaSb. Der Substratreflex
besteht aus zwei verschieden
breiten Komponenten, die bei
höheren Temperaturen (blaue
Kurve) verschmelzen. Die
breite Komponente repräsentiert
dabei das während
der Niedertemperatur-
Endotaxie aus dem Substrat
herausgelöste Material.