Deliverables and Services - IHP Microelectronics

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Gemeinsames Labor IHP / BTU Cottbus Das Gemeinsame Labor IHP / BTU auf dem Campus der Brandenburgischen Technischen Universität (BTU) Cottbus besteht seit 2000. Es bündelt die Forschungspotentiale beider Partner und leistet – unter maßgeblicher Einbeziehung von Studenten – interdisziplinäre Forschung auf dem Gebiet der Si-basierten Halbleitermaterialien. Dabei bezieht es Lehrstühle der BTU in seine Forschungstätigkeit ein, wie Experimentalphysik, Theoretische Physik, Physikalische Chemie oder Schaltkreis- entwurf. Darüber hinaus beteiligte sich in 2007 auch die Fachhochschule Lausitz mit technisch-präparativen Arbeiten und mit der Technischen Fachhochschule Wildau wurde ein gemeinsames Projekt vorbereitet. National arbeitet das Gemeinsame Labor im Rahmen seiner Projektarbeit mit einer ganzen Reihe von Forschungseinrichtungen wie dem MPI Halle, den Universitäten Göttingen, Jena, Stuttgart, der RWTH Aachen, dem HMI und BESSY Berlin oder dem IPHT Jena zusammen und hat Verträge mit Unternehmen der Si-Branche wie der Siltronic AG, der Deutschen Solar AG oder der Schott Solar AG . Eine wichtige Aufgabe stellt auch der Ausbau der internationalen Vernetzung des Gemeinsamen Labors dar. Die BTU und das IHB sind über das Gemeinsame Labor Mitglied im internationalen Konsortium SiWEDS (Silicon Wafer Engineering & Defect Science Center, siehe www.mse.ncsu.edu / siweds / ), dem renommierte Halbleiterfirmen, wie z.B. Intel, Samsung, Hynix, MEMC, Soitec, Siltronic AG, Centrotherm GmbH, und namhafte Universitäten, wie z.B. MIT, Stanford, UC Berkeley, angehören. International wurden neben den bestehenden Verbindungen in 2007 die Zusammenarbeit mit dem Institut MESA+ an der Universität Twente (Niederlande) weiter intensiviert und mit dem Institute for Energy Technology in Kjeller, Norwegen begonnen. Im Jahr 2007 bearbeitete das Gemeinsame Labor 6 Drittmittelprojekte, darunter zwei BMBF-Projekte, ein BMU-Projekt, ein Projekt der Volkswagenstiftung und zwei Industrieprojekte. G E M E I N S A M E L A B O R E – J O I N T L A B S Joint Lab IHP / BTU Cottbus the Joint lab IHp / Btu located at the campus of the Brandenburg technical university Cottbus (Btu) was founded in 2000. It pools the research potential of the partners IHp and Btu and conducts interdisciplinary research – with substantial participation of students – in the field of silicon-based semiconductor materials. the Btu chairs experimental physics, Materials Science, theoretical physics, physical Chemistry and Circuit Design are closely involved in its research activities. Furthermore, the nearby university of Applied Sciences lausitz is also associated with the Joint lab and contributed engineering and preparation work in 2007. A joint project was also prepared together with the university of Applied Sciences Wildau. Within the framework of its research projects, the Joint lab collaborates on contract basis nation-wide with various research facilities such as e.g. MpI Halle, HMI Berlin, BeSSY Berlin, IpHt Jena, universities in Göttingen, Jena and Stuttgart, RWtH Aachen, and with silicon companies such as Siltronic AG, Deutsche Solar AG and Schott Solar AG. the expansion of its international networking is a further important task of the Joint lab. Btu Cottbus and the IHp – via the Joint lab IHp / Btu – are members of the international consortium SiWeDS (Silicon Wafer engineering & Defect Science Center, see www.mse.ncsu.edu / siweds / ), associating noted semiconductor companies, e.g. Intel, Samsung, Hynix, MeMC, Soitec, Siltronic AG, Centrotherm GmbH, and well-known universities such as MIt, Stanford and uC Berkeley. In addition to existing international scientific contacts, collaborations with the Institute MeSA+ at university twente (netherlands) were further intensified in 2007 and new co-operations with the Institute for energy technology in Kjeller (norway) were started. In 2007 the Joint lab worked on six projects funded by third parties, among them two projects funded by the BMBF (Federal Ministry of education and Research), one project funded by the BMu (Federal Ministry for the environment, nature Conservation and nuclear A n n u A l R e p o R t 2 0 0 7 7
Das Gemeinsame Labor beteiligt sich an Arbeiten, um bisher ungenutzte Eigenschaften des Siliziums für einen künftigen Einsatz auf neuen Gebieten zu erschließen. Basierend auf den Ergebnissen dieser Vorlaufforschung – zu der z.B. Si-basierte Lichtemitter, Si-basierte Nanostrukturen wie c-Si / SiO 2 -Schichtstapel und Si-Nanodrähte oder die kontrollierte Platzierung von Biomolekülen auf Si für Biochips zählen – werden für das IHP Entscheidungen für seine zukünftige inhaltliche Ausrichtung vorbereitet. Die langfristigen Forschungsschwerpunkte des Gemeinsamen Labors zum Komplex „Silizium“ sollen Beiträge zur Weiterentwicklung der Mikroelektronik, zur Einführung einer Si-basierten Nanoelekronik, zur Einführung einer Si-basierten Photonik, und zur Unterstützung der Si-basierten Photovoltaik liefern. Auf dem letztgenannten Gebiet ist das Gemeinsame Labor in der BTU-Forschungseinrichtung CeBra (Centrum für Energietechnologie Brandenburg, siehe www.tu-cottbus. de / cebra / ) verankert. Die grundlegende Such- und Vorlaufforschung zu neuen und verbesserten Si-Eigenschaften durch Einsatz von Methoden des Defect Engineering sind auf die folgenden Schwerpunkte gerichtet und werden im Rahmen von Projekten, meist in Arbeitsteilung mit externen Partnern, verfolgt - Versetzungs-Engineering in Silizium für Lichtemitter und andere Anwendungen - Si-Nanostrukturen - Si-Wafer für zukünftige Technologie-Generationen - Elektrische Aktivität von Kristalldefekten in Solar-Silizium - Entwicklung spezieller Mess- und Diagnoseverfahren 7 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 7 G E M E I N S A M E L A B O R E – J O I N T L A B S Safety), one project funded by Volkswagenstiftung and two projects with the industry. the Joint lab participates in research aimed at using silicon properties that have not been used to date for new application areas. Based on the results of this forerunning research, e.g. Si-based light emitter, Si-based nanostructures such as c-Si / Sio 2 layer stacks and Si nanowires or the controlled placement of biomolecules on Si for biochips, decisions for the future research of the IHp are prepared. the long term research focus of the Joint lab for the complex “silicon” is aimed at delivering contributions for the future development of microelectronics, for the implementation of Si-based nanoelectronics and Si-based photonics, and for the support of Si-based photovoltaics. With the latter research field, the Joint lab is connected with the Btu research facility CeBra (Center for energy technology Brandenburg, see also www.tu-cottbus.de / cebra / ). the basic and forerunning research related to new and improved Si properties using methods of defect engineering is directed towards the following areas and is organized in the form of projects, usually carried out in collaboration with external partners. - Dislocation-engineering in silicon for light emitters and other applications - Si-nanostructures - Si-wafer for future technology generations - electrical activity of crystal defects in solar silicon - Development of special methods for measurement and diagnostics
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Das IHP konzentriert sich auf die E
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Das Jahr 2007 Die mittelfristige Fo
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